Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактБуферы и драйверы часов(8742)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Количество битов | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Частота (макс.) | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Выход | Выходные характеристики | фмакс-мин | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Задержка распространения (tpd) | Same Edge Skew-Max (tskwd) | Вход | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY10E111LEJY-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy100e111aejy-datasheets-5764.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3,8 В | 3В | 28 | 3В~5,5В | SY10E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 900 пс | 900 пс | 18 | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10H842ZH-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10h842zc-datasheets-4949.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | SY10H842 | 1 | 16-СОИК | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100H641JZ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100h641jz-datasheets-5936.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,75 В~5,25 В | SY100H641 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 135 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111AEJY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111aejy-datasheets-5764.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 5,5 В | 4,75 В | 28 | 3В~5,5В | SY10E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 900 пс | 18 | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDCP1803RTHR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределение), делитель, мультиплексор | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 800 МГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-cdcp1803rthr-datasheets-5886.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | Содержит свинец | 24 | 40,39807мг | 24 | нет | Нет | 1 | 140 мА | 3В~3,6В | КВАД | 3,3 В | 0,5 мм | CDCP1803 | 24 | 3В | Драйверы часов | 1 | 3 | LVPECL | 0,6 нс | 0,6 нс | CML, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVTTL, SSTL-2, VML | 1:3 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89808LTG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение), мультиплексор, транслятор | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy89808lti-datasheets-4962.pdf | 32-ТКФП | 7 мм | 7 мм | 32 | ТР | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 3,15 В~3,45 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | SY89808 | 3,45 В | 40 | 1 | Не квалифицированный | S-PQFP-G32 | 500 МГц | ХСТЛ | 500 МГц | 0,025 нс | HSTL, LVPECL | 2:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111LEJY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111aejy-datasheets-5764.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3,8 В | 3В | 28 | 3В~5,5В | SY10E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 900 пс | 900 пс | 9 | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ10Х842ЛЖ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10h842lzctr-datasheets-4922.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3В~3,6В | SY10H842 | 1 | 16-СОИК | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10H841ZH-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100h841zh-datasheets-5847.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | SY10H841 | 1 | 16-СОИК | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111JY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100Е, ЭКЛинПС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111jy-datasheets-0507.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 28 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4,2 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | SY10E111 | 40 | 1 | Не квалифицированный | 10Е | 850 пс | 18 | 0,05 нс | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDC337DWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 80 МГц | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,52 мм | 5В | Содержит свинец | 20 | 500,709277мг | 20 | нет | Золото | 1 | 85 мА | е4 | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | CDC337 | 20 | НЕ УКАЗАН | Драйверы часов | 5В | 1 | Не квалифицированный | 337 | Переводчик | 10 нс | 8 | -48мА | 48 мА | 85 мА | КМОП | 0,032 А | 0,9 нс | ТТЛ | 1:8 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ7Л111ММН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор, данные | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-nb7l111mmnr2-datasheets-5849.pdf | 52-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | Содержит свинец | 52 | 52 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В. | не_совместимо | 1 | е0 | 2375~3465В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 2,5 В | 0,5 мм | НБ7Л111М | 52 | 2625 В | 2,375 В | 30 | Драйверы часов | 2,5/3,3 В | 1 | Не квалифицированный | 7л | 6 Гбит/с | 5,5 ГГц | ХМЛ | 0,28 нс | 0,28 нс | 0,02 нс | ХМЛ, LVCMOS, LVDS, LVNECL, LVPECL, LVTTL | 2:10 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111AJY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111ajytr-datasheets-5795.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 28 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4,75 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | SY10E111 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 10Е | 780 пс. | 18 | 0,05 нс | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБ7Л14ММН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение), транслятор, данные | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nb7l14mmn-datasheets-5910.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | 1 | е0 | 2375~3465В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 2,5 В | 0,5 мм | НБ7Л14М | 16 | 3,465 В | 2,375 В | 30 | Драйверы часов | 2,5/3,3 В | 1 | Не квалифицированный | 7л | 150 пс | 8 ГГц | 8 | ХМЛ | ХМЛ, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10LVEP11DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvep11dr2g-datasheets-1311.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 2,375 В~3,8 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | MC10LVEP11 | 8 | 2,375 В | 40 | Драйверы часов | 1 | 360 пс | 310 пс | 3 ГГц | 4 | ОКУ, ОКУ | 0,36 нс | 0,02 нс | ХМЛ, ЛВДС, ПЭКЛ | 1:2 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E111AJY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111ajytr-datasheets-5795.