| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSC010SDA070K | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-msc010sda070k-datasheets-4425.pdf | ТО-220-3 | 13 недель | ТО-220-3 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 700В | 1,5 В при 10 А | 10 А постоянного тока | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS210AGC | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohm-scs210agc-datasheets-0228.pdf | ТО-220-2 | 9,8 мм | 15,37 мм | 4,45 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | 78 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СКС210 | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 75 Вт | 1 | 10А | 1,55 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 40А | 200 мкА | 650В | 150А | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 650В | 10А | 1 | 365пФ @ 1В 1МГц | 200 мкА при 600 В | 1,55 В @ 10 А | 10 А постоянного тока | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦПБ15У100С С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 1,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tspb15u100ss1g-datasheets-4164.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 14 недель | СМПК4.0 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100 В | 250 мкА при 100 В | 700 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС745ФП | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps745fp-datasheets-4456.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 10,4 мм | 9,3 мм | 4,6 мм | Без свинца | 2 | 15 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | СТПС7 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 7,5 А | 570 мВ | 150А | 100 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 75А | 100 мкА | 45В | 150А | Шоттки | 45В | 7,5 А | 1 | 100 мкА при 45 В | 840 мВ при 15 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH8S06D | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth8s06d-datasheets-4357.pdf | ТО-220-2 | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | STTH8S06 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 8А | 3,4 В | 60А | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 20 мкА | 600В | 60А | 600В | 18 нс | 18 нс | Стандартный | 600В | 8А | 1 | 8А | 20 мкА при 600 В | 3,4 В при 8 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ST2045AXTR | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | R6, Осевой | 20 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 1,2 мА при 45 В | 580 мВ при 20 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФАФ1008Г C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sfaf1008gc0g-datasheets-4369.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | 10 недель | ИТО-220АС | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 140пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS212AMC | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/rohm-scs212amc-datasheets-0238.pdf | ТО-220-2 Полный пакет | Без свинца | 2 | 12 недель | Нет СВХК | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | 37 Вт | НЕ УКАЗАН | СКС212 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | 12А | 1,55 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 170А | 240 мкА | 650В | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 650В | 12А | 1 | 438пФ @ 1В 1МГц | 240 мкА при 600 В | 1,55 В при 12 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4938-1 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/microsemi-1n49381-datasheets-0217.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | Без свинца | 2 | 6 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | Нет | 8541.10.00.70 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 100 мА | 1В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 200В | 2А | 50 нс | Стандартный | 175В | 100 мА | 0,1 А | 100 нА при 175 В | 1 В при 100 мА | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦПБ10У45С С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tspb10u45ss1g-datasheets-4213.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 14 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45В | 300 мкА | Шоттки | 275А | 1 | 10А | 45В | 300 мкА при 45 В | 460 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТТХ810ДИ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth810di-datasheets-4389.pdf | 1кВ | 8А | ТО-220-3 | 7пФ | 10,4 мм | 15,9 мм | 4,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | СТТХ810 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 8А | 8А | 2В | 60А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60А | 5 мкА | 1кВ | 60А | 100 В | 85 нс | 85 нс | Стандартный | 1кВ | 8А | 1 | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 2 В @ 8 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||
| BYC8X-600P, 127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | 2 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | BYC8-600 | 175°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | МОЩНОСТЬ СВЕРХБЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 20 мкА | ТО-220АС | 18нс | Стандартный | 100А | 1 | 600В | 20 мкА при 600 В | 1,9 В при 8 А | 8А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TST40L60CW C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tst40l60cwc0g-datasheets-4399.pdf | ТО-220-3 | 14 недель | ТО-220АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 630 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCS106AGC | РОМ Полупроводник | 2,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-scs106agc-datasheets-4405.pdf | ТО-220-2 | Без свинца | 2 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | 48 Вт | 175°С | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 6А | 1,5 В | 24А | 120 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 120 мкА | 600В | 24А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 600В | 6А | 6А | 260пФ @ 1В 1МГц | 120 мкА при 600 В | 1,5 В при 6 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-ЭПУ6006-Н3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsepu6006n3-datasheets-4412.pdf | ТО-247-2 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | 2 | 14 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | Общий катод | НЕ УКАЗАН | 1 | 60А | 1,4 В | 220А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600А | 30 мкА | 600В | 110 