Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | Статус Ройс | Техниль | PakeT / KORPUES | Терпимость | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Синла - МАКС | Ипер | Ток - Обратна тебе | На | На |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZD27C200P MQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6% | Скабма | 1 Вт | 750 часов | 1 Огия @ 150 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 200 | ||||
BZD27C220P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,66% | Скабма | 1 Вт | 900 ОМ | 1 ония @ 160 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 220,5 В. | ||||
BZD27C75P MTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,04% | Скабма | 1 Вт | 100 ОМ | 1 мхлокс @ 56V | 1,2 - @ 200 Ма | 74,5. | ||||
BZD27C24P Mtg | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,78% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 мклкс @ 18V | 1,2 - @ 200 Ма | 24.2V | ||||
BZD27C51P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,88% | Скабма | 1 Вт | 60 ОМ | 1 Млокс @ 39В | 1,2 - @ 200 Ма | 51 | ||||
BZD27C39P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,12% | Скабма | 1 Вт | 40 ОМ | 1 Млокс @ 30 | 1,2 - @ 200 Ма | 39 | ||||
BZD27C75P MQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,04% | Скабма | 1 Вт | 100 ОМ | 1 мхлокс @ 56V | 1,2 - @ 200 Ма | 74,5. | ||||
BZD27C13P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,41% | Скабма | 1 Вт | 10 ОМ | 2 мкс прри 10в | 1,2 - @ 200 Ма | 13.25V | ||||
BZD27C30P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,66% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 ония @ 22 | 1,2 - @ 200 Ма | 30 | ||||
BZD27C220P MTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,66% | Скабма | 1 Вт | 900 ОМ | 1 ония @ 160 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 220,5 В. | ||||
BZD27C200P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6% | Скабма | 1 Вт | 750 часов | 1 Огия @ 150 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 200 | ||||
BZD27C27P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 7,03% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 ония @ 20 a. | 1,2 - @ 200 Ма | 27 | ||||
BZD27C62P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,45% | Скабма | 1 Вт | 80 ОМ | 1 ония @ 47V | 1,2 - @ 200 Ма | 62 В | ||||
BZD27C33P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,06% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 Млокт @ 24 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 33 В | ||||
BZD27C24P MQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,78% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 мклкс @ 18V | 1,2 - @ 200 Ма | 24.2V | ||||
BZD27C36P MQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,55% | Скабма | 1 Вт | 40 ОМ | 1 Ония @ 27 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 36 | ||||
BZD27C18P MQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/taiwansemiconductorcorporation bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,4% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 ония @ 13 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 17.95V | ||||
BZD27C36PHRTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,55% | Скабма | 1 Вт | 40 ОМ | 1 Ония @ 27 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 36 | |||
BZD27C36P MTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,55% | Скабма | 1 Вт | 40 ОМ | 1 Ония @ 27 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 36 | ||||
BZD27C18P RTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,4% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 ония @ 13 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 17.95V | ||||
BZD27C30PHRTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,66% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 ония @ 22 | 1,2 - @ 200 Ма | 30 | |||
BZD27C27PHMQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 7,03% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 ония @ 20 a. | 1,2 - @ 200 Ма | 27 | |||
BZD27C39PHRTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,12% | Скабма | 1 Вт | 40 ОМ | 1 Млокс @ 30 | 1,2 - @ 200 Ма | 39 | |||
BZD27C30PHMQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,66% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 ония @ 22 | 1,2 - @ 200 Ма | 30 | |||
BZD17C51P M2G | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf | DO-219AB | ± 5,88% | Скабма | 800 м | 60 ОМ | 1 Млокс @ 39В | 1,2 - @ 200 Ма | 51 | ||||
BZD27C39PHMQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,12% | Скабма | 1 Вт | 40 ОМ | 1 Млокс @ 30 | 1,2 - @ 200 Ма | 39 | |||
BZD27C43PHRTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,97% | Скабма | 1 Вт | 45 ОМ | 1 мхлокс @ 33V | 1,2 - @ 200 Ма | 43В | |||
BZD27C36PHMQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 5,55% | Скабма | 1 Вт | 40 ОМ | 1 Ония @ 27 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 36 | |||
BZD27C33P MQG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,06% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 Млокт @ 24 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 33 В | ||||
BZD27C33PHRTG | ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf | DO-219AB | ± 6,06% | Скабма | 1 Вт | 15 О | 1 Млокт @ 24 В. | 1,2 - @ 200 Ма | 33 В |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.