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 16 недель | 28 | Нет | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4,2 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | SY100E111 | 40 | 1 | 780 пс. | 780 пс. | 18 | 0,05 нс | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ100Х841ЛЖ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100h841lzh-datasheets-5863.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 16 | 3В~3,6В | SY100H841 | 1 | 16-СОИК | 3,2 нс | Переводчик | 3,1 нс | 160 МГц | -3мА | 24 мА | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EP210UTG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100EP, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100ep210utg-datasheets-5865.pdf | 32-ТКФП | 7 мм | 7 мм | 3,8 В | Без свинца | 32 | 2 | 2,42 В | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,375 В~3,8 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,8 мм | СИ100ЭП210 | 40 | 2 | Не квалифицированный | 3 ГГц | ЛВЭКЛ, ЛВПЭКЛ | 3000 МГц | 0,38 нс | HSTL, LVECL, LVPECL | 1:5 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E111JY-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100Е, ЭКЛинПС™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111jy-datasheets-0507.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | SY100E111 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | ПЭКЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E111AJY-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10e111ajytr-datasheets-5874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 28 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4,75 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | SY10E111 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 10Е | 780 пс. | 18 | 0,05 нс | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDC339DWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 80 МГц | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cdc339dwr-datasheets-1334.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | 1 | 85 мА | 1,6 Вт | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | CDC339 | 20 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | Драйверы часов | 5В | 1 | Не квалифицированный | CDC | 9 нс | 8 | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | ТТЛ | 1:8 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10H842LZH-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy10h842lzctr-datasheets-4922.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3В~3,6В | SY10H842 | 1 | 16-СОИК | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100H641LJZ-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100h641ljz-datasheets-5779.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 28 | 3В~3,6В | SY100H641 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 3,5 нс | Переводчик | 3,5 нс | 135 МГц | -3мА | 24 мА | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDC391DR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 5В | Содержит свинец | 16 | 155,100241мг | 16 | нет | 2 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 40 мА | е4 | 770мВт | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | CDC391 | 16 | 770мВт | Драйверы часов | истинный | 5В | 1 | 1 | 7 нс | 7 нс | 6 | 40 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 0,048 А | 5 нс | ТТЛ | 1:6 | Нет/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI6C182BHE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi6c182bhe-datasheets-5841.pdf | 28-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3135~3465В | PI6C182 | 1 | 28-ССОП | 140 МГц | ТТЛ | ТТЛ | 1:10 | Нет/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H646FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | 4,75 В~5,25 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | MC10H646 | 28 | 5,25 В | 4,75 В | 30 | Драйверы часов | 5В | 1 | Не квалифицированный | 10 ч. | 80 МГц | ТТЛ | 0,024 А | 7 нс | 6,4 нс | 0,5 нс | ПЭКЛ, ТТЛ | 2:8 | Да/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H641FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 65 МГц | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100h641fn-datasheets-5629.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 5В | Без свинца | 28 | 28 | да | 1 | 4,19 В | 24 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,75 В~5,25 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | MC10H641 | 28 | 40 | Драйверы часов | 5В | 1 | Не квалифицированный | 10 ч. | 7 нс | Переводчик | 6,27 нс | -15 мА | 24 мА | ТТЛ | 0,024 А | 6,4 нс | 0,35 нс | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100H841ZH | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | Прецизионный край® | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100h841zh-datasheets-5847.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,75 В~5,25 В | SY100H841 | 1 | 16-СОИК | 160 МГц | ТТЛ | ПЭКЛ | 1:4 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E111AJY-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разветвленный буфер (распределение) | 100E, Precision Edge® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-sy100e111ajytr-datasheets-5795.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 28 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4,2 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | НЕ УКАЗАН | SY100E111 | НЕ УКАЗАН | 1 | 780 пс. | 18 | 0,05 нс | ПЭКЛ | 1:9 | Да/Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NB7L111MMNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Буфер разветвления (распределения), мультиплексор, данные | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-nb7l111mmnr2-datasheets-5849.pdf | 52-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | Содержит свинец | 52 | 52 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В. | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2375~3465В | КВАД | 2,5 В | 0,5 мм | НБ7Л111М | 52 | 2625 В | 2,375 В | Драйверы часов | 2,5/3,3 В | 1 | 7л | 6 Гбит/с | 5,5 ГГц | ХМЛ | 0,28 нс | 0,28 нс | 0,02 нс | ХМЛ, LVCMOS, LVDS, LVNECL, LVPECL, LVTTL | 2:10 | Да/Да |
