Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Стабильное напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4739A БК ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 9,1 В | 5% | 28мА | стабилитрон | 5Ом | 5Ом | 10 мкА при 7 В | 1,2 В при 200 мА | 9,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4731A БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 4,3 В | 5% | 58 мА | стабилитрон | 9Ом | 9Ом | 10 мкА при 1 В | 1,2 В при 200 мА | 4,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N747A БК ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n759atrpbfree-datasheets-6975.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | 500мВт | 24Ом | 10 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4745A БК ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 16 В | 5% | 15,5 мА | стабилитрон | 16Ом | 16Ом | 5 мкА при 12,2 В | 1,2 В при 200 мА | 16 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N747A ТР Олово/Свинец | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n759atrpbfree-datasheets-6975.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | 500мВт | 24Ом | 10 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5223B БК ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | 500мВт | 30Ом | 75 мкА при 1 В | 1,1 В @ 200 мА | 2,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4748A БК ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 22В | 5% | 11,5 мА | стабилитрон | 23Ом | 23Ом | 5 мкА при 16,7 В | 1,2 В при 200 мА | 22В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4760A БК ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 68В | 5% | 3,7 мА | стабилитрон | 150Ом | 150Ом | 5 мкА при 51,7 В | 1,2 В при 200 мА | 68В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5266B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 10 недель | нет | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 68В | стабилитрон | 230Ом | 100 нА при 52 В | 1,1 В @ 200 мА | 68В | |||||||||||||||||
| CLL4762A ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4746atrpbfree-datasheets-8483.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 82В | 5% | 3мА | стабилитрон | 200Ом | 200Ом | 5 мкА при 62,2 В | 1,2 В при 200 мА | 82В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F36-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 80Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 36В | 80Ом | 100 нА при 27 В | 1,5 В при 200 мА | 36В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F7V5-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 7Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 7,5 В | 7Ом | 100 нА при 5 В | 1,5 В при 200 мА | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F5V1-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 35Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 5,1 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5,1 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 35Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 5,1 В | |||||||||||
| BZX55F8V2-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 7Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 8,2 В | 7Ом | 100 нА при 6,2 В | 1,5 В при 200 мА | 8,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F6V8-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 8Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 6,8 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 6,8 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 8Ом | 100 нА при 3 В | 1,5 В при 200 мА | 6,8 В | |||||||||||
| BZX55F5V1-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 35Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 5,1 В | 35Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЗТ55А9В1-GS18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 10Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | 9,1 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 9,1 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 10Ом | 100 нА при 6,8 В | 1,5 В при 200 мА | 9,1 В | ||||||||||||||||
| BZX55F8V2-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 7Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 8,2 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 8,2 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 7Ом | 100 нА при 6,2 В | 1,5 В при 200 мА | 8,2 В | |||||||||||
| BZX55F5V6-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 25 Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 5,6 В | 25 Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 5,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F12-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 20Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 12 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 12 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 20Ом | 100 нА при 9,1 В | 1,5 В при 200 мА | 12 В | |||||||||||
| BZX55F27-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 80Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 27В | 80Ом | 100 нА при 20 В | 1,5 В при 200 мА | 27В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F33-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 80Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 33В | 80Ом | 100 нА при 24 В | 1,5 В при 200 мА | 33В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F4V7-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 60Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 4,7 В | 60Ом | 500 нА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 4,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F3V3-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 85Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 3,3 В | 85Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F6V8-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 8Ом | ±1% | 500мВт | ДО-35 | 6,8 В | 500мВт | 8 Ом | 100 нА при 3 В | 1,5 В при 200 мА | 6,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F20-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 55Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 20 В | 55Ом | 100 нА при 15 В | 1,5 В при 200 мА | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F3V9-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 85Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 3,9 В | 85Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F6V2-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 10Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 6,2 В | 10Ом | 100 нА при 2 В | 1,5 В при 200 мА | 6,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F3V6-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 85Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 3,6 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 3,6 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 85Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,6 В | |||||||||||
| BZX55F33-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 80Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 33В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 33В | 3% | 5мА | стабилитрон | 80Ом | 100 нА при 24 В | 1,5 В при 200 мА | 33В |
