Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактДОСКИ ОНКЕНКИ (722)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Упако | МАКСИМАЛЕН | Мин | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Верна - | Имен | Толсина | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | О.К.Ко | Rugulyrovanie -wremenyni | Колист | СКОРЕСТА ОТБОРА ПРО |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDB43L22 | Cirrus Logic Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/cirruslogic-cdb43l22-datasheets-4417.pdf | 16 | Серриал | В дар | 24 | 96 Ksps | ||||||||||||
| DAC1658Q1G5-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/integrateddevicetechnology-dac1658q1g5db-datasheets-6169.pdf | 0M | 0M | 3,3 В. | СОДЕРИТС | Spi, sererial | 0M | В дар | 20 млн | 16 | ||||||||
| DAC1653Q1G5-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/integrateddevicetechnology-dac1653q1g5db-datasheets-5914.pdf | 0M | 0M | 3,3 В. | СОДЕРИТС | Spi, sererial | 0M | В дар | 20 млн | 16 | ||||||||
| CDB4352 | Cirrus Logic Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/cirruslogic-cdb4352-datasheets-4687.pdf | 3,3 В. | Серриал | В дар | 24 | 192 KSPS | ||||||||||||
| DAC1658Q1G5IQM-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 3,3 В. | Spi, sererial | В дар | 20 млн | 16 | ||||||||||||||
| DAC1658D1G5-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/integrateddevicetechnology-dac1658d1g5db-datasheets-6694.pdf | 0M | 0M | СОДЕРИТС | Spi, sererial | 0M | В дар | 20 млн | 16 | |||||||||
| DAC1658D1G25IQM-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | Spi, sererial | В дар | 20 млн | 16 | ||||||||||||||||
| DAC1627D1G25IQM-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | LVDS, SPI, СЕРИАЛ | В дар | 20 млн | 16 | ||||||||||||||||
| DAC1617D1G0IQM-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/integrateddevicetechnology-dac1617d1g00iqmdb-datasheets-6209.pdf | LVDS, SPI, СЕРИАЛ | В дар | 20 млн | 16 | ||||||||||||||
| DAC1617D1G0-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/integrateddevicetechnology-dac1617d1g0db-datasheets-6102.pdf | LVDS, SPI, СЕРИАЛ | В дар | 20 млн | 16 | ||||||||||||||
| DAC1408D750WO-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/integrateddevicetechnology-dac1408d750wodb-datasheets-5957.pdf | 0M | 0M | СОДЕРИТС | Spi, sererial | 0M | В дар | 20 млн | 14 | 750 мсп | ||||||||
| DAC1408D750W1-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/integrateddevicetechnology-dac1408d750w1db-datasheets-5741.pdf | 0M | 0M | СОДЕРИТС | Spi, sererial | 0M | В дар | 20 млн | 14 | 750 мсп | ||||||||
| DAC1408D650WO-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 0M | 0M | СОДЕРИТС | Spi, sererial | 0M | В дар | 20 млн | 14 | 650 мсп | ||||||||||
| DAC1408D650W2-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/integrateddevicetechnology-dac1408d650w2db-datasheets-5508.pdf | 0M | 0M | СОДЕРИТС | Spi, sererial | 0M | В дар | 20 млн | 14 | 650 мсп | ||||||||
| DAC1408D650W1-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 0M | 0M | СОДЕРИТС | Spi, sererial | 0M | В дар | 20 млн | 14 | 650 мсп | ||||||||||
| ISL5757VAL2 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | В | 2000 | /files/intersil-isl57577777777777777777777-datasheets-5332.pdf | Парлель | В дар | 10 | 260 мсп | ||||||||||||||
| DAC1405D750-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2010 ГОД | /files/integrateddevicetechnology-dac1405d750db-datasheets-5320.pdf | 0M | 0M | СОДЕРИТС | SPI | 0M | В дар | 20 млн | 14 | 750 мсп | ||||||||
| ISL5757VAL1 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | В | 2000 | /files/Intersil-ISL57577777777777777777777777777.-datasheets-5225.pdf | Парлель | В дар | 10 | 260 мсп | ||||||||||||||
| DAC1405D650-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2010 ГОД | /files/integrateddevicetechnology-dac1405d650db-datasheets-5205.pdf | 0M | 0M | СОДЕРИТС | Парлель | 0M | В дар | 20 млн | 14 | 650 мсп | ||||||||
| DAC1401D125-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/integrateddevicetechnology-dac1401d125db-datasheets-5018.pdf | 0M | 0M | СОДЕРИТС | Парлель | 0M | В дар | 43 м | 14 | 125 мсп | ||||||||
| DAC1208D650W1-DB | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 0M | 0M | СОДЕРИТС | Spi, sererial | 0M | В дар | 20 млн | 12 | 650 мсп | ||||||||||
| HI5860SOICEVAL1 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-hi5860soiceval1-datasheets-8714.pdf | SOIC | СОДЕРИТС | Парлель | Не | В дар | 35 м | 12 | 130 мсп | |||||||||
| ISL5961EVAL2 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2000 | /files/intersil-isl59611Val2-datasheets-0606.pdf | СОДЕРИТС | 13 | Парлель | Не | В дар | 14 | 210 мсп | ||||||||||
| ISL5929EVAL1 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2000 | /files/intersil-isl5929eval1-datasheets-9987.pdf | СОДЕРИТС | Парлель | Не | В дар | 14 | 210 мсп | |||||||||||
| ISL5961EVAL1 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||
| ISL576111VAL2 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2000 | /files/intersil-isl576111val2-datasheets-9488.pdf | СОДЕРИТС | 13 | Парлель | Не | В дар | 10 | 210 мсп | ||||||||||
| ISL5729EVAL1 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2000 | /files/intersil-isl5729eval1-datasheets-8660.pdf | СОДЕРИТС | Парлель | Не | В дар | 10 | 210 мсп | |||||||||||
| ISL5861EVAL2 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2000 | /files/intersil-isl58611Val2-datasheets-8374.pdf | СОДЕРИТС | 13 | Парлель | Не | В дар | 12 | 210 мсп | ||||||||||
| ISL57611 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2000 | /files/intersil-isl5761111val1-datasheets-7773.pdf | SOIC | СОДЕРИТС | 13 | Парлель | Не | В дар | 10 | 210 мсп | |||||||||
| ISL5829EVAL1 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2000 | /files/intersil-isl5829eval1-datasheets-6650.pdf | СОДЕРИТС | Парлель | Не | В дар | 12 | 210 мсп |
