Ч generaTorы (27736)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	Управый	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЧastoTA	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	Колист	Верна -	DOSTIчH SVHC	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	Имен	Статус жIзnennogogo цikla	PBFREE CODE	Толсина	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	Колист	Н.	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Raboч -yemperatura (mamaks)	PoSta	Posta	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Колист	Подкейгория	Питания	Поступил	Колист	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Смерть	ЛОГЕЕСКИЯ ТИП	Logiчeskayavy	ASTOTA (MMAKS)	Колист	UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS	Power Dissipation-Max	Колист	Graoniцa kkanirowanee	Унигир	Вес	ТАКТОВА	Иурин	Прогрмир, альинья	Шirinan	Колиствоистенн	Весна кондигионирований	Fmax-Min	Токпитания.	Maks i (ol)	Проп. ЗAdErжKA@nom-sup	Я	ТОТ КРЕВО	Wshod	PLL	Perviчnы чasы/kriestalkyskaya-astota-noma	Колист	Взёрт, а я
MPC9315AC	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		3 (168 чASOW)	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT			LQFP	7 мм	7 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	32			3.465V	2.375V	32						RabothototeTpripriposque 3,3 В			НЕИ		1		E3	МАГОВОЙ		Квадран	Крхлоп	260	2,5 В.	0,8 мм	32	Промлэнно				40		ЧASы -DrAйVERы			1	Н.Квалиирована			Дерь на пл.		160 мг							3-шТат					8		75 мг						LVCMOS	В дар
5P49V5933B000LTGI	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер			85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2006	/files/integrateddevicetechnology-5p49v5933b000ltgi-datasheets-4353.pdf		4 мм	4 мм		СОУДНО ПРИОН		10 nedely				24			в дар	1,4 мм																	24										1						350 мг		ЧAsOWOйGENERATOR																		LVDS	В дар
5p49v5914b504nlgi8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0										ROHS COMPRINT	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p49v5914b504nlgi8-datasheets-4344.pdf
ICS87339AM-01LF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				1 (neograniчennnый)					2,65 мм	ROHS COMPRINT			SOIC	12,8 мм	7,5 мм			20					20			в дар			Rerжim ecl: vee = -3V oDO -3,8V pri vcc = 0V				8542.39.00.01	1		E3	МАНЕВОВО	В дар	Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	1,27 ММ	20	Коммер	70 ° С	3,6 В.	3В	30		ЧASы -DrAйVERы	3,3 В.			Н.Квалиирована		87339	ВОДЕЛЕЙС														4	DIFERENцIAL				2.1	2.1	0,035 млн
ICS843031agi-01	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			85 ° С	-40 ° С	CMOS			В			TSSOP	4,4 мм	3 ММ			8								не		Ear99	RabothototeTpripriposque 3,3 В			not_compliant				E0	Олово/Свинен (SN/PB)		Дон	Крхлоп	Nukahan	2,5 В.	0,65 мм	8	Промлэнно		2.625V	2.375V	Nukahan		Ч ч generaTorы	2,5/3,3 В.		1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G8				340 мг		Gererator чasow, drugoй																		Кришалл	В дар	27,2 мг
MK1574-01Silf	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka	3 (168 чASOW)	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	1999	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-mk157401silf-datasheets-4335.pdf	SOIC	9,9 мм	3,9 мм	3,3 В.		16			5,5 В.	3,13 В.	16			в дар					Не					E3	МАНЕВОВО		Дон	Крхлоп	260			16	Промлэнно				30					1						8																				ЧaSы	В дар
309rlft	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Лю	1 (neograniчennnый)	70 ° С	0 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-309rlft-datasheets-4328.pdf	QSOP	8,7 мм	3,8 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	20	7		3,6 В.	3В	20			в дар	1,47 мм	Ear99		Оло						E3			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		20	Коммер				Nukahan	3				1	Н.Квалиирована					200 мг																				ЧaSы		50 мг
2308-2DCG8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Лю	3 (168 чASOW)	70 ° С	0 ° С				ROHS COMPRINT	2012	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-23082dcg8-datasheets-4327.pdf	SOIC	9,9 мм	3,9 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	16	7		3,6 В.	3В	16			в дар	1,5 мм	Ear99			Не			1	45 май	E3	МАНЕВОВО		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		16	Коммер				30		ЧASы -DrAйVERы			1			2308	Дерь на пл.		133,3 мг							3-шТат					8				0,008 а			0,2 м	Lvttl
