PROM на конфигурации для FPGA - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

PROM nacoanfiguraцikyииир fpga (667)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЧastoTA Опрегиону Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Колист КОД ECCN Доленитейн Ая DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ Вес Napraneee ofprogrammirowaniv ТАКТОВА Органихая Шirina pamayti Плотпеф Парллель/сэриал В.С. Весливост Верный ТИП ТИП ИК ПАМЕЙТИ Programmirueemый typ
EPC1441TC32N EPC1441TC32N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 1,2 ММ ROHS COMPRINT /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 32-TQFP 7 мм 7 мм 32 Ear99 OTakжeSOTRATATHPATH Сообщите 8542.32.00.61 1 E3 МАГОВО В дар 3 n 3,6 -4,75 ЕСЛЕДИТЕЛЬНОСТИ ~ 5,25 Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм EPC1441 3,6 В. 3В 40 3.3/5. 0,03 Ма Н.Квалиирована S-PQFP-G32 440 кб 3-шТат 10 мг 440800x1 1 440800 Ибит Серриал Обших СПАМЕРКОНКОН От
EPCS1SI8N EPCS1SI8N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPCS Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 1,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/terasicinc-p0286-datasheets-0307.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 8 3A991.B.1.b.1 Сообщите 8542.32.00.51 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 1,27 ММ EPCS1 3,6 В. 3В 30 Фельоспоминания 3,3 В. 0,015 Ма Н.Квалиирована R-PDSO-G8 1 март 20 мг 1mx1 1 1048576 Ибит Серриал 0,00005A 100000 цiklow зapiysi/stiraNina СПАМЕРКОНКОН В.
EPCE16QC100 EPCE16QC100 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) 100-BQFP 3 В ~ 3,6 В. 100-PQFP (20x14) 16 марта В.
EPC1PC8CC EPC1PC8CC Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4454.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 3 n 3,6 -4,75 ЕСЛЕДИТЕЛЬНОСТИ ~ 5,25 EPC1 8-Pdip 1 март От
EPC16QC100II EPC16QC100II Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 100-BQFP 3 В ~ 3,6 В. 100-PQFP (20x14) 16 марта В.
EPCE8QC100 EPCE8QC100 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) 100-BQFP 3 В ~ 3,6 В. 100-PQFP (20x14) 8 марта В.
EPC8QC100DM EPC8QC100DM Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 100-BQFP 3 В ~ 3,6 В. 100-PQFP (20x14) 8 марта В.
EPC16UC88SS EPC16UC88SS Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 88-LFBGA 3 В ~ 3,6 В. 88-ubga (11x8) 16 марта В.
EPCQ128SI16N EPCQ128SI16N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Epcq Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 2,65 мм ROHS COMPRINT 2018 /files/intel-epcq16si8n-datasheets-4774.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 10,3 мм 7,5 мм 16 Ear99 Сообщите 8542.32.00.51 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 1,27 ММ EPCQ128 3,6 В. 2,7 В. 40 Фельоспоминания 3/3,3 В. 0,02 мая Н.Квалиирована R-PDSO-G16 128 мБ 3,3 В. 20 мг 128mx1 1 134217728 БИТ Серриал 0 0001а 100000 цiklow зapiysi/stiraNina 8 мс В.С. В.
EPC2TI32 EPC2TI32 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 1,2 ММ В /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 32-TQFP 7 мм 7 мм 32 Ear99 OTakжeSOTRATATHPATH 8542.32.00.51 1 E0 Олово/Свине (SN85PB15) В дар 3 n 3,6 -4,5 n 5,5. Квадран Крхлоп 235 3,3 В. 0,8 мм EPC2 3,6 В. 3В 20 Фельоспоминания 3.3/5. 0,05 Ма Н.Квалиирована S-PQFP-G32 1,6 мБ 12,5 мг 1695680x1 1 1695680 Ибит Серриал 0 0001а СПАМЕРКОНКОН В.
EPC2LI20 EPC2LI20 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Синжронно 4572 мм В 2014 /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 20-LCC (J-Lead) 8 9662 ММ 8 9662 ММ 20 Ear99 OTakжeSOTRATATHPATH 8542.32.00.51 1 E0 Олово/Свине (SN85PB15) В дар 3 n 3,6 -4,5 n 5,5. Квадран J Bend 220 3,3 В. 1,27 ММ EPC2 3,6 В. 3В 30 Фельоспоминания 3.3/5. 0,05 Ма Н.Квалиирована S-PQCC-J20 1,6 мБ 12,5 мг 1695680x1 1 1695680 Ибит Серриал 0 0001а СПАМЕРКОНКОН В.
EPC1LC20N EPC1LC20N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) МИГ Синжронно 4572 мм ROHS COMPRINT /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 20-LCC (J-Lead) 8 9662 ММ 8 9662 ММ 20 3A991.B.2.a OTakжeSOTRATATHPATH Сообщите 8542.32.00.61 1 E3 МАНЕВОВО В дар 3 n 3,6 -4,75 ЕСЛЕДИТЕЛЬНОСТИ ~ 5,25 Квадран J Bend 245 3,3 В. 1,27 ММ EPC1 3,6 В. 3В 40 3.3/5. 0,05 Ма Н.Квалиирована S-PQCC-J20 1 март 3-шТат 10 мг 1046496x1 1 1046496 Ибит Серриал Обших СПАМЕРКОНКОН От
EPC2TC32N EPC2TC32N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 1,2 ММ ROHS COMPRINT 2016 /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 32-TQFP 7 мм 7 мм 32 Ear99 OTakжeSOTRATATHPATH Сообщите 8542.32.00.51 1 E3 МАНЕВОВО В дар 3 n 3,6 -4,75 ЕСЛЕДИТЕЛЬНОСТИ ~ 5,25 Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм EPC2 3,6 В. 3В 40 Фельоспоминания 3.3/5. 0,05 Ма Н.Квалиирована S-PQFP-G32 1,6 мБ 12,5 мг 1695680x1 1 1695680 Ибит Серриал 0 0001а СПАМЕРКОНКОН В.
