Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СС13ЛХРВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss16lr3g-datasheets-9091.pdf | ДО-219АБ | 10 недель | Суб-SMA | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30В | 400 мкА при 30 В | 500 мВ при 1 А | 1А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС110LS РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss14lsrvg-datasheets-8533.pdf | СОД-123Н | 10 недель | СОД-123ХЭ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 80пФ @ 4В 1МГц | 100В | 50 мкА при 100 В | 800 мВ при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES3A-E3/57T | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-es3ae357t-datasheets-1550.pdf | 50В | 3А | ДО-214АБ, СМК | 45пФ | 8,13 мм | Без свинца | 2 | 21 неделя | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | ES3A | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 900 мВ | 100А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 10 мкА | 50В | 100А | 50В | 20 нс | 30 нс | Стандартный | 50В | 3А | 1 | 45пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 50 В | 900 мВ при 3 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS16LWHRVG | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОД-123W | 10 недель | СОД-123W | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 100 мкА при 60 В | 700 мВ при 1 А | 1А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ751Г-40-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-rb751g40tp-datasheets-2037.pdf | СОД-723 | 2 | 12 недель | да | EAR99 | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | РБ751Г-40 | 2 | 125°С | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | Шоттки | 0,03 А | 2пФ @ 1В 1МГц | 30В | 500 нА при 30 В | 370 мВ при 1 мА | 30 мА | 125°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР12100ЛПС-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microcommercialco-mbr12100lpstp-datasheets-2026.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 250 мкА | ТО-277Б | Шоттки | 250А | 1 | 12А | 100В | 250 мкА при 100 В | 800 мВ при 12 А | 12А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LL46-GS08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ll46gs08-datasheets-2071.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 3,7 мм | 1,6 мм | 1,6 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | Нет | 150 мА | 8541.10.00.70 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | 100В | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 250 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Выпрямительные диоды | 125°С | 125°С | 150 мА | 1В | 750 мА | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 750 мА | 5 мкА | 100В | 750 мА | 100В | Шоттки | 100В | 150 мА | 10 пФ @ 0 В 1 МГц | 5 мкА при 75 В | 1 В @ 250 мА | 125°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПР15Е3/ТР7 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-upr15e3tr7-datasheets-2020.pdf | 150 В | 2,5 А | ДО-216АА | 2,03 мм | 1,14 мм | 2,03 мм | Без свинца | 1 | 18 недель | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | УПО15 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | С-ПДСО-Г1 | 2,5 А | 2,5 А | 975мВ | 25А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 2мкА | 150 В | 25А | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 150 В | 2,5 А | 1 | 150 В | 2 мкА при 150 В | 975 мВ при 2 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС13ЛШРВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss14lsrvg-datasheets-8533.pdf | СОД-123Н | 2 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 125°С | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30В | Шоттки | 1А | 80пФ @ 4В 1МГц | 30В | 400 мкА при 30 В | 500 мВ при 1 А | 1А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБ5200ТА | Диодные решения SMC | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-201АД, Осевой | 17 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200В | 1 при мА 200 В | 1,1 В при 5 А | 5А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР5Х100МФСТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mbr5h100mfst1g-datasheets-1960.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 4 недели | 506,605978мг | Нет СВХК | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | МБР5Х100 | 5 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 5А | 730 мВ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 13 мА | 100В | 200А | Шоттки | 100В | 5А | 1 | 5А | 100 мкА при 100 В | 730 мВ при 5 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСТ860С | Литтелфус Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/littelfuseinc-dst860s-datasheets-1586.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 23 недели | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 502пФ @ 5В 1МГц | 60В | 600 мкА при 60 В | 610 мВ при 8 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJPX-H6VR | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-sjpxh6vr-datasheets-1598.pdf | 2-SMD, J-вывод | 12 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30 нс | Стандартный | 600В | 2А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,5 В при 2 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБРТ15У50СП5-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-sbrt15u50sp57-datasheets-2000.pdf | PowerDI™ 5 | 3 | 24 недели | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 500 мкА | Супер Барьер | 50В | 15А | 290А | 1 | 50В | 500 мкА при 50 В | 470 мВ при 15 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5627-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5625tap-datasheets-1963.pdf | СОД-64, Осевой | Без свинца | 2 | 17 недель | 2 | нет | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | Нет | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 1В | 100А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 800В | 100А | 800В | 7,5 мкс | 6 мкс | лавина | 800В | 3А | 1 | 3А | 60пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 200 В | 1 В при 3 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С2ГА Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-s2gar3g-datasheets-2009.