Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4936 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4936trpbfree-datasheets-3191.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 98 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200 нс | Стандартный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,2 В при 1 А | 1А | -65°К~200°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS2JAHR3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs2aar3g-datasheets-2423.pdf | ДО-214АС, СМА | 10 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 250 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В @ 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS2FA R3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300В | 5 мкА | 50 нс | Стандартный | 50А | 1 | 1,5 А | 50пФ @ 4В 1МГц | 300В | 5 мкА при 300 В | 1 В при 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HS2BA R3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ДО-214АС, СМА | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 В | 5 мкА | 50 нс | Стандартный | 50А | 1 | 1,5 А | 50пФ @ 4В 1МГц | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMUSH2-4 ТР PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmush24atrpbfree-datasheets-3123.pdf | СК-89, СОТ-490 | 20 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 40В | 5нс | Шоттки | 0,6А | 0,2 А | 10пФ @ 1В 1МГц | 40В | 500 нА при 25 В | 750 мВ при 100 мА | 200 мА | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СК510ТР | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ДО-214АБ, СМК | 17 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200пФ @ 4В 1МГц | 100 В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBMT1150-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-cdbmt1100hf-datasheets-6490.pdf | СОД-123Н | 2 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ЦДБМТ1150 | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Ф2 | 25А | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | Шоттки | 150 В | 1А | 1А | 120пФ @ 4В 1МГц | 500 мкА при 150 В | 920 мВ при 1 А | 1А постоянного тока | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS2GAHR3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs2aar3g-datasheets-2423.pdf | ДО-214АС, СМА | 10 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 150 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В @ 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС2МА Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs2aar3g-datasheets-2423.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,3 В @ 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭШ1С Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-esh1cr3g-datasheets-2467.pdf | ДО-214АС, СМА | 10 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 15 нс | Стандартный | 16пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 1 мкА при 150 В | 950 мВ при 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС23МХРСГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ss23mrsg-datasheets-2545.pdf | 2-СМД, плоский вывод | 2 | 12 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30 В | 150 мкА | Шоттки | 25А | 1 | 2А | 35пФ @ 4В 1МГц | 30 В | 150 мкА при 30 В | 600 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SL04-E3-18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-sl04e318-datasheets-2727.pdf | ДО-219АБ | 11 недель | SL04 | ДО-219АБ (СМФ) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 10 нс | Шоттки | 65пФ @ 4В 1МГц | 40В | 20 мкА при 40 В | 540 мВ при 1,1 А | 1,1А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES2AAHR3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-es2jar3g-datasheets-7790.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 25пФ @ 4В 1МГц | 50В | 10 мкА при 50 В | 950 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS26LWHRVG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | СОД-123W | 10 недель | СОД-123W | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 200 мкА при 60 В | 700 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЭ10ПБ-М3/84А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-se10pjm384a-datasheets-2680.pdf | ДО-220АА | 3,61 мм | 1,15 мм | 2,18 мм | 2 | 27 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | SE10PB | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,05 В | КАТОД | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 25А | 5 мкА | 100 В | 25А | 780 нс | Стандартный | 100 В | 1А | 1А | 5 мкА при 100 В | 1,05 В при 1 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||
| РС2КА Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs2aar3g-datasheets-2423.pdf | ДО-214АС, СМА | 10 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 нс | Стандартный | 50пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,3 В @ 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES2FAHR3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-es2jar3g-datasheets-7790.pdf | ДО-214АС, СМА | 20 недель | ДО-214АС (СМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 20пФ @ 4В 1МГц | 300В | 10 мкА при 300 В | 1,3 В при 2 А | 2А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYG21MHR3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-byg21mr3g-datasheets-9760.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000В | 1 мкА | 120 нс | лавина | 50А | 1 | 1,5 А | 13пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,6 В @ 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES1CL РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-es1dlrvg-datasheets-8322.pdf | ДО-219АБ | 2 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 35 нс | Стандартный | 1А | 10пФ @ 4В 1МГц | 150 В | 5 мкА при 150 В | 950 мВ при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС215Л РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss24lrvg-datasheets-9409.pdf | ДО-219АБ | 2 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 В | 100 мкА | Шоттки | 50А | 1 | 2А | 150 В | 100 мкА при 150 В | 850 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС1ФЛ3-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-ss1fl3m3h-datasheets-2831.pdf | ДО-219АБ | 13 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 130пФ @ 4В 1МГц | 30 В | 200 мкА при 30 В | 480 мВ при 1 А | 1А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС1ФЛ4-М3/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-ss1fl4m3h-datasheets-2835.pdf | ДО-219АБ | 13 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 1А | 115пФ @ 4В 1МГц | 40В | 200 мкА при 40 В | 500 мВ при 1 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS1H4LS РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss1h4lsrvg-datasheets-2776.pdf | СОД-123Н | 10 недель | СОД-123ХЭ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 1 мкА при 40 В | 650 мВ при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС22М РСГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss23mrsg-datasheets-2545.pdf | 2-СМД, плоский вывод | 2 | 12 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 20 В | 150 мкА | Шоттки | 25А | 1 | 2А | 35пФ @ 4В 1МГц | 20 В | 150 мкА при 20 В | 600 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС24МХРСГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ss23mrsg-datasheets-2545.pdf | 2-СМД, плоский вывод | 2 | 12 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40В | 150 мкА | Шоттки | 25А | 1 | 2А | 35пФ @ 4В 1МГц | 40В | 150 мкА при 40 В | 600 мВ при 2 А | 2А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС24ЛВХРВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | СОД-123W | 2 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 125°С | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40В | 200 мкА | Шоттки | 50А | 1 | 2А | 40В | 200 мкА при 40 В | 550 мВ при 2 А | 2А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХС2КА Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 800В | 5 мкА | 75нс | Стандартный | 50А | 1 | 1,5 А | 30пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,7 В @ 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРД540ТР | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 17 недель | ДПАК | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 190пФ @ 5В 1МГц | 40В | 15 при мА 40 В | 700 мВ при 5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1GMHRSG | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2-СМД, плоский вывод | 2 | 14 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | 780 нс | Стандартный | 1А | 5пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SB05-03Q-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-sb0503qtle-datasheets-2779.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | 500 мА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3А | 30 мкА | 30 В | 3А | 10 нс | Шоттки | 30 В | 500 мА | 0,5 А | 16пФ @ 10В 1МГц | 30 мкА при 15 В | 550 мВ при 500 мА | -55°К~125°К |