EPC8QI100N EPC8QI100N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 2,15 мм ROHS COMPRINT 2016 /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 100-BQFP 20 ММ 14 ММ 100 Ear99 Сообщите 8542.32.00.51 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар 3 В ~ 3,6 В. Квадран Крхлоп 245 3,3 В. 0,65 мм EPC8 3,6 В. 3В 40 Фельоспоминания 3,3 В. 0,09 Ма Н.Квалиирована R-PQFP-G100 8 марта 66,7 мг 512KX16 16 8388608 трит Парлель 0 00015а СПАМЕРКОНКОН В.
EPC2TC32 EPC2TC32 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 1,2 ММ В /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 32-TQFP 7 мм 7 мм 32 Ear99 OTakжeSOTRATATHPATH not_compliant 8542.32.00.51 1 E0 Олово/Свине (SN85PB15) В дар 3 n 3,6 -4,75 ЕСЛЕДИТЕЛЬНОСТИ ~ 5,25 Квадран Крхлоп 235 3,3 В. 0,8 мм EPC2 3,6 В. 3В 30 Фельоспоминания 3.3/5. 0,05 Ма Н.Квалиирована S-PQFP-G32 1,6 мБ 12,5 мг 1695680x1 1 1695680 Ибит Серриал 0 0001а СПАМЕРКОНКОН В.
EPCV4SI8N Epcv4si8n Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Epcv Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт 4 марта В.
EPCS64SI16NGA EPCS64SI16NGA Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPCS Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/terasicinc-p0286-datasheets-0307.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт 64 марта В.
EPC16UC88AB EPC16UC88AB Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 88-LFBGA 3 В ~ 3,6 В. 88-ubga (11x8) 16 марта В.
EPCS4SI8NAA EPCS4SI8NAA Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPCS Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/terasicinc-p0286-datasheets-0307.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт 4 марта В.
EPC16QC100SS EPC16QC100SS Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 100-BQFP 3 В ~ 3,6 В. 100-PQFP (20x14) 16 марта В.
EPCS16SI8N EPCS16SI8N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPCS Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS 40 мг Синжронно ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/terasicinc-p0286-datasheets-0307.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 1,75 мм 3,9 мм 8 3A991.B.1.b.1 Сообщите 8542.32.00.51 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 1,27 ММ EPCS16 3,6 В. 3В 30 3,3 В. 0,015 Ма Н.Квалиирована 135 ° С 85 ° С R-PDSO-G8 16 марта В.С. 16mx1 1 16777216 Ибит Серриал 100000 цiklow зapiysi/stiraNina В.
EPCE8QC100N EPCE8QC100N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 100-BQFP 3 В ~ 3,6 В. Epce8 8 марта В.
EPCE16UC88N Epce16uc88n Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) 88-LFBGA 3 В ~ 3,6 В. 88-ubga (11x8) 16 марта В.
EPC4QI100N EPC4QI100N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 3,4 мм ROHS COMPRINT /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 100-BQFP 20 ММ 14 ММ 100 Ear99 Сообщите 8542.32.00.51 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар 3 В ~ 3,6 В. Квадран Крхлоп 245 3,3 В. 0,65 мм EPC4 3,6 В. 3В 40 Фельоспоминания 3,3 В. 0,09 Ма Н.Квалиирована R-PQFP-G100 4 марта 66,7 мг 256KX16 16 4194304 Ибит Парлель 0 00015а СПАМЕРКОНКОН В.
EPC16UC88 EPC16UC88 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 1,4 мм В /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 88-LFBGA 11 ММ 8 ММ 88 Ear99 8542.32.00.51 1 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар 3 В ~ 3,6 В. Униджин М 260 3,3 В. 0,8 мм EPC16 3,6 В. 3В 40 Фельоспоминания 3,3 В. 0,09 Ма Н.Квалиирована R-PBGA-B88 16 марта 66,7 мг 1mx16 16 16777216 Ибит Парлель 0 00015а СПАМЕРКОНКОН В.
EPC16QC100DM EPC16QC100DM Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 100-BQFP 3 В ~ 3,6 В. 100-PQFP (20x14) 16 марта В.
EPCE16UC88 EPCE16UC88 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) 88-LFBGA 3 В ~ 3,6 В. 88-ubga (11x8) 16 марта В.
EPCQ512SI16N EPCQ512SI16N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Epcq Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка ROHS COMPRINT 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 2,7 В ~ 3,6 В. 512 мБ В.
EPCQ512ASI16N EPCQ512ASI16N Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Epcq Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно /files/intel-epcq16si8n-datasheets-4774.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 16 Сообщите 1 В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 3,3 В. 3,6 В. 2,7 В. R-PDSO-G16 512 мБ 2,7 В. 100 мг 512mx1 1 536870912 БИТ Серриал В.С. В.
EPCE4QC100N Epce4qc100n Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА EPC Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 3,4 мм ROHS COMPRINT /files/intel-epc1064pc8-datasheets-4453.pdf 100-BQFP 20 ММ 14 ММ 100 Сообщите 8542.32.00.51 1 E3 МАГОВОЙ В дар 3 В ~ 3,6 В. Квадран Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,65 мм Epce4 3,6 В. 3В Nukahan R-PQFP-G100 4 марта 4mx1 1 4194304 Ибит Парлель СПАМЕРКОНКОН В.
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)