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400В | 10 мкА | 1,5 мкс | Стандартный | 50А | 1 | 2А | 30пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH3R06RL | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth3r06u-datasheets-1989.pdf | 600В | 3А | ДО-201АД, Осевой | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ПРОВОЛОКА | STTH3R | 2 | Одинокий | 1 | 3А | 3А | 1,7 В | 55А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 55А | 3 мкА | 600В | 55А | 600В | 35 нс | 30 нс | Стандартный | 600В | 3А | 1 | 3 мкА при 600 В | 1,7 В при 3 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYW82-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byw82tr-datasheets-2018.pdf | 3А | СОД-64, Осевой | 2 | 17 недель | 2 | да | EAR99 | Серебро, Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ПРОВОЛОКА | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 1В | 100А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1 мкА | 200В | 100А | 200В | 7,5 мкс | 6 нс | лавина | 200В | 3А | 1 | 3А | 60пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 200 В | 1 В при 3 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С1КЛ Р3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-s1mr3g-datasheets-8328.pdf | ДО-219АБ | 2 | 10 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 800В | 1,8 мкс | Стандартный | 1А | 9пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RS1JL R3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-rs1klrvg-datasheets-8026.pdf | ДО-219АБ | 10 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 250 нс | Стандартный | 10пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В @ 800 мА | 800мА | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-6ЭВХ06ФНТР-М3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs6ewh06fntrm3-datasheets-1939.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 14 недель | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6EWH06 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 6А | 70А | КАТОД | ГИПЕР-УЛЬТРА-БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | 600В | 70А | 600В | ТО-252АА | 27 нс | 18 нс | Стандартный | 600В | 6А | 1 | 6А | 50 мкА при 600 В | 2,1 В при 6 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСКЫ10401406-G4-08 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsky10401406g408-datasheets-2049.pdf | 0502 (1406 Метрическая единица) | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 225пФ @ 0В 1МГц | 40В | 100 мкА при 40 В | 490 мВ при 1 А | 1А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5625-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5625tap-datasheets-1963.pdf | СОД-64, Осевой | 40пФ | 2 | 17 недель | Неизвестный | 2 | нет | EAR99 | МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИ СВЯЗАННЫЙ | Свинец, Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ПРОВОЛОКА | 260 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 1В | 100А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 100А | 1 мкА | 400В | 100А | 400В | 7,5 мкс | 6 мкс | лавина | 400В | 3А | 1 | 3А | 60пФ @ 4В 1МГц | 1 мкА при 200 В | 1 В при 3 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРВТС12100ЕМФСТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nrvts12100emfst1g-datasheets-1861.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 2 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Ф5 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 55 мкА | Шоттки | 100В | 12А | 200А | 1 | 100В | 55 мкА при 100 В | 730 мВ при 12 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСП10У120С С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsp10u100ss1g-datasheets-7259.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 14 недель | ТО-277А (СМПК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 120 В | 150 мкА при 120 В | 780 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР460 А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 1,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-mur460a0g-datasheets-1971.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 10 мкА | 50 нс | Стандартный | 125А | 1 | 4А | 65пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,28 В при 4 А | 4А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДР5КФ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-pdr5kf13-datasheets-1841.pdf | PowerDI™ 5 | 3 | 19 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 500 нс | Стандартный | 800В | 5А | 250А | 1 | 5А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,2 В при 5 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DST8100S-А | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/littelfuseinc-dst8100sa-datasheets-1839.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 23 недели | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 8А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 70 мкА | ТО-277Б | Шоттки | 1 | 542пФ @ 5В 1МГц | 100В | 70 мкА при 100 В | 680 мВ при 8 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС3Х9-Е3/57Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ss3h9e357t-datasheets-1871.pdf | 90В | 3А | ДО-214АБ, СМК | 7,11 мм | 2,62 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | Стандартный | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | СС3Х9 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 175°С | 3А | 3А | 800мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 20 мкА | 90В | 100А | 90В | Шоттки | 90В | 3А | 1 | 20 мкА при 90 В | 800 мВ при 3 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-4EWH02FNTR-M3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, FRED Pt® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs4ewh02fntrm3-datasheets-1878.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 14 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | 8541.10.00.80 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 4А | 950 мВ | 80А | КАТОД | ГИПЕРБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 80А | 3 мкА | 200В | 200В | ТО-252АА | 20 нс | 23 нс | Стандартный | 200В | 4А | 1 | 4А | 3 мкА при 200 В | 950 мВ при 4 А | -65°К~175°К |
