Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S1BBTR | Диодные решения SMC | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ДО-214АА, СМБ | 6 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2,5 мкс | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D16065A | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Сквозное отверстие | Трубка | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-220-2 | 11 недель | ТО-220-2 | 39А | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 878пФ при 0 В 1 МГц | 650В | 95 мкА при 650 В | 1,8 В при 16 А | 39А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС1КТР | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-214АС, СМА | 6 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 нс | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1К-ХФ | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/comchiptechnology-s1mhf-datasheets-4862.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 12 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 800В | Стандартный | 1А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4148WS-HE3-18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4148wse318-datasheets-7110.pdf | СК-76, СОД-323 | 2 | 12 недель | 4,309128 мг | 2 | да | EAR99 | Олово | неизвестный | 8541.10.00.70 | е3 | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Одинокий | 1 | 150 мА | БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 75В | 100В | 350 мА | 100 мкА | 4 нс | Стандартный | 1 | 0,15 А | 75В | 100 мкА при 100 В | 1,2 В при 100 мА | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М1МА152КТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-m1ma152kt1g-datasheets-4928.pdf | 80В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,1 мм | 1,2 мм | 1,7 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | М1МА152 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 100 мА | 100 мА | 1,2 В | 500 мА | 100нА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 0,2 Вт | 80В | 500 мА | 3 нс | 3 нс | Стандартный | 80В | 100 мА | 2пФ @ 0В 1МГц | 100 нА при 75 В | 1,2 В при 100 мА | 100 мА постоянного тока | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4151WS-E3-18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n4151wse318-datasheets-4922.pdf | СК-76, СОД-323 | 2 | 12 недель | 4,309128 мг | 2 | да | EAR99 | Олово | 8541.10.00.70 | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 150 мА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 75В | 500 мА | 4 нс | Стандартный | 0,15 А | 50В | 50 нА при 50 В | 1 В при 50 мА | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1Д-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/comchiptechnology-s1mhf-datasheets-4862.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 12 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 200В | Стандартный | 1А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАС21ТХВЛ | Нексперия США Инк. | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BAS16 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bas21thvl-datasheets-4958.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 50 нс | Стандартный | 5пФ @ 0В 1МГц | 200В | 100 нА при 200 В | 1,25 В @ 200 мА | 200 мА постоянного тока | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSS13UTR | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОД-123Ф | 6 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 110пФ @ 4В 1МГц | 30 В | 100 мкА при 30 В | 500 мВ при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R2000FTA | Диодные решения SMC | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 6 недель | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 500 нс | Стандартный | 2000В | 5 мкА при 2000 В | 4 В при 200 мА | 200 мА | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3892 | GeneSiC Полупроводник | $8,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | 1N3892 | ДО-4 | 12А | 90А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25 мкА | 300В | 300В | 200 нс | 200 нс | Стандартный | 400В | 12А | 400В | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 12 А | 12А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАБ102,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/nexperiausainc-bav103115-datasheets-7618.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 6 недель | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | БАБ102 | 2 | 175°С | 30 | 1 | 250 мА | 1,25 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 0,4 Вт | 50 нс | Стандартный | 5пФ @ 0В 1МГц | 150 В | 100 нА при 150 В | 1,25 В @ 200 мА | 250 мА постоянного тока | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАВ303-ТР3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bav303tr3-datasheets-4890.pdf | 2-СМД, без свинца | 2 | 13 недель | 2 | да | EAR99 | Серебро, Олово | неизвестный | 8541.10.00.70 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 250 мА | 1В | 1А | 100нА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250 В | 1А | 50 нс | 50 нс | Стандартный | 200В | 250 мА | 1,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 100 нА при 200 В | 1 В при 100 мА | 250 мА постоянного тока | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3889R | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1N3889R | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 12А | 90А | ОДИНОКИЙ | АНОД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 50В | 50В | 200 нс | 200 нс | Стандартная, обратная полярность | 50В | 12А | 1 | 25 мкА при 50 В | 1,4 В при 12 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAW76-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-baw76tap-datasheets-4713.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 11 недель | 2 | Серебро, Олово | Нет | Одинокий | ДО-35 | 150 мА | 2А | 100нА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 75В | 2А | 4нс | 4 нс | Стандартный | 50В | 300 мА | 2пФ @ 0В 1МГц | 50В | 100 нА при 50 В | 1 В при 100 мА | 300 мА постоянного тока | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БАС116LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-bas116lt1g-datasheets-4394.