Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактCPLDS (6007)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | Весели | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | DOSTIчH SVHC | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Н. | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Уровина Скринина | Raзmerpmayti | Nomer- /Водад | ТИП ПАМАТИ | В. | Скороп | Я | Аргитерктура | ASTOTA (MMAKS) | Колист | Коли -теплый | Колист | ТАКТОВА | Органихая | Колист | Колист | Vыхodanaver | Колиство -ложистка | Колиство -ложист | Programmirueemый lologeчeskyйtp | Колист | Колиствор | JTAG BST | ПРОВОРМАЯ МЕМА |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EPM7256ERC208-12 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 70 ° С | 0 ° С | 125 мг | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7256erc20812-datasheets-4256.pdf | QFP | 5в | 5,25 В. | 4,75 В. | 208 | 164 | Eeprom | 12 млн | 90,9 мг | 164 | 5000 | 256 | 16 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM9400LC84-15 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 5,08 мм | ROHS COMPRINT | PLCC | 29,3116 ММ | 29,3116 ММ | 5в | 84 | 5,25 В. | 4,75 В. | 84 | не | 580 шlepanhev; Надруян. | Не | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | J Bend | 220 | 5в | 1,27 ММ | 84 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 59 | Eeprom | 16,2 млн | 117,6 мг | 0 Веслана, 59 ВВОДА/ВОДА | 400 | МАКРОСЕЛЛ | 25 | Ee pld | В дар | В дар | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7256EQC160-20 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 83,33 мг | 4,07 мм | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7256eqc16020-datasheets-4226.pdf | PQFP | 28 ММ | 28 ММ | 5в | 160 | 10 nedely | 5,25 В. | 4,75 В. | 160 | не | Ear99 | Надруян. | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | Крхлоп | 220 | 5в | 0,65 мм | 160 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 132 | Eeprom | 20 млн | 20 | 20 млн | 90,9 мг | 132 | 5000 | 256 | МАКРОСЕЛЛ | 16 | Ee pld | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||
| XC2C256-6VQ100CES | Xilinx | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/xilinx-xc2c2566vq100ces-datasheets-4208.pdf | 1,8 В. | 100 | 6 м | 6 | 6 м | 256 мг | 16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7256EQC160-12 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 125 мг | 4,07 мм | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7256eqc16012-datasheets-4189.pdf | PQFP | 28 ММ | 28 ММ | 5в | 160 | 10 nedely | 5,25 В. | 4,75 В. | 160 | не | Надруян. | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | Крхлоп | 220 | 5в | 0,65 мм | 160 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 132 | Eeprom | 12 млн | 12 | 12 млн | 90,9 мг | 132 | 5000 | 256 | МАКРОСЕЛЛ | 16 | Ee pld | Не | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ATF750C-15JC | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 2 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 71 мг | 4572 мм | В | Дж | 11.5062 ММ | 11.5062 ММ | СОДЕРИТС | 28 | 5,25 В. | 4,75 В. | 28 | не | Ear99 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | 225 | 5в | 1,27 ММ | 28 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 5в | Н.Квалиирована | 10 | Eeprom | 15 млн | 15 млн | 55 мг | 20 | 750 | 10 | МАКРОСЕЛЛ | Ee pld | 11 | Не | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7256EGC192-20 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | PorхnoStnoe krepleplenieene чereherehereherehere of otwerstiee | 1 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 83,33 мг | 5,43 мм | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7256egc19220-datasheets-4151.pdf | 45,15 мм | 45,15 мм | 5в | 192 | 5,25 В. | 4,75 В. | 192 | не | Ear99 | Надруян. | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Петенкюр | PIN/PEG | 220 | 5в | 2,54 мм | 192 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 164 | Eeprom | 20 млн | 20 | 20 млн | 90,9 мг | 164 | 5000 | 256 | МАКРОСЕЛЛ | 16 | Ee pld | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||