5p49v5929b000nlgi8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер			85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p49v5929b000nlgi8-datasheets-4320.pdf		4 мм	4 мм		СОУДНО ПРИОН		10 nedely				24			в дар	900 мкм			Оло														24										1						200 мг		ЧAsOWOйGENERATOR																		Кришалл	В дар
ICS87321AMI	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2003	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-ics87321ami-datasheets-4306.pdf	SOIC	4,9 мм	3,9 мм			8								не								1		E0			Дон	Крхлоп	240	3,3 В.		8	Промлэнно		3.465V		30					1		R-PDSO-G8		ВОДЕЛЕЙС		700 мг												1								LVDS	Не
ICS845252AKILF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT																																												1						312,5 мг																				Кришалл
AD9551BCPZ	Analog Devices, Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				3	85 ° С	-40 ° С	CMOS	806 мг		ROHS COMPRINT			LFCSP EP	6 мм	6 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	40		НЕИ			40	Nauka	YastaRel (poslegedniй obnownen: 1 мг.	не		Ear99							169ma	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)	В дар	Квадран	NeT -lederStva	225	3,3 В.	0,5 мм	40	Промлэнно				Nukahan					1	Н.Квалиирована				ЧaSы	900 мг				2																Кришалл	В дар	806 мг
MPC926508SD	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	МАССА		70 ° С	0 ° С	CMOS			В			LSSOP	8 6487 ММ	38989 мм		СОДЕРИТС	20										Ear99											Дон	Крхлоп		3,3 В.	0,635 мм	20	Промлэнно		3,63 В.	2,97				3,3 В.		1	Н.Квалиирована	S-PDSO-G20				133,33 мг																				ЧaSы	В дар	125 мг
MK1574-01SI	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С				В	1999	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-mk157401si-datasheets-4304.pdf	SOIC	9,9 мм	3,9 мм			16								не						not_compliant				E0			Дон	Крхлоп	225			16	Промлэнно				30					1	Н.Квалиирована					8																				ЧaSы	В дар
5V80013Nlgi8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0										ROHS COMPRINT			TSSOP
ICS8430252CG-45LFT	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	70 ° С	0 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2012	/files/integrateddevicetechnology-ics8430252cg45lft-datasheets-4298.pdf	TSSOP	5 ММ	4,4 мм			16								в дар		Ear99								E3	МАНЕВОВО		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	16	Коммер		3.465V		30		Ч ч generaTorы	3,3 В.	95 май	1	Н.Квалиирована					156,25 мг		Gererator чasow, drugoй																		Кришалл	В дар	25 мг
HSP45102SC-40	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		МАССА				CMOS			В	1999	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-hsp45102sc40-datasheets-4295.pdf	Модул				СОДЕРИТС	28					28					3A991.A.2				not_compliant	8542.39.00.01			E0	Олово/Свинен (SN/PB)	В дар	Дон	Крхлоп		5в	1,27 ММ	28	Коммер	70 ° С	5,25 В.	4,75 В.			Пефер -вустро -тепст	5в	99ma		Н.Квалиирована							Perferhyйnый, цiprowoй osцilator dsp			Не	В дар		40 мг	1		12
2309-1HPGG	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	70 ° С	0 ° С		133 мг		ROHS COMPRINT	2009	/files/integrateddevicetechnology-23091hpgg-datasheets-4296.pdf	TSSOP	5 ММ	4,4 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	16	7		3,6 В.	3В	16			в дар	1 ММ							1	32 май	E3	МАНЕВОВО		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		16	Коммер				30					1	Н.Квалиирована				ЧaSы	133 мг	9		700 м				3-шТат												0,25 млн	Lvttl
5p49v5929b000nlgi	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер			85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p49v5929b000nlgi-datasheets-4294.pdf		4 мм	4 мм		СОУДНО ПРИОН		10 nedely				24			в дар	900 мкм																	24										1						200 мг		ЧAsOWOйGENERATOR																		Кришалл	В дар
5V49EE901-064PGGI8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)		85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5v49ee901064pggi8-datasheets-4293.pdf							7																																			1						500 мг																				Кришалл
