Часовые генераторы - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Ч generaTorы (27736)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГЕЕСКИЯ ТИП ASTOTA (MMAKS) Колист UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Power Dissipation-Max Вес Колиствоистенн Fmax-Min Колист Токпитания. Maks i (ol) В конце ТОТ КРЕВО Wshod PLL Perviчnы чasы/kriestalkyskaya-astota-noma Взёрт, а я Колиствоиртировананна
MB88155PFT-G-100-JN-ERE1 MB88155PFT-G-100-JN-ERE1 Cypress Semiconductor
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 4,4 мм 3,3 В. 8 Не Дон Крхлоп 3,3 В. 0,65 мм Промлэнно 3,6 В. Ч ч generaTorы 7ma 1 R-PDSO-G8 25 мг Gererator чasow, drugoй Кришалл 25 мг
MK1574-01ASI MK1574-01asi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TSSOP 9,9 мм 3,9 мм 5в 16 5,5 В. 4,5 В. 16 не Ear99 Не E0 Дон Крхлоп 225 16 Промлэнно 30 1 212,5 мг Gererator чasow, drugoй Кришалл В дар
5P49EE801NDGI8 5p49ee801ndgi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p49ee801ndgi8-datasheets-3987.pdf Qfn 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 24 28 в дар 900 мкм Ear99 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 28 Промлэнно 3,6 В. 3В 30 Ч ч generaTorы 1 Н.Квалиирована 120 мг Гератор, визи Кришалл 30 мг
IDT23S08-4DCGI8 IDT23S08-4DCGI8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt23s084dcgi8-datasheets-3985.pdf SOIC 3937 ММ 16 в дар 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 16 Промлэнно 3,6 В. 3В 30 1 Н.Квалиирована 23 -Год Дерь на пл. 133,3 мг 3-шТат 8 0,2 м Lvttl
MPC9229AC MPC9229AC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) $ 6,64
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT LQFP СОУДНО ПРИОН 1 400 мг Кришалл
MB88181PFT-G-001-BNDE1 MB88181PFT-G-001-BNDE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TSSOP 1 166 мг CMOS В дар
ICS844008AYI-01LF ICS844008AYI-01LF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TQFP 1 156,25 мг Кришалл
854S202AYI-01LF 854S202AYI-01LF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА В 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-854s202ayi01lf-datasheets-3979.pdf 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 1,4 мм
5P49V5914B000NLGI 5p49v5914b000nlgi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p49v5914b000nlgi-datasheets-3973.pdf 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 10 nedely 24 в дар 900 мкм Оло 24 1 350 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар
XR-2206CP-F XR-2206CP-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 70 ° С 0 ° С БИПОЛНА 1 мг ROHS COMPRINT PDIP 21,34 мм 5,08 мм 7,11 мм СОУДНО ПРИОН 16 26 10 В 16 Ear99 14ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон 12 Коммер Generaцiver -ormы vvolnы Аналогово -феанкшии иерагиии 1 1 мг 2 В Не
5P49EE602NLGI8 5p49ee602nlgi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p49ee602nlgi8-datasheets-3962.pdf Qfn 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 24 7 24 в дар 900 мкм Ear99 Оло E3 Квадран NeT -lederStva 260 1,8 В. 0,5 мм 24 Промлэнно Nukahan Ч ч generaTorы 1 Н.Квалиирована 120 мг Гератор, визи Кришалл 40 мг
8V40817QG8 8V40817QG8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 1,72 мм ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-8v40817qg8-datasheets-3959.pdf QSOP 8,7 мм 3,8 мм СОУДНО ПРИОН 20 7 20 1,47 мм Ear99 8542.39.00.01 В дар Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Gererator чasow, drugoй 25 мг 66 мг
870919BVILFT 870919bvilft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С 4,57 мм ROHS COMPRINT 2007 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-870919bvilft-datasheets-3956.pdf PLCC 11,5 мм 11,5 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 28 28 в дар 3,63 мм Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 3,3 В. 28 Промлэнно 3,6 В. 3В Nukahan 1 Дерь на пл. 160 мг 3-шТат 7 0,5 млн LVCMOS 1
MK1574-01AS MK1574-01as ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT TSSOP 9,9 мм 3,9 мм 5в 16 5,5 В. 4,5 В. 16 не Ear99 Не E0 Дон Крхлоп 225 16 Коммер 30 1 200 мг Gererator чasow, drugoй Кришалл
IDT2308-3DCG8 IDT2308-3DCG8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/integrateddevicetechnology-idt23083dcg8-datasheets-3951.pdf SOIC 3937 ММ 16 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 16 Коммер 3,6 В. 3В 30 ЧASы -DrAйVERы 3,3 В. 1 Н.Квалиирована 2308 Дерь на пл. 133,3 мг 3-шТат 8 0,008 а 0,4 млн Lvttl
