Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСимисторы Тиристоры(5280)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Среднеквадратичный ток (Irms) | Конфигурация | Соединение корпуса | Ток утечки (макс.) | Удерживай ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Код JEDEC-95 | Удержание максимального тока | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Напряжение — триггера затвора (Вгт) (макс.) | Ток — нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Максимальный повторяющийся пиковый ток гашения в выключенном состоянии | Тип триака | Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CQ220-10M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22010n-datasheets-2781.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 10А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||
| CQ92B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq92dapm-datasheets-2746.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 1А | Одинокий | 2мА | 5мА | 10 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 200В | 200В | 1А | 2В | 50 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||
| CQ220-16МФУ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22016mfp-datasheets-2807.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 16А | Одинокий | 25 мА | 600В | 16А | 2,5 В | 75 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-25D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22025d-datasheets-2771.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 25А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 3мА | 50 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 25А | 2,5 В | 60 мА | 500 В/мкс | Внутренний запуск | 5 В/мкс | ||||||||||||||||||||
| CQ220-16N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22016b-datasheets-2763.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 16А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 1,5 мА | 25 мА | ТО-220АБ | 50 мА | ТРИАК | 800В | 50 мА | 800В | 16А | 2,5 В | 500 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||
| CQ92D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq92dapm-datasheets-2746.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 1А | Одинокий | 2мА | 5мА | 10 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 1А | 2В | 50 В/мкс | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||
| CQ220-12М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22012msl-datasheets-2792.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 12А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 1,5 мА | 25 мА | ТО-220АБ | 50 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 12А | 2,5 В | 50 мА | 500 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||
| CQ92MT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq92bt-datasheets-2722.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | да | 8541.30.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | НИЖНИЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 1А | Одинокий | 3мА | ТРИАК | 600В | 600В | 1А | 2В | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||
| CQ220-6DS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2206ds-datasheets-2816.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 6А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 10 мА | ТО-220АБ | 15 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 6А | 1,5 В | 5мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||
| CQ220-16D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22016b-datasheets-2763.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 16А | Одинокий | 25 мА | 400В | 16А | 2,5 В | 75 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-10N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22010n-datasheets-2781.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 10А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||
| CQ220-40N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-220-3 | ТО-220-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-10B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22010n-datasheets-2781.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 200В | 200В | 10А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||
| CQ220-10D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~110°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22010n-datasheets-2781.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 10А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||
| BCR16PM-16LH-1#C0A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | Медь, Олово | 16А | Одинокий | 800В | 1,5 В | 160 А при 60 Гц | 35 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-12M СЛ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22012msl-datasheets-2792.pdf | ТО-220-3 | Одинокий | 600В | 12А | 25 мА | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4M-2 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d2-datasheets-2648.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||
| CQ202-4N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d-datasheets-2668.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||
| CQ202-4MS-2 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024bs2-datasheets-2665.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 5мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 4А | 1,75 В | 9мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||
| CQ92-2М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq922m-datasheets-2718.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 3 | 2А | Одинокий | 5мА | 600В | 2А | 1,8 В | 8мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ92M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq92dapm-datasheets-2746.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 1А | Одинокий | 2мА | 5мА | 10 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 1А | 2В | 50 В/мкс | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||
| CQ92-2N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq922m-datasheets-2718.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 3 | 2А | Одинокий | 5мА | 800В | 2А | 1,8 В | 8мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ92BT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq92bt-datasheets-2722.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 1А | Одинокий | 2мА | 3мА | 10 мА | ТРИАК | 200В | 5мА | 200В | 1А | 2В | 50 В/мкс | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||
| CQ92DT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq92bt-datasheets-2722.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 1А | Одинокий | 2мА | 3мА | 10 мА | ТРИАК | 400В | 5мА | 400В | 1А | 2В | 50 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||
| CQ202-4N-2 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d2-datasheets-2648.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||
| БТА16-600БВ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Без демпфера™ | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/stmicroelectronics-btb16600crg-datasheets-6178.pdf | ТО-220-3 | 3 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | НЕТ | НЕ УКАЗАН | БТА16 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ТО-220АБ | 50 мА | БЕЗДЕМПФЕРИРУЮЩИЙ СИМИСТОР | 600В | 600В | 16А | 1,3 В | 160А 168А | 50 мА | 500 В/мкс | 10 мкА | Альтернистор - без демпфера | |||||||||||||||||||
| CQ202-4М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d-datasheets-2668.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||
| CQ202-4B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d-datasheets-2668.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 200В | 200В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||
| BCR6CM-12RA#BB0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamerica-bcr6cm12rabb0-datasheets-2739.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 3 | EAR99 | 4 | 6А | Одинокий | 600В | ТРИАК | 6А | 1,5 В | 60 А при 60 Гц | 30 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4B-2 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d2-datasheets-2648.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | ТРИАК | 200В | 200В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск |
