Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СБ20-03П-ТД-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-sb2003ptde-datasheets-3629.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 7 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | 2А | 20А | 100 мкА | КАТОД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30 В | 20А | 20 нс | 20 нс | Шоттки | 30 В | 2А | 1 | 2А | 70пФ @ 10В 1МГц | 100 мкА при 15 В | 550 мВ при 2 А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SDURD560ATR | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭШ2ПБ-М3/84А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-esh2pbm384a-datasheets-3411.pdf | ДО-220АА | 3,61 мм | 1,15 мм | 2,18 мм | 2 | 27 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 2А | 980 мВ | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 1 мкА | 100 В | 50А | 25 нс | Стандартный | 100 В | 2А | 1 | 2А | 25пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 100 В | 980 мВ при 2 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||
| С2Б Р5Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-s2gr5g-datasheets-3281.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 8 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 100 В | 1 мкА | 1,5 мкс | Стандартный | 50А | 1 | 2А | 30пФ @ 4В 1МГц | 100 В | 1 мкА при 100 В | 1,15 В при 2 А | 2А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYG24J-E3/ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byg24je3tr-datasheets-3713.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 10 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | BYG24J | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 1,5 А | 1,25 В | 30А | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 600В | 30А | 600В | 140 нс | 140 нс | лавина | 600В | 1,5 А | 1 | 1 мкА при 600 В | 1,25 В при 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||
| CDBC360-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/comchiptechnology-cdbc360hf-datasheets-3492.pdf | ДО-214АБ, СМК | 2 | 12 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500 мкА | Шоттки | 60В | 3А | 70А | 1 | 3А | 250пФ @ 4В 1МГц | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 3 А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭС2Г-М3/52Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-es2gm352t-datasheets-3674.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 22 недели | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 нс | Стандартный | 400В | 2А | 50А | 1 | 2А | 15пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 2 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| В8ПМ10С-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | эСМП®, ТМБС® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-v8pm10sm3h-datasheets-3726.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 10 недель | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 В | 200 мкА | ТО-277А | Шоттки | 120А | 1 | 3,5 А | 860пФ @ 4В 1МГц | 100 В | 200 мкА при 100 В | 780 мВ при 8 А | 8А | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS3GB R5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-hs3jbr5g-datasheets-0593.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 20 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 10 мкА | 50 нс | Стандартный | 100А | 1 | 3А | 80пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМСШ-3Э ТР ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmssh3setrpbfree-datasheets-2865.pdf | СК-70, СОТ-323 | 35 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 40В | 5нс | Шоттки | 0,75 А | 0,2 А | 7пФ @ 1В 1МГц | 40В | 500 нА при 25 В | 1 В @ 200 мА | 200 мА постоянного тока | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С3Г В7Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | 10 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,5 мкс | Стандартный | 60пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,15 В при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГИ504-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gi504e354-datasheets-3559.pdf | ДО-201АД, Осевой | Без свинца | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | GI504 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,1 В | 100А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | 100А | 400В | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 400В | 3А | 1 | 3А | 28пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 9,4 А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ES2B R5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-es2gr5g-datasheets-0339.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 10 мкА | 35 нс | Стандартный | 50А | 1 | 2А | 25пФ @ 4В 1МГц | 100 В | 10 мкА при 100 В | 950 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES2DAHR3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-es2jar3g-datasheets-7790.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 25пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 950 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С2МНЕ3_А/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-s2jhe3ah-datasheets-0620.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 11 недель | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | Одинокий | 30 | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 1кВ | 50А | 2 мкс | Стандартный | 1кВ | 1,5 А | 1 | 16пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,15 В @ 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES2CA R3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-es2jar3g-datasheets-7790.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 10 мкА | 35 нс | Стандартный | 50А | 1 | 2А | 25пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 10 мкА при 150 В | 950 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СММСД301Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmsd701t1g-datasheets-7642.pdf | СОД-123 | Без свинца | 2 недели | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.60 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ММСД301 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 200 мА | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 200нА | 30 В | Шоттки | 30 В | 200 мА | 1,5 пФ @ 0 В 1 МГц | 200 нА при 25 В | 600 мВ при 10 мА | 200 мА постоянного тока | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС22 Р5Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss210r5g-datasheets-0441.pdf | ДО-214АА, СМБ | 10 недель | ДО-214АА (СМБ) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 20 В | 400 мкА при 20 В | 500 мВ при 2 А | 2А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ055Л-60ДДТЕ25 | РОМ Полупроводник | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rb055l60ddte25-datasheets-3455.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 10 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 70 мкА | Шоттки | 60В | 3А | 70А | 1 | 3А | 60В | 70 мкА при 60 В | 680 мВ при 3 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S3JBHR5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-s3jbhr5g-datasheets-3481.pdf | ДО-214АА, СМБ | 20 недель | ДО-214АА (СМБ) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,5 мкс | Стандартный | 40пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,15 В при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРС160-М3/52Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-murs160m352t-datasheets-3503.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 22 недели | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | Одинокий | 1 | 1,25 В | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 35А | 5 мкА | 75 нс | Стандартный | 600В | 1А | 1 | 2А | 5 мкА при 600 В | 1,25 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С3АБ Р5Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-s3jbhr5g-datasheets-3481.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 8 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50В | 10 мкА | 1,5 мкс | Стандартный | 80А | 1 | 3А | 40пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,15 В при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH1R02Q | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth1r02qrl-datasheets-9114.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 6,75 мм | 3,53 мм | 3,53 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | СТТХ1 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,5 А | 1,2 В | 60А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60А | 3 мкА | 200В | 60А | 200В | 30 нс | 30 нс | Стандартный | 200В | 1,5 А | 1 | 3 мкА при 200 В | 1 В при 1,5 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||
| ХС3ДБ Р5Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,83 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-hs3jbr5g-datasheets-0593.pdf | ДО-214АА, СМБ | 20 недель | ДО-214АА (СМБ) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 80пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 3 А | 3А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГФ1ДЖ-Е3/67А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rgf1ge367a-datasheets-0605.pdf | ДО-214БА | Без свинца | 2 | 16 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | RGF1J | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,3 В | 30А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 600В | 30А | 250 нс | 250 нс | Стандартный | 600В | 1А | 1А | 8,5 пФ @ 4 В 1 МГц | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||
| CMUD4448 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmud4448trpbfree-datasheets-3537.pdf | СК-89, СОТ-490 | 20 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 4нс | Стандартный | 4А | 0,25 А | 4пФ @ 0В 1МГц | 75В | 25 нА при 20 В | 1 В при 100 мА | 250 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УГ2Д А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ug2da0g-datasheets-3396.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 2 | 16 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 150°С | 1 | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 5 мкА | 25нс | Стандартный | 80А | 1 | 2А | 35пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 950 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУ1ПГ-М3/84А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-au1pdm384a-datasheets-3222.pdf | ДО-220АА | Без свинца | 27 недель | Неизвестный | 2 | Олово | Нет | AU1PG | Одинокий | ДО-220АА (СМП) | 1А | 1,5 В | 30А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30А | 1 мкА | 400В | 30А | 400В | 75 нс | 75 нс | лавина | 400В | 1А | 11пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,5 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС26 Р5Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss210r5g-datasheets-0441.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 20 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60В | 400 мкА | Шоттки | 50А | 1 | 2А | 60В | 400 мкА при 60 В | 700 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХС2ДА Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ДО-214АС, СМА | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 5 мкА | 50 нс | Стандартный | 50А | 1 | 1,5 А | 50пФ @ 4В 1МГц | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К |
