Zener Single Diodes - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Zener Single Diodes (43788)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Статус Ройс Техниль PakeT / KORPUES Терпимость ПАКЕТИВАЕТСЯ Синла - МАКС Ипер Ток - Обратна тебе На На
BZD27C43P MQG BZD27C43P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,97% Скабма 1 Вт 45 ОМ 1 мхлокс @ 33V 1,2 - @ 200 Ма 43В
BZD17C62P RTG BZD17C62P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 6,45% Скабма 800 м 80 ОМ 1 ония @ 47V 1,2 - @ 200 Ма 62 В
BZD27C6V8PHMQG BZD27C6V8PHMQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,88% Скабма 1 Вт 3 О 10 мк @ 3v 1,2 - @ 200 Ма 6,8 В.
BZD27C75PHRTG BZD27C75PHRTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,04% Скабма 1 Вт 100 ОМ 1 мхлокс @ 56V 1,2 - @ 200 Ма 74,5.
BZD27C68P MQG BZD27C68P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,88% Скабма 1 Вт 80 ОМ 1 ония @ 51V 1,2 - @ 200 Ма 68 В
BZD27C33P MTG BZD27C33P MTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,06% Скабма 1 Вт 15 О 1 Млокт @ 24 В. 1,2 - @ 200 Ма 33 В
BZD27C47P MTG BZD27C47P Mtg ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,38% Скабма 1 Вт 45 ОМ 1 Млокс @ 36 1,2 - @ 200 Ма 47 В
BZD27C33P MQG BZD27C33P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,06% Скабма 1 Вт 15 О 1 Млокт @ 24 В. 1,2 - @ 200 Ма 33 В
BZD27C33PHRTG BZD27C33PHRTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,06% Скабма 1 Вт 15 О 1 Млокт @ 24 В. 1,2 - @ 200 Ма 33 В
BZD17C51P MQG BZD17C51P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 5,88% Скабма 800 м 60 ОМ 1 Млокс @ 39В 1,2 - @ 200 Ма 51
BZD27C36PHMTG BZD27C36PHMTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,55% Скабма 1 Вт 40 ОМ 1 Ония @ 27 В. 1,2 - @ 200 Ма 36
BZD27C30PHMTG BZD27C30PHMTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,66% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 22 1,2 - @ 200 Ма 30
BZD27C13P RTG BZD27C13P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,41% Скабма 1 Вт 10 ОМ 2 мкс прри 10в 1,2 - @ 200 Ма 13.25V
BZD27C30P RTG BZD27C30P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,66% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 22 1,2 - @ 200 Ма 30
BZD27C220P MTG BZD27C220P MTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,66% Скабма 1 Вт 900 ОМ 1 ония @ 160 В. 1,2 - @ 200 Ма 220,5 В.
BZD27C200P RTG BZD27C200P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6% Скабма 1 Вт 750 часов 1 Огия @ 150 В. 1,2 - @ 200 Ма 200
BZD27C27P RTG BZD27C27P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 7,03% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 20 a. 1,2 - @ 200 Ма 27
BZD27C62P RTG BZD27C62P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,45% Скабма 1 Вт 80 ОМ 1 ония @ 47V 1,2 - @ 200 Ма 62 В
BZD27C33P RTG BZD27C33P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,06% Скабма 1 Вт 15 О 1 Млокт @ 24 В. 1,2 - @ 200 Ма 33 В
BZD27C24P MQG BZD27C24P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,78% Скабма 1 Вт 15 О 1 мклкс @ 18V 1,2 - @ 200 Ма 24.2V
BZD27C36P MQG BZD27C36P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,55% Скабма 1 Вт 40 ОМ 1 Ония @ 27 В. 1,2 - @ 200 Ма 36
BZD27C18P MQG BZD27C18P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/taiwansemiconductorcorporation bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,4% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 13 В. 1,2 - @ 200 Ма 17.95V
BZD27C36PHRTG BZD27C36PHRTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,55% Скабма 1 Вт 40 ОМ 1 Ония @ 27 В. 1,2 - @ 200 Ма 36
BZD27C36P MTG BZD27C36P MTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,55% Скабма 1 Вт 40 ОМ 1 Ония @ 27 В. 1,2 - @ 200 Ма 36
BZD27C18P RTG BZD27C18P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,4% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 13 В. 1,2 - @ 200 Ма 17.95V
BZD27C30PHRTG BZD27C30PHRTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,66% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 22 1,2 - @ 200 Ма 30
BZD27C27PHMQG BZD27C27PHMQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 7,03% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 20 a. 1,2 - @ 200 Ма 27
BZD27C39PHRTG BZD27C39PHRTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,12% Скабма 1 Вт 40 ОМ 1 Млокс @ 30 1,2 - @ 200 Ма 39
BZD27C30PHMQG BZD27C30PHMQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,66% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 22 1,2 - @ 200 Ма 30
BZD17C51P M2G BZD17C51P M2G ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 5,88% Скабма 800 м 60 ОМ 1 Млокс @ 39В 1,2 - @ 200 Ма 51
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)