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | 8541.10.00.70 | е3 | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БАС116 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 200 мА | 1,25 В | 500 мА | 5нА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 5нА | 75В | 500 мА | 3 мкс | 3 мкс | Стандартный | 75В | 200 мА | 0,2 А | 2пФ @ 0В 1МГц | 5 нА при 75 В | 1,25 В @ 150 мА | 200 мА постоянного тока | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-40ЭПС16-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40eps16m3-datasheets-4902.pdf | ТО-247-2 | 2 | 12 недель | 2 | EAR99 | неизвестный | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕПРИГОДНЫЙ | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | 1В | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 1,6 кВ | 475А | Стандартный | 1,6 кВ | 40А | 1 | 1600В | 100 мкА при 1600 В | 1,14 В при 40 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ510СМ-30Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/rohmsemiconductor-rb510sm30t2r-datasheets-4908.pdf | СК-79, СОД-523 | 2 | 8 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | совместимый | 8541.10.00.70 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 30 В | Шоттки | 0,1 А | 30 В | 300 нА при 10 В | 460 мВ при 10 мА | 100 мА | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS210AGHRC | РОМ Полупроводник | 3,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohm-scs210aghrc-datasheets-0347.pdf | ТО-220-2 | 2 | 12 недель | да | EAR99 | PD-CASE | не_совместимо | 8541.10.00.80 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | 10А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 78 Вт | 650В | 200 мкА | ТО-220АС | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1 | 365пФ @ 1В 1МГц | 650В | 200 мкА при 600 В | 1,55 В @ 10 А | 10 А постоянного тока | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-85ХФЛ60С05 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs85hfl60s05-datasheets-4835.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 36,5 мм | 17,35 мм | 1 | 13 недель | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | Одинокий | 1 | О-МУПМ-Д1 | 85А | 1151 кА | КАТОД | 0,25 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1369 кА | 100 мкА | 600В | 1151 кА | 600В | 500 нс | 500 нс | Стандартный | 600В | 85А | 1 | 100 мкА при 600 В | 1,75 В @ 266,9 А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FFSP15120A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ffsp15120a-datasheets-4837.pdf | ТО-220-2 | 2 | 10 недель | 2,16 г | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, PD-CASE | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | 175°С | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 300 Вт | 1200В | 115А | 1,2 кВ | 200 мкА | ТО-220АС | Карбид кремния Шоттки | 1 | 936пФ @ 1В 100кГц | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,75 В при 15 А | 15 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБ02ШТ03-46 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-gb02sht0346-datasheets-0355.pdf | ТО-206АБ, ТО-46-3 Металлическая банка | 18 недель | 3 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 300В | 4А | 76пФ @ 1В 1МГц | 5 мкА при 300 В | 1,6 В при 1 А | 4А постоянного тока | -55°К~225°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC015SDA120B | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-msc010sda070k-datasheets-4425.pdf | ТО-247-2 | 13 недель | ТО-247 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 1200В | 1,5 В при 15 А | 15 А постоянного тока | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS1JTR | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ДО-214АС, СМА | 6 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 250 нс | Стандартный | 15пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3768R | GeneSiC Полупроводник | $7,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 1N3768R | 190°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 35А | 475А | ОДИНОКИЙ | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 1кВ | 1кВ | Стандартная, обратная полярность | 1кВ | 35А | 1 | 1000В | 10 мкА при 50 В | 1,2 В при 35 А | -65°К~190°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1М-КВ | Комчип Технология | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/comchiptechnology-s1mhf-datasheets-4862.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 12 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1000В | Стандартный | 1А | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н485БТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-1n485btr-datasheets-4864.pdf | 200В | 200 мА | 1,91 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 4,56 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 80г | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | ПРОВОЛОКА | 1Н485 | Одинокий | 500мВт | 1 | Выпрямительные диоды | 200 мА | 200 мА | 1В | 4А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 25нА | 200В | 4А | 200В | Стандартный | 200В | 200 мА | 25 нА при 175 В | 1 В при 100 мА | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5620C.TR | Корпорация Семтек | $6,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Осевой | 12 недель | 1N5620 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 2 мкс | лавина | 23пФ @ 5В 1МГц | 800В | 500 нА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | 2А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D08065E | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Поверхностный монтаж | Трубка | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6 недель | 3 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 395пФ при 0 В 1 МГц | 650В | 50 мкА при 650 В | 1,8 В при 8 А | 25,5 А постоянного тока | -55°К~175°К |