| XC2C256-5VQ100CES | Xilinx | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | 1,8 В. | 100 | 5 млн | 5 | 5 млн | 268 мг | 16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7256EGC192-15 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | PorхnoStnoe krepleplenieene чereherehereherehere of otwerstiee | 1 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 100 мг | 5,43 мм | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7256egc19215-datasheets-4121.pdf | 5в | 192 | 10 nedely | 5,25 В. | 4,75 В. | 192 | не | Ear99 | Надруян. | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Петенкюр | PIN/PEG | 220 | 5в | 2,54 мм | 192 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 164 | Eeprom | 15 млн | 15 | 15 млн | 90,9 мг | 164 | 5000 | 256 | МАКРОСЕЛЛ | 16 | Ee pld | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATF750C-10SC | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 2 | 70 ° С | 0 ° С | 90 мг | 2,65 мм | В | Ст | 15,4 мм | 7,5 мм | 5в | СОДЕРИТС | 24 | 5,25 В. | 4,75 В. | 24 | Не | 8542.39.00.01 | E0 | Дон | Крхлоп | 240 | 5в | 1,27 ММ | 24 | Коммер | 30 | 5в | Н.Квалиирована | 10 | Eeprom | 10 млн | 90 мг | 750 | 10 | МАКРОСЕЛЛ | Ee pld | 11 | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7032AELC44-4N | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 250 мг | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7032aelc444n-datasheets-4079.pdf | PLCC | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 44 | 10 nedely | 3,6 В. | 3В | 44 | в дар | Ear99 | Не | E3 | МАНЕВОВО | Квадран | J Bend | 245 | 3,3 В. | 44 | Коммер | 40 | Прогрмируэль -лейгиски | 36 | Eeprom | 4,5 млн | 4 | 4,5 млн | 227,3 мг | 36 | 600 | 32 | МАКРОСЕЛЛ | 2 | Ee pld | В дар | В дар | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7256SRC208-7ES | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATF750C-10PI | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 5334 мм | ROHS COMPRINT | Окунаан | 31.877 ММ | 7,62 мм | 5в | СОДЕРИТС | 24 | 5,5 В. | 4,5 В. | 24 | Не | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Дон | 225 | 5в | 2,54 мм | 24 | Промлэнно | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 5в | Н.Квалиирована | 10 | Eeprom | 90 мг | 750 | 10 | МАКРОСЕЛЛ | Ee pld | 11 | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7256AEFC256-10 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 125 мг | 2,1 мм | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7256aefc25610-datasheets-3974.pdf | FBGA | 17 ММ | 17 ММ | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 256 | 10 nedely | 3,6 В. | 3В | 256 | не | 3A991 | В дар | Не | 8542.39.00.01 | E0 | Olovo/strineц (sn63pb37) | Униджин | Маян | 220 | 3,3 В. | 1 ММ | 256 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 164 | Eeprom | 10 млн | 10 | 10 млн | 172,4 мг | 164 | 5000 | 256 | МАКРОСЕЛЛ | 16 | Ee pld | В дар | В дар | |||||||||||||||||||||||||||||
| ATF750C-10PC | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 1 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 90 мг | 5334 мм | ROHS COMPRINT | PDIP | 31.877 ММ | 7,62 мм | 5в | СОДЕРИТС | 24 | 5,25 В. | 4,75 В. | 24 | Не | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Дон | 225 | 5в | 2,54 мм | 24 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 5в | Н.Квалиирована | 10 | Eeprom | 10 млн | 90 мг | 750 | 10 | МАКРОСЕЛЛ | Ee pld | 11 | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATF750C-10JI | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 2 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 4572 мм | В | Дж | 11.5062 ММ | 11.5062 ММ | 5в | СОДЕРИТС | 28 | 5,5 В. | 4,5 В. | 28 | Не | НЕИ | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | 225 | 5в | 1,27 ММ | 28 | Промлэнно | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 5в | Н.