нс | 30 нс | Стандартный | 600В | 60А | 1 | 600В | 30 мкА при 600 В | 1,5 В при 60 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D06065I | Кри/Вулфспид | $3,54 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | ТО-220-2 Изолированная вкладка | 6 недель | ТО-220-2 Изолированная вкладка | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 295пФ при 0 В 1 МГц | 650В | 50 мкА при 650 В | 1,7 В при 6 А | 13А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТТХ12Р06Г | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth12r06g-datasheets-4313.pdf | 600В | 12А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STTH12R | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 12А | 12А | 2,9 В | 100А | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 45 мкА | 600В | 100А | 600В | 45 нс | 25 нс | Стандартный | 600В | 12А | 1 | 45 мкА при 600 В | 2,9 В при 12 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| РХРП8120-F102 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-mbr10100g-datasheets-5663.pdf | ТО-220-2 | 6 недель | 2,16 г | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Одинокий | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100А | 1,2 кВ | 70нс | Стандартный | 1200В | 100 мкА при 1200 В | 3,2 В при 8 А | 8А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР6045WT | Литтелфус Инк. | $4,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МБР | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/littelfuseinc-mbr6045wt-datasheets-4334.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | ТО-247АД | 60А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 30А | 1400пФ @ 5В 1МГц | 45В | 1 при мА 45 В | 650 мВ при 30 А | 30А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH31AC06SWL | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth31ac06swl-datasheets-4337.pdf | ТО-247-3 | 3 | 11 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | МЯГКИЙ ФАКТОР 2,2 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СТТХ31 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | ОДИНОКИЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 65 нс | Стандартный | 600В | 30А | 150А | 1 | 600В | 10 мкА при 600 В | 2 В при 30 А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH5R06B | СТМикроэлектроника | 1,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stth5r06b-datasheets-4263.pdf | 600В | 5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | STTH5R06 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 5А | 5А | 2,9 В | 50А | КАТОД | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 20 мкА | 600В | 50А | 600В | 40 нс | 25 нс | Стандартный | 600В | 5А | 1 | 20 мкА при 600 В | 2,9 В при 5 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||
| МБР860МФСТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mbr860mfst1g-datasheets-4339.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 5 | 5 недель | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 мкА | 60В | 150А | Шоттки | 60В | 8А | 1 | 8А | 150 мкА при 60 В | 800 мВ при 8 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-6EVX06HM3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vs6evx06hm3i-datasheets-4266.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | СлимДПАК | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 18нс | Стандартный | 600В | 5 мкА при 600 В | 3,1 В при 6 А | 6А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3D04065A | Кри/Вулфспид | 2,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Z-Rec® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2007 год | ТО-220-2 | 6 недель | Неизвестный | 2 | 75 Вт | Одинокий | ТО-220-2 | 6А | 1,8 В | 110А | 60 мкА | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 31,9А | 650В | 110А | 0 с | Карбид кремния Шоттки | 650В | 4А | 251пФ при 0 В 1 МГц | 650В | 60 мкА при 650 В | 1,8 В при 4 А | 13,5 А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC15X-600PQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | BYC15-600 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 18нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 3,2 В при 15 А | 15А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SE10DBHM3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-se10djm3i-datasheets-4078.pdf | ТО-263-3, вариант Д2Пак (2 отведения + вкладка) | 2 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 15 мкА | ТО-263АС | 3 мкс | Стандартный | 100 В | 3А | 110А | 1 | 3А | 67пФ @ 4В 1МГц | 15 мкА при 100 В | 1,15 В @ 10 А | 3А постоянного тока | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦПБ15У50С С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 1,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tspb15u50ss1g-datasheets-4151.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 14 недель | СМПК4.0 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 50В | 2 при мА 50 В | 560 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TST30L150CW C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | 2,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tst30l150cwc0g-datasheets-4288.pdf | ТО-220-3 | 3 | 14 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 150°С | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | ОБЩИЙ КАТОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 100 мкА | ТО-220АБ | Шоттки | 200А | 1 | 15А | 150 В | 100 мкА при 150 В | 920 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-Э4ПУ6006ЛХН3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, FRED Pt® | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vse4pu6006lhn3-datasheets-4291.pdf | ТО-247-2 | 14 недель | ТО-247АД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 74нс | Стандартный | 600В | 50 мкА при 600 В | 1,7 В при 60 А | 60А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH30L06WY | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth30l06wy-datasheets-4294.pdf | DO-247-2 (прямые выводы) | 2 | 11 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | СТТХ30 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | 1,55 В | 300А | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 80 мкА | 600В | 300А | 600В | 90 нс | 500 нс | Стандартный | 600В | 30А | 1 | 25 мкА при 600 В | 1,55 В при 30 А | -40°К~175°К |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.