Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСимисторы Тиристоры(5280)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Среднеквадратичный ток (Irms) | Конфигурация | Соединение корпуса | Ток утечки (макс.) | Удерживай ток | Код JEDEC-95 | Удержание максимального тока | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Напряжение — триггера затвора (Вгт) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Среднеквадратичное значение тока во включенном состоянии, максимальный ток | Макс. напряжение триггера затвора постоянного тока | Тип триака | Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ACTT6B-800CNJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Q8025PH5-E | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Qxx25xHx | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Фастпак, База ТО-3 | 11 недель | Одинокий | 800В | 25А | 1,3 В | 208А 250А | 50 мА | Альтернистор - без демпфера | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACTT16B-800CTNJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Одинокий | 800В | 16А | 30 мА | 1В | 140А 150А | 35 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Q8035PH5-D | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Qxx35xHx | Крепление на шасси | -25°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Фастпак, База ТО-3 | 11 недель | Одинокий | 800В | 35А | 75 мА | 2В | 290А 350А | 50 мА | Альтернистор - без демпфера | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR3FM-12RB#GA1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/renesaselectronicsamerica-bcr3fm12rbbb0-datasheets-2652.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | EAR99 | НЕТ | 3 | Симисторы | Одинокий | ТРИАК | 600В | 600В | 3А | 1,5 В | 30 А при 60 Гц | 15 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Q8040PH5-D | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Qxx40xx | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Фастпак, База ТО-3 | 11 недель | Одинокий | 800В | 40А | 75 мА | 1,3 В | 335А 400А | 50 мА | Альтернистор - без демпфера | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACTT12B-800CTJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Одинокий | 800В | 12А | 50 мА | 1В | 120А 132А | 35 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR16FM-14LB#FA0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/renesaselectronicsamerica-bcr16fm14lbbg0-datasheets-6697.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | Одинокий | ТРИАК | 800В | 16А | 1,5 В | 160 А при 60 Гц | 30 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACTT8B-800C0TJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Одинокий | 800В | 8А | 35 мА | 1В | 80А 88А | 30 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-12М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i12b-datasheets-2836.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 12А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 2,5 мА | 25 мА | 100 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 12А | 1,5 В | 50 мА | 500 В/мкс | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||
| БТ137-800G0Q | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | ТО-220-3 | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 8А | 40 мА | 1В | 65А 71А | 50 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-6MS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i6bs-datasheets-2897.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 6А | Одинокий | 15 мА | 600В | 6А | 1,5 В | 10 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-6DS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i6bs-datasheets-2897.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 6А | Одинокий | 15 мА | 400В | 6А | 1,5 В | 10 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-6D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | ОДИНОКИЙ | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | ТО-220АБ | 15 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 5мА | 400В | 6А | 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-25МФУ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22025mfp-datasheets-2878.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 25А | Одинокий | 50 мА | 600В | 25А | 2,5 В | 60 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-16B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i16m-datasheets-2884.pdf | ТО-220-3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | 16А | Одинокий | 50 мА | 200В | 16А | 1,5 В | 100 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-8DR | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i8dr-datasheets-2881.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 10 мА | 400В | 8А | 1,5 В | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||
| CQ220-8N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2208b-datasheets-2831.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 1,5 мА | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 8А | 2,5 В | 50 мА | 200 В/мкс | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||
| CQ220I-16М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i16m-datasheets-2884.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 16А | Одинокий | 50 мА | 600В | 16А | 1,5 В | 100 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ218-45M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-218-3 | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 45А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 80 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 45А | 1,5 В | 300 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||
| CQ220I-16D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i16m-datasheets-2884.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 16А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3мА | 50 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 16А | 1,5 В | 100 мА | 500 В/мкс | Внутренний запуск | 5 В/мкс | |||||||||||||||||
| Q8035PH5-E | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Qxx35xHx | Крепление на шасси | -25°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Фастпак, База ТО-3 | 11 недель | Одинокий | 800В | 35А | 75 мА | 2В | 290А 350А | 50 мА | Альтернистор - без демпфера | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-8M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i8d-datasheets-2875.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 2мА | 25 мА | ТО-220АБ | 50 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 8А | 1,5 В | 50 мА | 200 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||
| Q8035PH5-C | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Qxx35xHx | Крепление на шасси | -25°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | Фастпак, База ТО-3 | 11 недель | Одинокий | 800В | 35А | 75 мА | 2В | 290А 350А | 50 мА | Альтернистор - без демпфера | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-10D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i10b-datasheets-2822.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 10А | Одинокий | 25 мА | 400В | 10А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ218I-25D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-218-3 | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 25А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 80 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 25А | 1,5 В | 250 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||
| CQ220I-6BS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i6bs-datasheets-2897.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 6А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 15 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 200В | 200В | 6А | 1,5 В | 10 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||
| CQ220-12M3 СЛ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22012m3sl-datasheets-2900.pdf | ТО-220-3 | Одинокий | 600В | 12А | 1,3 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-8B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i8d-datasheets-2875.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 2мА | 25 мА | ТО-220АБ | 50 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 200В | 200В | 8А | 1,5 В | 50 мА | 200 В/мкс | Внутренний запуск | ||||||||||||||||
| CQ220-8NR | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 10 мА | 800В | 8А | 1,5 В | Внутренний запуск |