Квалиирована | 10 | Eeprom | 90 мг | 750 | 10 | МАКРОСЕЛЛ | Ee pld | 11 | Не | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM570T144I5N | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | SMD/SMT | 100 ° С | -40 ° С | CMOS | 304 мг | 55 май | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/altera-epm570t144i5n-datasheets-3905.pdf | TQFP | 20 ММ | 1,4 мм | 20 ММ | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 144 | 12 | НЕИ | 3,6 В. | 2.375V | 144 | в дар | Ear99 | Otakж nomoTOTRATATATH PRI 3,3 В | Не | 55 май | E3 | МАНЕВОВО | Квадран | Крхлоп | 260 | 2,5 В. | 144 | 40 | Прогрмируэль -лейгиски | 1 кб | 116 | В.С. | 8,7 млн | 5 | 8,7 млн | 304 мг | 116 | 440 | МАКРОСЕЛЛ | 570 | 57 | В дар | В дар | |||||||||||||||||||||||||||
| EPM7192EQI160-20 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 83,33 мг | 4,07 мм | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7192eqi16020-datasheets-3867.pdf | PQFP | 28 ММ | 28 ММ | 5в | 160 | 10 nedely | 5,5 В. | 4,5 В. | 160 | не | Ear99 | Надруян. | Не | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | Крхлоп | 220 | 5в | 0,65 мм | 160 | Промлэнно | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 124 | Eeprom | 20 млн | 20 | 20 млн | 90,9 мг | 124 | 3750 | 192 | МАКРОСЕЛЛ | 12 | Ee pld | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||
| ATF750C-10JC | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 2 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 90 мг | 4572 мм | ROHS COMPRINT | Дж | 11.5062 ММ | 11.5062 ММ | 5в | СОДЕРИТС | 28 | 5,25 В. | 4,75 В. | 28 | Не | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | 225 | 5в | 1,27 ММ | 28 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 5в | Н.Квалиирована | 10 | Eeprom | 10 млн | 90 мг | 750 | 10 | МАКРОСЕЛЛ | Ee pld | 11 | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7192EQC160-20 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 83,33 мг | 4,07 мм | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7192eqc16020-datasheets-3832.pdf | PQFP | 28 ММ | 28 ММ | 5в | 160 | 10 nedely | 5,25 В. | 4,75 В. | 160 | не | Ear99 | Надруян. | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | Крхлоп | 220 | 5в | 0,65 мм | 160 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 124 | Eeprom | 20 млн | 20 | 20 млн | 90,9 мг | 124 | 3750 | 192 | МАКРОСЕЛЛ | 12 | Ee pld | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||
| EPM570ZM256C7N | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 85 ° С | 0 ° С | CMOS | 152 мг | 40 май | ROHS COMPRINT | 2003 | /files/altera-epm570zm256c7n-datasheets-3820.pdf | TFBGA | 1,8 В. | 256 | 12 | 1,89 | 1,71 В. | 256 | в дар | Ear99 | Otakж nomoTOTRATATATH PRI 3,3 В | НЕИ | 8542.39.00.01 | 40 май | E1 | Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) | Униджин | Маян | 260 | 1,8 В. | 0,5 мм | 256 | Drugoй | 40 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 1 кб | 160 | В.С. | 15,1 м | 7 | 15,1 м | 152 мг | 160 | 440 | МАКРОСЕЛЛ | 570 | 57 | В дар | В дар | |||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7192EQC160-15 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 100 мг | 4,07 мм | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7192eqc16015-datasheets-3782.pdf | PQFP | 28 ММ | 28 ММ | 5в | 160 | 10 nedely | 5,25 В. | 4,75 В. | 160 | не | Ear99 | Надруян. | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | Крхлоп | 220 | 5в | 0,65 мм | 160 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 124 | Eeprom | 15 млн | 15 | 15 млн | 90,9 мг | 124 | 3750 | 192 | МАКРОСЕЛЛ | 12 | Ee pld | Не | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8867004KA | Cypress Semiconductor Corp | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | 2286 ММ | ROHS COMPRINT | 15 367 мм | 9 652 мм | 24 | 3A001.A.2.C | 10 Mmacrocelov; 1 -е я Обших - Вернее | 8542.39.00.01 | E0 | Olovo/svineц (sn/pb) - горы | В дар | Дон | Плоски | Nukahan | 5в | 1,27 ММ | 24 | ВОЗДЕЛАН | 125 ° С | -55 ° С | 5,5 В. | 4,5 В. | Nukahan | Прогрмируэль -лейгиски | 5в | Н.