| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Толерантность | Поверхностный монтаж | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZD27C30P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,66% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 22 В | 1,2 В при 200 мА | 30 В | |||||||||||||||||
| BZD27C220P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,66% | Суб-SMA | 1 Вт | 900Ом | 1 мкА при 160 В | 1,2 В при 200 мА | 220,5 В | |||||||||||||||||
| BZD27C43P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,97% | Суб-SMA | 1 Вт | 45 Ом | 1 мкА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | 43В | |||||||||||||||||
| БЗД27С9В1П МТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6,07% | Суб-SMA | 1 Вт | 4Ом | 10 мкА при 5 В | 1,2 В при 200 мА | 9,05 В | |||||||||||||||||
| CZ5382B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5339btrpbfree-datasheets-2317.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 140 В | 5% | 8мА | стабилитрон | 230Ом | 230Ом | 500 нА при 106 В | 1,2 В при 1 А | 140 В | |||||
| BZD27C16P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,55% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 12 В | 1,2 В при 200 мА | 16,2 В | |||||||||||||||||
| BZD27C33PHRFG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,06% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 24 В | 1,2 В при 200 мА | 33В | ||||||||||||||||
| BZD27C120P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,39% | Суб-SMA | 1 Вт | 300 Ом | 1 мкА при 91 В | 1,2 В при 200 мА | 120,5 В | |||||||||||||||||
| BZD27C39P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±5,12% | Суб-SMA | 1 Вт | 40 Ом | 1 мкА при 30 В | 1,2 В при 200 мА | 39В | |||||||||||||||||
| BZD27C27P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±7,03% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 20 В | 1,2 В при 200 мА | 27В | |||||||||||||||||
| BZD27C180P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,4% | Суб-SMA | 1 Вт | 450 Ом | 1 мкА при 130 В | 1,2 В при 200 мА | 179,5 В | |||||||||||||||||
| CZ5386B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5339btrpbfree-datasheets-2317.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 180 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 430Ом | 430Ом | 500 нА при 137 В | 1,2 В при 1 А | 180 В | ||||||||
| CZ5380B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5339btrpbfree-datasheets-2317.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 120 В | 5% | 10 мА | стабилитрон | 170Ом | 170Ом | 500 нА при 91 В | 1,2 В при 1 А | 120 В | |||||
| BZD27C30PHRFG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,66% | Суб-SMA | 1 Вт | 15 Ом | 1 мкА при 22 В | 1,2 В при 200 мА | 30 В | ||||||||||||||||
| BZD27C10P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 1 Вт | 4Ом | 7 мкА при 7,5 В | 1,2 В при 200 мА | 10 В | |||||||||||||||||
| CZ5383B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5339btrpbfree-datasheets-2317.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 150 В | 5% | 8мА | стабилитрон | 330Ом | 330Ом | 500 нА при 114 В | 1,2 В при 1 А | 150 В | |||||
| CZ5336B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5339btrpbfree-datasheets-2317.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 4,3 В | 5% | 290 мА | стабилитрон | 2Ом | 2Ом | 10 мкА при 1 В | 1,2 В при 1 А | 4,3 В | |||||
| CZ5385B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5339btrpbfree-datasheets-2317.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 170 В | 5% | 8мА | стабилитрон | 380Ом | 380Ом | 500 нА при 129 В | 1,2 В при 1 А | 170 В | ||||||||
| BZD27C43PHRFG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,97% | Суб-SMA | 1 Вт | 45 Ом | 1 мкА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | 43В | ||||||||||||||||
| CZ5387B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5339btrpbfree-datasheets-2317.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 190В | 5% | 5мА | стабилитрон | 450Ом | 450Ом | 500 нА при 144 В | 1,2 В при 1 А | 190В | ||||||||
| BZD27C47P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 1 Вт | 45 Ом | 1 мкА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | 47В | |||||||||||||||||
| БЗД17К15П РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 10 Ом | 1 мкА при 11 В | 1,2 В при 200 мА | 15 В | |||||||||||||||||
| BZD17C43P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,97% | Суб-SMA | 800мВт | 45 Ом | 1 мкА при 33 В | 1,2 В при 200 мА | 43В | |||||||||||||||||
| BZD27C82PHMTG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | ДО-219АБ | ±6,09% | Суб-SMA | 1 Вт | 200 Ом | 1 мкА при 62 В | 1,2 В при 200 мА | 82В | ||||||||||||||||
| BZD17C47P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 45 Ом | 1 мкА при 36 В | 1,2 В при 200 мА | 47В | |||||||||||||||||
| БЗД17К51П РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,88% | Суб-SMA | 800мВт | 60 Ом | 1 мкА при 39 В | 1,2 В при 200 мА | 51В | |||||||||||||||||
| БЗД27С7В5П РТГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf | ДО-219АБ | ±6,04% | Суб-SMA | 1 Вт | 2Ом | 50 мкА при 3 В | 1,2 В при 200 мА | 7,45 В | |||||||||||||||||
| BZD17C180P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6,38% | Суб-SMA | 800мВт | 450 Ом | 1 мкА при 130 В | 1,2 В при 200 мА | 180 В | |||||||||||||||||
| BZD17C200P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±6% | Суб-SMA | 800мВт | 750 Ом | 1 мкА при 150 В | 1,2 В при 200 мА | 200В | |||||||||||||||||
| BZD17C220P РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | ДО-219АБ | ±5,68% | Суб-SMA | 800мВт | 900Ом | 1 мкА при 160 В | 1,2 В при 200 мА | 220В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.