Zener Single Diodes - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Zener Single Diodes (43788)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Статус Ройс Техниль PakeT / KORPUES Терпимость ПАКЕТИВАЕТСЯ Синла - МАКС Ипер Ток - Обратна тебе На На
BZD17C51P MQG BZD17C51P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 5,88% Скабма 800 м 60 ОМ 1 Млокс @ 39В 1,2 - @ 200 Ма 51
BZD27C36PHMTG BZD27C36PHMTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,55% Скабма 1 Вт 40 ОМ 1 Ония @ 27 В. 1,2 - @ 200 Ма 36
BZD27C30PHMTG BZD27C30PHMTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,66% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 22 1,2 - @ 200 Ма 30
BZD27C13P MTG BZD27C13P Mtg ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,41% Скабма 1 Вт 10 ОМ 2 мкс прри 10в 1,2 - @ 200 Ма 13.25V
BZD27C120P RTG BZD27C120P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,39% Скабма 1 Вт 300 ОМ 1 ония @ 91V 1,2 - @ 200 Ма 120,5.
BZD17C24P MQG BZD17C24P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 5,83% Скабма 800 м 15 О 1 мклкс @ 18V 1,2 - @ 200 Ма 24
BZT55B51 L0G BZT55B51 L0G ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -65 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzt55b33l1g-datasheets-7776.pdf DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ± 2% Мини -Молф 500 м 125oms 100NA @ 38V 1 w @ 10 мая 51
BZD27C15P MTG BZD27C15P MTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,12% Скабма 1 Вт 10 ОМ 1 Ония @ 11 В. 1,2 - @ 200 Ма 14.7V
BZD17C220P RTG BZD17C220P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 5,68% Скабма 800 м 900 ОМ 1 ония @ 160 В. 1,2 - @ 200 Ма 220В
BZD27C11P MTG BZD27C11P Mtg ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,45% Скабма 1 Вт 7 О 4 мка @ 8,2 В. 1,2 - @ 200 Ма 11в
BZD17C18P MQG BZD17C18P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 6,38% Скабма 800 м 15 О 1 ония @ 13 В. 1,2 - @ 200 Ма 18В
BZD27C10P RTG BZD27C10P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c6v8prvg-datasheets-5247.pdf DO-219AB ± 6% Скабма 1 Вт 4 О 7 мк, 7,5, 1,2 - @ 200 Ма 10 В
BZD17C68P MQG BZD17C68P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 5,88% Скабма 800 м 80 ОМ 1 ония @ 51V 1,2 - @ 200 Ма 68 В
BZD27C8V2PHMHG BZD27C8V2PHMHG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,09% Скабма 1 Вт 2 О 10 мк @ 3v 1,2 - @ 200 Ма 8,2 В.
BZD27C30P MQG BZD27C30P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,66% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 22 1,2 - @ 200 Ма 30
BZD27C12P MQG BZD27C12P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,39% Скабма 1 Вт 7 О 3 Мка @ 9,1 В. 1,2 - @ 200 Ма 12.05V
BZD17C43P MQG BZD17C43P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 6,97% Скабма 800 м 45 ОМ 1 мхлокс @ 33V 1,2 - @ 200 Ма 43В
BZD17C62P MQG BZD17C62P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 6,45% Скабма 800 м 80 ОМ 1 ония @ 47V 1,2 - @ 200 Ма 62 В
BZD27C24PHRTG BZD27C24PHRTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,78% Скабма 1 Вт 15 О 1 мклкс @ 18V 1,2 - @ 200 Ма 24.2V
BZD27C180P MQG BZD27C180P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,4% Скабма 1 Вт 450 часов 1 Ония @ 130 В. 1,2 - @ 200 Ма 179,5.
BZD27C27P MTG BZD27C27P MTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 7,03% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 20 a. 1,2 - @ 200 Ма 27
BZD17C27P RTG BZD17C27P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 7,03% Скабма 800 м 15 О 1 ония @ 20 a. 1,2 - @ 200 Ма 27
BZD27C11P MQG BZD27C11P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,45% Скабма 1 Вт 7 О 4 мка @ 8,2 В. 1,2 - @ 200 Ма 11в
BZD27C15P MQG BZD27C15P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,12% Скабма 1 Вт 10 ОМ 1 Ония @ 11 В. 1,2 - @ 200 Ма 14.7V
BZD17C36P MTG BZD17C36P MTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 5,55% Скабма 800 м 40 ОМ 1 Ония @ 27 В. 1,2 - @ 200 Ма 36
BZD27C120P MQG BZD27C120P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,39% Скабма 1 Вт 300 ОМ 1 ония @ 91V 1,2 - @ 200 Ма 120,5.
BZD27C30P MTG BZD27C30P MTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 6,66% Скабма 1 Вт 15 О 1 ония @ 22 1,2 - @ 200 Ма 30
BZD27C11P RTG BZD27C11P RTG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,45% Скабма 1 Вт 7 О 4 мка @ 8,2 В. 1,2 - @ 200 Ма 11в
BZD27C220P MQG BZD27C220P MQG ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd27c47prvg-datasheets-0764.pdf DO-219AB ± 5,66% Скабма 1 Вт 900 ОМ 1 ония @ 160 В. 1,2 - @ 200 Ма 220,5 В.
BZD17C43P MTG BZD17C43P Mtg ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bzd17c12pr3g-datasheets-4602.pdf DO-219AB ± 6,97% Скабма 800 м 45 ОМ 1 мхлокс @ 33V 1,2 - @ 200 Ма 43В
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)