Квалиирована | R-GDFP-F24 | MIL-STD-883 | 10 | 20 млн | Pal-Type | 10 | 22 | 31,2 мг | 11 Вес, 10, 10 ВВОДА/ВОДА | МАКРОСЕЛЛ | От | 11 | 132 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7192EGC160-15 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | PorхnoStnoe krepleplenieene чereherehereherehere of otwerstiee | 1 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 100 мг | 5,34 мм | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7192egc16015-datasheets-3745.pdf | 39 624 мм | 39 624 мм | 5в | 160 | 5,25 В. | 4,75 В. | 160 | не | Ear99 | Надруян. | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Петенкюр | PIN/PEG | 220 | 5в | 2,54 мм | 160 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 124 | Eeprom | 15 млн | 15 | 15 млн | 90,9 мг | 124 | 3750 | 192 | МАКРОСЕЛЛ | 12 | Ee pld | Не | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATF2500C-20PI | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 71 мг | 4826 мм | ROHS COMPRINT | PDIP | 5в | СОДЕРИТС | 40 | 5,5 В. | 4,5 В. | 40 | не | Ear99 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Дон | 225 | 5в | 2,54 мм | 40 | Промлэнно | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 5в | Н.Квалиирована | 24 | Eeprom | 20 млн | 71 мг | 2500 | 24 | МАКРОСЕЛЛ | Ee pld | 13 | Не | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XC95288XL10TQG144C0962 | Xilinx | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7032AELC44-4 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 1 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 250 мг | 4,57 мм | В | 1998 | /files/altera-epm7032aelc444-datasheets-3693.pdf | PLCC | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 44 | 10 nedely | 3,6 В. | 3В | 44 | не | Ear99 | not_compliant | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | J Bend | 220 | 3,3 В. | 44 | Коммер | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 36 | Eeprom | 4,5 млн | 227,3 мг | 36 | 600 | 32 | МАКРОСЕЛЛ | 2 | Ee pld | В дар | В дар | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XCR3064XL-7CPG56C | Xilinx | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 1,35 мм | ROHS COMPRINT | 6 мм | 6 мм | 3,3 В. | 56 | 56 | в дар | Ear99 | В дар | E1 | Униджин | Маян | 260 | 3,3 В. | 0,5 мм | 56 | Коммер | 3,6 В. | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 48 | Eeprom | 7 | 7,5 млн | 119 мг | 1500 | 64 | МАКРОСЕЛЛ | 4 | Ee pld | В дар | В дар | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM3512AFC256-7N | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 166,67 мг | 3,5 мм | ROHS COMPRINT | 2009 | /files/altera-epm3512afc2567n-datasheets-3663.pdf | FBGA | 17 ММ | 17 ММ | 3,3 В. | 256 | 3,6 В. | 3В | 256 | в дар | 3A991 | В дар | НЕИ | 8542.39.00.01 | E1 | Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) | Униджин | Маян | 260 | 3,3 В. | 1 ММ | 256 | Коммер | 40 | Прогрмируэль -лейгиски | Н.Квалиирована | 208 | Eeprom | 7,5 млн | 7,5 млн | 116,3 мг | 208 | 10000 | 512 | МАКРОСЕЛЛ | 32 | Ee pld | В дар | В дар | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EPM7128EQI100-20 | Алтерна | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 83,33 мг | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/altera-epm7128eqi10020-datasheets-3659.pdf | PQFP | 20 ММ | 2,7 ММ | 14 ММ | 5в | 100 | 12 | 5,5 В. | 4,5 В. | 100 | не | Ear99 | Надруян. | Не | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | Крхлоп | 220 | 5в | 0,65 мм | 100 | Промлэнно | 30 | Прогрмируэль -лейгиски | 84 | Eeprom | 20 млн | 20 | 20 млн | 125 мг | 84 | 2500 | 128 | МАКРОСЕЛЛ | 8 | Ee pld | Не | Не |
