Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMMR1U-04 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmmr1u06trpbfree-datasheets-1970.pdf | СОД-123Ф | 10 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 400В | 50 нс | Стандартный | 30А | 1А | 9пФ @ 4В 1МГц | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,4 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРС140-Е3/52Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-murs140e352t-datasheets-0820.pdf | 400В | 1А | ДО-214АА, СМБ | 4,5466 мм | 2,24 мм | 3,937 мм | Без свинца | 2 | 22 недели | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | МУРС140 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 2А | 1,25 В | 35А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400А | 5 мкА | 400В | 35А | 400В | 75 нс | 75 нс | Стандартный | 400В | 2А | 1 | 5 мкА при 400 В | 1,25 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП02-20-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-gp0240e354-datasheets-3946.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 22 недели | 2 | Нет | ГП02-20 | Одинокий | ДО-204АЛ (ДО-41) | 3В | 15А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 5 мкА | 2кВ | 15А | 2кВ | 2 мкс | 2 мкс | Стандартный | 2кВ | 250 мА | 2000В | 5 мкА при 2000 В | 3 В при 1 А | 250 мА | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГФ1Г-Е3/67А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rgf1ge367a-datasheets-0605.pdf | ДО-214БА | 4,75 мм | 2,74 мм | 2,9 мм | Без свинца | 16 недель | Неизвестный | 2 | Нет | РГФ1Г | Одинокий | ДО-214БА (ГФ1) | 1А | 1,3 В | 30А | 5 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 30А | 5 мкА | 400В | 30А | 150 нс | 150 нс | Стандартный | 400В | 1А | 8,5 пФ @ 4 В 1 МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМР1-06М ТР13 ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmr106mtr13pbfree-datasheets-0787.pdf | ДО-214АС, СМА | 14 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 600В | Стандартный | 30А | 1А | 8пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-4ЭШ01-М3/86А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФРЕД Пт® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vs4esh01m386a-datasheets-0853.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ГИПЕРБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 2мкА | ТО-277А | 20 нс | Стандартный | 100В | 4А | 130А | 1 | 4А | 100В | 2 мкА при 100 В | 930 мВ при 4 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВССБ410С-Е3/52Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vssb410se352t-datasheets-0729.pdf | ДО-214АА, СМБ | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | ВССБ410С | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 4А | 770 мВ | 80А | 250 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250 нА | 100В | 80А | Шоттки | 100В | 1,9 А | 1 | 230пФ @ 4В 1МГц | 250 мкА при 100 В | 770 мВ при 4 А | 1,9 А постоянного тока | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УФ5407-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-uf5408e354-datasheets-1318.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | 8 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | UF5407 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 1,7 В | 150А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150А | 10 мкА | 800В | 150А | 800В | 75 нс | 75 нс | Стандартный | 800В | 3А | 1 | 3А | 36пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 800 В | 1,7 В при 3 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMMR1-06 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmmr106trpbfree-datasheets-0876.pdf | СОД-123Ф | 17 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 600В | Стандартный | 30А | 1А | 6пФ @ 4В 1МГц | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES3D R7G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | 2 | 17 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 10 мкА | 35 нс | Стандартный | 100А | 1 | 3А | 45пФ @ 4В 1МГц | 200В | 10 мкА при 200 В | 950 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СР506 АГ0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sr506a0g-datasheets-0793.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | 9 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | АЭК-Q101 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60В | 500 мкА | Шоттки | 120А | 1 | 5А | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРВБС260Т3Г-ВФ01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nrvbs260t3gvf01-datasheets-0689.pdf | ДО-214АА, СМБ | 5 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 200 мкА при 60 В | 630 мВ при 2 А | 2А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С3Д-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microcommercialco-s3atp-datasheets-0942.pdf | ДО-214АБ, СМК | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | С3Д | 2 | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 200В | Стандартный | 100А | 1 | 3А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С3Б-Е3/57Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-s3de357t-datasheets-0694.pdf | 100В | 3А | ДО-214АБ, СМК | 60пФ | 7,11 мм | 2,42 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | С3Б | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 1,15 В | 100А | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 100А | 10 мкА | 100В | 100А | 100В | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 100В | 3А | 1 | 60пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 100 В | 1,15 В @ 2,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СК34Б Р5Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sk34br5g-datasheets-0769.pdf | ДО-214АА, СМБ | 20 недель | ДО-214АА (СМБ) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 500 мкА при 40 В | 500 мВ при 3 А | 3А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭГП20Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-egp20d-datasheets-0711.pdf | 200В | 2А | 3,6 мм | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 70пФ | 7,6 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | 300мг | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ПРОВОЛОКА | ЭГП20Д | Одинокий | 3,15 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 2А | 2А | 950 мВ | 75А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 75А | 5 мкА | 200В | 75А | 200В | 50 нс | 50 нс | Стандартный | 200В | 2А | 1 | 70пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 200 В | 950 мВ при 2 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС2К-Е3/52Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-rs2ke352t-datasheets-0618.pdf | 800В | 2А | ДО-214АА, СМБ | 17пФ | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | РС2К | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1,5 А | 1,5 А | 1,3 В | 50А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 50А | 500 нс | 150 нс | Стандартный | 800В | 1,5 А | 1 | 17пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 800 В | 1,3 В @ 1,5 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н459А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-1n459a-datasheets-0782.pdf | 200В | 500 мА | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 12,7 мм | 12,7 мм | 12,7 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 80г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | ПРОВОЛОКА | 1Н459 | Одинокий | 500мВт | 1 | Выпрямительные диоды | 500 мА | 500 мА | 1В | 4А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 4А | 25нА | 200В | 4А | 200В | Стандартный | 200В | 500 мА | 6пФ @ 0В 1МГц | 25 нА при 175 В | 1 В при 100 мА | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СДЖПЛ-Д2ВЛ | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-sjpld2vl-datasheets-0814.pdf | 2-SMD, J-вывод | 12 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Стандартный | 200В | 1А | 200В | 25 мкА при 200 В | 980 мВ при 1 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БИТ52М-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byt52mtr-datasheets-0791.pdf | 1,4 А | СОД-57, Осевой | Без свинца | 2 | 12 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | Серебро, Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ПРОВОЛОКА | БЮТ52 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,4 А | 1,3 В | 50А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 5 мкА | 1кВ | 50А | 1кВ | 200 нс | 200 нс | лавина | 1кВ | 1,4 А | 0,85 А | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,3 В при 1 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС2ДЖ-Е3/52Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rs2ke352t-datasheets-0618.pdf | 600В | 1,5 А | ДО-214АА, СМБ | 17пФ | 4,57 мм | 2,24 мм | 3,94 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 15А | 8541.10.00.80 | е3 | 600В | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | RS2J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1,5 А | 1,5 А | 1,3 В | 50А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 5 мкА | 600В | 50А | 600В | 250 нс | 150 нс | Стандартный | 600В | 1,5 А | 1 | 17пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 600 В | 1,3 В @ 1,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| RF202LAM2STFTR | РОМ Полупроводник | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | СОД-128 | 20 недель | 2А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25нс | Стандартный | 200В | 10 мкА при 200 В | 930 мВ при 2 А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВССБ310-М3/52Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТМБС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vssb310m352t-datasheets-0706.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 11 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250 мкА | Шоттки | 100В | 1,9 А | 80А | 1 | 230пФ @ 4В 1МГц | 100В | 250 мкА при 100 В | 700 мВ при 3 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СК42БЛ-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/microcommercialco-sk44bltp-datasheets-0594.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | СК42 | 2 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 20 В | Шоттки | 100А | 1 | 4А | 20 В | 500 мкА при 20 В | 450 мВ при 4 А | 4А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV26E-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byv26etr-datasheets-1231.pdf | 1А | СОД-57, Осевой | 4,2 мм | 3,6 мм | 3,6 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | Серебро, Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn96.5Ag3.5) | ПРОВОЛОКА | BYV26E | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 175°С | 1А | 2,5 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 1кВ | 30А | 1,1 кВ | 75 нс | 75 нс | лавина | 1кВ | 1А | 1А | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 2,5 В при 1 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С3Д-Е3/57Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-s3de357t-datasheets-0694.pdf | 200В | 3А | ДО-214АБ, СМК | 60пФ | 7,0866 мм | 2,413 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | Нет | 3А | 8541.10.00.80 | е3 | 200В | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | С3Д | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 1,15 В | 100А | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 100А | 10 мкА | 200В | 100А | 200В | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 200В | 3А | 1 | 60пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 200 В | 1,15 В @ 2,5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||
| СС5П5-М3/87А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 1,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-ss5p6m386a-datasheets-7181.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | СС5П5 | 3 | Общий анод | 1 | Выпрямительные диоды | 5А | 690мВ | 150А | 150 мкА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 150 мкА | 50В | 150А | ТО-277А | Шоттки | 50В | 5А | 1 | 5А | 200пФ @ 4В 1МГц | 150 мкА при 50 В | 690 мВ при 5 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС140AY | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Q Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps140ay-datasheets-0654.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | СТПС140 | Одинокий | 1 | 1А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 12 мкА | 40В | 60А | Шоттки | 40В | 1А | 1А | 12 мкА при 40 В | 650 мВ при 2 А | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБ350-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-sb340e354-datasheets-1604.pdf | 5,3 мм | ДО-201АД, Осевой | 9,4996 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | СБ350 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 680мВ | 120А | 500 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 120А | 500 мкА | 50В | 120А | Шоттки | 50В | 3А | 1 | 3А | 500 мкА при 50 В | 680 мВ при 3 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ055Л-30ДДТЕ25 | РОМ Полупроводник | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rb055l30ddte25-datasheets-0586.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 16 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50 мкА | Шоттки | 30В | 3А | 55А | 1 | 3А | 30В | 50 мкА при 30 В | 550 мВ при 3 А | 150°С Макс. |