5p49v5914b503nlgi8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0										ROHS COMPRINT	2006	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p49v5914b503nlgi8-datasheets-4292.pdf							12
ICS511MLF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				1			CMOS		1,75 мм	ROHS COMPRINT	1999	/files/integrateddevicetechnology-ics511mlf-datasheets-4290.pdf	SOIC	4,9 мм	3,9 мм			8								в дар		Ear99	RabothototeT pri 3,3 pri 160 мг.				8542.39.00.01			E3	МАНЕВОВО	В дар	Дон	Крхлоп	260	5в	1,27 ММ	8	Коммер	70 ° С	5,25 В.	4,75 В.	30		Ч ч generaTorы	3.3/5.			Н.Квалиирована	R-PDSO-G8						Gererator чasow, drugoй																				50 мг		200 мг
854S296DKI-33LF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		3 (168 чASOW)	85 ° С	-40 ° С			1 ММ	ROHS COMPRINT	2007	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-854s296dki33lf-datasheets-4275.pdf		5 ММ	5 ММ	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	32					32			в дар	900 мкм	Ear99		Оло			8542.39.00.01	1		E3			Квадран	NeT -lederStva	260	3,3 В.		32	Промлэнно		3,6 В.	3В	Nukahan		Илини ирши				Н.Квалиирована		854 с	ВОДЕЛЕЙС												В дар		2	Deferenenцialnый mryks	1200 мг	150 май		15 млн	15 млн					10
IDT2305B-1HDCGI8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2009	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt2305b1hdcgi8-datasheets-4266.pdf	SOIC	4,9 мм	3,9 мм			8								в дар		Ear99						1		E3	МАНЕВОВО		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		8	Промлэнно		3,6 В.	3В	30					1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G8	2305	Дерь на пл.		133 мг							3-шТат					4							0,25 млн	Lvttl
ICS8430252CG-45LF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1 (neograniчennnый)	70 ° С	0 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	2012	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-ics8430252cg45lf-datasheets-4267.pdf	TSSOP	5 ММ	4,4 мм			16								в дар		Ear99								E3	МАНЕВОВО		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	16	Коммер		3.465V		30		Ч ч generaTorы	3,3 В.	95 май	1	Н.Квалиирована					156,25 мг		Gererator чasow, drugoй																		Кришалл	В дар	25 мг
MPC9239FN	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	МАССА	1 (neograniчennnый)	70 ° С	0 ° С			4,57 мм	В			LCC				СОДЕРИТС	28										Ear99				not_compliant				E0	Олово/Свинен (SN/PB)		Квадран	J Bend	220	3,3 В.		28	Коммер		3.465V		30		Ч ч generaTorы	3,3 В.		1	Н.Квалиирована	S-PQCC-J28				900 мг		Gererator чasow, drugoй																		LVCMOS		20 мг
MK1574-01S	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka	1 (neograniчennnый)	70 ° С	0 ° С				В	1999	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-mk157401s-datasheets-4263.pdf	SOIC	9.9695 ММ	3937 ММ	3,3 В.		16			5,5 В.	3,13 В.	16			не						not_compliant			13ma	E0			Дон	Крхлоп	225			16	Коммер				30					1	Н.Квалиирована					8																				ЧaSы	В дар
ICS844256DGLF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			70 ° С	0 ° С				ROHS COMPRINT	2007	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-ics84444256dglf-datasheets-4264.pdf																																										1						625 мг																				Кришалл
ICS873039 UTRA	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С			2,65 мм	ROHS COMPRINT	2004	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-ics873039am-datasheets-4261.pdf	SOIC		7,5 мм			20								не			Rerжim ecl: vee = oT -2,375V oDO -3,8V PPRI VCC = 0V					1		E0			Дон	Крхлоп	225	3,3 В.		20	Промлэнно		3,8 В.	2.375V	30					1		R-PDSO-G20		ВОДЕЛЕЙС		3,2 -е												4								CML	Не
570bilf	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	1999	/files/integrateddevicetechnology-570bilf-datasheets-4254.pdf	SOIC	4,9 мм	3,9 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	8	4 neDe		3,45 В.	3,15 В.	8			в дар	1,5 мм	Ear99		Оло				1	16ma	E3			Дон	Крхлоп	Nukahan	3,3 В.		8	Промлэнно				Nukahan					1	Н.Квалиирована		570			170 мг	2						3-шТат													ЧaSы	В дар

Ч generaTorы (27736)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии