| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Стабильное напряжение | Конфигурация | Соединение корпуса | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX55F3V9-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 85Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 3,9 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 3,9 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 85Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,9 В | |||||||
| BZX55F7V5-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 7Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 7,5 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 7,5 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 7Ом | 100 нА при 5 В | 1,5 В при 200 мА | 7,5 В | |||||||
| BZX55F30-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 80Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 30 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 30 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 80Ом | 100 нА при 22 В | 1,5 В при 200 мА | 30 В | |||||||
| BZX55F20-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 55Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 20 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 20 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 55Ом | 100 нА при 15 В | 1,5 В при 200 мА | 20 В | |||||||
| CPZ28X-1N5232B-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cpz28x1n5232bct20-datasheets-5475.pdf | Править | 8 недель | 11Ом | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | 500мВт | 5,6 В | стабилитрон | 11Ом | 5 мкА при 3 В | 1,1 В @ 200 мА | 5,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F4V3-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 75Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 4,3 В | 75Ом | 1 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 4,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F6V2-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 10Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 6,2 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 6,2 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 10Ом | 100 нА при 2 В | 1,5 В при 200 мА | 6,2 В | |||||||
| BZX55F3V6-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 85Ом | ±1% | 500мВт | ДО-35 | 3,6 В | 500мВт | 85 Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F4V3-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 75Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 4,3 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 4,3 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 75Ом | 1 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 4,3 В | |||||||
| BZX55F22-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 55Ом | ±1% | 500мВт | ДО-35 | 22В | 500мВт | 55 Ом | 100 нА при 16 В | 1,5 В при 200 мА | 22В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F2V7-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 85Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 2,7 В | 85Ом | 10 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 2,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F3V0-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 85Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 3В | 85Ом | 4 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F2V4-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 85Ом | ±1% | 500мВт | ДО-35 | 2,4 В | 500мВт | 85 Ом | 50 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55A27-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 80Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 27В | 80Ом | 100 нА при 20 В | 1,5 В при 200 мА | 27В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F22-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 55Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 22В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 22В | 3% | 5мА | стабилитрон | 55Ом | 100 нА при 16 В | 1,5 В при 200 мА | 22В | |||||||
| BZX55F15-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 30Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 15 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 15 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 30Ом | 100 нА при 11 В | 1,5 В при 200 мА | 15 В | |||||||
| BZX55F36-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 80Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 36В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 36В | 3% | 5мА | стабилитрон | 80Ом | 100 нА при 27 В | 1,5 В при 200 мА | 36В | |||||||
| BZX55F5V6-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 25 Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 5,6 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5,6 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 25 Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 5,6 В | |||||||
| BZX55F18-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 50Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 18В | 50Ом | 100 нА при 13 В | 1,5 В при 200 мА | 18В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F13-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 26Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 13В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 13В | 3% | 5мА | стабилитрон | 26Ом | 100 нА при 10 В | 1,5 В при 200 мА | 13В | |||||||
| BZX55F18-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 50Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 18В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 18В | 3% | 5мА | стабилитрон | 50Ом | 100 нА при 13 В | 1,5 В при 200 мА | 18В | |||||||
| BZX55F16-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 40Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 16 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 16 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 40Ом | 100 нА при 12 В | 1,5 В при 200 мА | 16 В | |||||||
| BZG05C82-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 200Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 82В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 82В | 6,1% | 2,7 мА | стабилитрон | 200Ом | 500 нА при 62 В | 1,2 В при 200 мА | 82В | ||||||||||
| БЗТ55А20-GS18 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 2 | 55Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 2 | 1 | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | 20 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 20 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 55Ом | 100 нА при 15 В | 1,5 В при 200 мА | 20 В | ||||||||||||
| BZX55F13-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 26Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 13В | 26Ом | 100 нА при 10 В | 1,5 В при 200 мА | 13В | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZG05C8V2-HE3-TR3 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzg05c9v1he3tr-datasheets-1674.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 20 недель | 5Ом | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | 8,2 В | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 8,2 В | 6,1% | 25 мА | стабилитрон | 5Ом | 1 мкА при 6,2 В | 1,2 В при 200 мА | 8,2 В | ||||||||||
| BZX55F2V4-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 85Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 2,4 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 2,4 В | 3% | 5мА | стабилитрон | 85Ом | 50 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 2,4 В | |||||||
| BZX55A5V6-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | 25 Ом | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.10.00.50 | ±1% | е2 | Олово/Серебро (Sn/Ag) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | 500мВт | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-LALF-W2 | 5,6 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5,6 В | 1% | 5мА | стабилитрон | 25 Ом | 100 нА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 5,6 В | |||||||
| BZX55A7V5-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 7Ом | ±1% | 500мВт | ДО-35 | 7,5 В | 500мВт | 7 Ом | 100 нА при 5 В | 1,5 В при 200 мА | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX55F24-TAP | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-bzx55a11tap-datasheets-2196.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | да | 80Ом | неизвестный | ±1% | 500мВт | 2 | 24В | 80Ом | 100 нА при 18 В | 1,5 В при 200 мА | 24В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.