ICS843S1333DGLF ICS843S1333DGLF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT TSSOP 1 1 333 г Кришалл В дар
ICS843020AY-01LFT ICS843020AY-01LFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT LQFP 7 мм 7 мм 32 в дар Ear99 E3 МАНЕВОВО Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм 32 Коммер 3.465V 30 Ч ч generaTorы 3,3 В. 1 Н.Квалиирована S-PQFP-G32 680 мг Gererator чasow, drugoй Кришалл 32 мг
8440258CK-46LFT 8440258CK-46LFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS 1 ММ В 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-8440258ck46lft-datasheets-3947.pdf 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 32 в дар 900 мкм Ear99 8542.39.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран NeT -lederStva 260 2,5 В. 32 Коммер 70 ° С 2.625V 2.375V Nukahan Gererator чasow, drugoй 25 мг 125 мг
MB88162PVB-G-ERE1 MB88162PVB-G-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 18 1 168 мг CMOS
8V40817QG 8V40817QG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА CMOS 1,72 мм ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-8v40817qg-datasheets-3944.pdf QSOP 8,7 мм 3,8 мм СОУДНО ПРИОН 20 7 20 1,47 мм Ear99 8542.39.00.01 В дар Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3.465V 3.135V Gererator чasow, drugoй 25 мг 66 мг
8T49N242-999NLGI 8t49n242-999nlgi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2013 /files/integrateddevicetechnology-8t49n242999nlgi-datasheets-3942.pdf 6 мм 6 мм СОУДНО ПРИОН 18 40 в дар 900 мкм Оло 40 1 1 гер Gererator чasow, drugoй Кришалл
5P49V5913B000NLGI8 5p49v5913b000nlgi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p49v5913b000nlgi8-datasheets-3938.pdf 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 24 10 nedely 24 в дар 900 мкм Обознав Оло E3 Квадран NeT -lederStva 260 1,8 В. 0,5 мм 24 Промлэнно 3.465V Nukahan 1 350 мг ЧAsOWOйGENERATOR Кришалл В дар 40 мг
TLC2932AIPWRG4 TLC2932AIPWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 75 ° С -20 ° С 75 мг ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 4,4 мм 5в СОУДНО ПРИОН 14 57.209338mg 5,25 В. 2,85 В. 14 Tyakhe trabueTsepsepypypypoStawka 3- и 3,3 В Не 1 28 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 5в 0,65 мм 14 Коммер Фаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа Сэмги, пллл или, 1 55 мг CMOS В дар
5P30018NBG8 5P30018NBG8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT 2017 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p30018nbg8-datasheets-3936.pdf 7
2305A-1HDCG 2305A-1HDCG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-2305a1hdcg-datasheets-3933.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 7 3,6 В. 3В 8 в дар 1,5 мм Ear99 Оло 1 32 май E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 8 Коммер 30 ЧASы -DrAйVERы 1 Н.Квалиирована Дерь на пл. 133 мг 5 700 м 3-шТат Lvttl
MC12080D MC12080D На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм 5в СОДЕРИТС 8 5,5 В. 4,5 В. 8 Коеффихиэнт В.Б. 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 235 5в 1,27 ММ 8 Промлэнно 30 PreSkAler/mnogoviebraTOrы 5в Н.Квалиирована Эkl Прэскалр 1,1 -е 1100 мг 1 5 май 1,2 В.
MB88161PVB-G-ERE1 MB88161PVB-G-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 18 1 80 мг CMOS
5P49EE601NLGI 5p49ee601nlgi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-5p49ee601nlgi-datasheets-3913.pdf Qfn 4 мм 4 мм 1,8 В. СОУДНО ПРИОН 24 24 в дар 1 ММ Ear99 8542.39.00.01 E3 МАНЕВОВО В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 20 Промлэнно 30 Ч ч generaTorы Н.Квалиирована 6 Гератор, визи 40 мг 150 мг
M2020-11-669.3266T M2020-11-669.3266T ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT CLCC 9 мм 9 мм СОУДНО ПРИОН 36 в дар 2,8 мм E0 Олово/Свинен (SN/PB) Nukahan 36 Nukahan 1 Дерь на пл. 669 3266 мг Lvttl В дар
ICS843011CGLFT ICS843011CGLFT ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 4,4 мм 3 ММ 8 в дар Ear99 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 8 Коммер 3.465V 30 Ч ч generaTorы 3,3 В. 90 май 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 106,25 мг Gererator чasow, drugoй Кришалл В дар 26.5625 Mmgц
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)