+86 19168759373 info@chipsmt.ru

CPLDS (6007)

Срэйват	Ибрагейн	Сознание	Проиджодель	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Вер (К.)	Raзmer (lxwxh)	Управый	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЧastoTA	ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Шyrina	Опресагионе	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	PBFREE CODE	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	МАКСИМАЛАНА	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	Н.	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Raboч -yemperatura (mamaks)	PoSta	Posta	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Подкейгория	Питания	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Raзmerpmayti	Nomer- /Водад	ТИП ПАМАТИ	Raзmer operativnoй papmayti	Скороп	Я	Коли -теплый	ТАКТОВА	Органихая	Колист	Vыхodanaver	Колиство -ложистка	Колиство -ложист	Programmirueemый lologeчeskyйtp	JTAG BST	Колиствот	ПРОВОРМАЯ МЕМА
		XC95216-15PQ160C4307	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		ATF750CL-15XU	Atmel (Microchip Technology)		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		ATF1504ASL-25AU44-T	Atmel (Microchip Technology)		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		XC95108-10PQ100I4307	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		XC9536-7VQ44I4307	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		XC95144-15TQ100I4307	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		XC95288-15PQ208I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		XC9536-10VQ44I4307	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		LC4256B-75F256AC	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С			12,5 млн		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc4256b75f256ac-datasheets-2551.pdf	FBGA				2,7 В.	2.3	256				Свине, олово	322 мг			12,5 млн																				160	Eeprom		75	7,5 млн	160			256		36	16
		LC4256V-3F256BC	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		384,6 мг	12,5 млн		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc4256v3f256bc-datasheets-2583.pdf	FBGA			3.3в	3,6 В.	3 В	256					322 мг			12,5 млн																				96	Eeprom			3 млн	96			256		36	16
		LC4512B-35FN256C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		384,6 мг	14 май		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc4512b35fn256c-datasheets-2636.pdf	FBGA			2,5 В.	2,7 В.	2.3	256					322 мг			14 май																				100	Eeprom			3,5 млн	100			512		36	32
		LC51024MB-52FN484C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		277 мг	75 май		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc51024mb52fn484c-datasheets-3488.pdf	FBGA			2,5 В.	2,7 В.	2.3	484					250 мг			75 май																			88 кб	100	Eeprom, Sram	64 кб		5,2 млн	100			1024			32
		LC5512MC-45Q208C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		333 мг	22 май		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc5512mc45q208c-datasheets-3532.pdf	PQFP			1,8 В.	1,95	1,65 В.	208					275 мг			22 май																				176	Eeprom, Sram	32 кб		4,5 млн	176			512			16
		LC51024MB-52F484C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		277 мг	75 май		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc51024mb52f484c-datasheets-3484.pdf	FBGA			2,5 В.	2,7 В.	2.3	484					250 мг			75 май																			88 кб	44	Eeprom, Sram	64 кб		5,2 млн	44			1024			32
		LC5512MC-45F484C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		333 мг	22 май		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc5512mc45f484c-datasheets-3528.pdf	FBGA			1,8 В.	1,95	1,65 В.	484					275 мг			22 май																				100	Eeprom, Sram	32 кб		4,5 млн	100			512			16
		LC4256C-75FN256BC	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		178,57 мг	2,5 мая		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc4256c75fn256bc-datasheets-2579.pdf	FBGA			1,8 В.	1,95	1,65 В.	256					322 мг			2,5 мая																				128	Eeprom			7,5 млн	128			256		36	16
		LC4512B-35F256C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		384,6 мг	14 май		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc4512b35f256c-datasheets-2632.pdf	FBGA			2,5 В.	2,7 В.	2.3	256					322 мг			14 май																				48	Eeprom			3,5 млн	48			512		36	32
		LC4512V-75F256C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		178,57 мг	14 май		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc4512v75f256c-datasheets-2665.pdf	FBGA			3.3в	3,6 В.	3 В	256					322 мг			14 май																				48	Eeprom			7,5 млн	48			512		36	32
		LC4256C-5FN256BC	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		227,27 мг	2,5 мая		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc4256c5fn256bc-datasheets-2567.pdf	FBGA			1,8 В.	1,95	1,65 В.	256					322 мг			2,5 мая																				160	Eeprom			5 млн	160			256		36	16
		LC4384V-35F256C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		384,6 мг	13,5 мая		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc4384v35f256c-datasheets-2619.pdf	FBGA			3.3в	3,6 В.	3 В	256					322 мг			13,5 мая																				48	Eeprom			3,5 млн	48			384		36	24
		LC4512C-35F256C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		384,6 мг	4 май		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc4512c35f256c-datasheets-2648.pdf	FBGA			1,8 В.	1,95	1,65 В.	256					322 мг			4 май																				48	Eeprom			3,5 млн	48			512		36	32
		LC5512MC-45F256C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		333 мг	22 май		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc5512mc45f256c-datasheets-3524.pdf	FBGA			1,8 В.	1,95	1,65 В.	256					275 мг			22 май																				176	Eeprom, Sram	32 кб		4,5 млн	176			512			16
		LC5768MC-75FN256C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		200 мг	30 май		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc5768mc75fn256c-datasheets-3540.pdf	FBGA			1,8 В.	1,95	1,65 В.	256					250 мг			30 май																				256	Eeprom, Sram	48 кб		7,5 млн	256			768			24
		LC4512B-5FN256C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		227,27 мг	14 май		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc4512b5fn256c-datasheets-2640.pdf	FBGA			2,5 В.	2,7 В.	2.3	256					322 мг			14 май																				48	Eeprom			5 млн	48			512		36	32
		LC51024MC-75F484C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		200 мг	55 май		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc51024mc75f484c-datasheets-3492.pdf	FBGA			1,8 В.	1,95	1,65 В.	484					250 мг			55 май																			88 кб	48	Eeprom, Sram	64 кб		7,5 млн	48			1024			32
		LC5768MB-75F256C	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		200 мг	40 май		Rohs	/files/latticesemiconductor-lc5768mb75f256c-datasheets-3536.pdf	FBGA			2,5 В.	2,7 В.	2.3	256					250 мг			40 май																				256	Eeprom, Sram	48 кб		7,5 млн	256			768			24
		LC4256V-5FN256AC	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		227,27 мг	12,5 млн		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc4256v5fn256ac-datasheets-2603.pdf	FBGA			3.3в	3,6 В.	3 В	256					322 мг			12,5 млн																				272	Eeprom			5 млн	272			256		36	16
		LC4256C-3F256BC	RongetчaTый poluprovowodonik		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		90 ° С	0 ° С		384,6 мг	2,5 мая		ROHS COMPRINT	/files/latticesemiconductor-lc4256c3f256bc-datasheets-2559.pdf	FBGA			1,8 В.	1,95	1,65 В.	256					322 мг			2,5 мая																				208	Eeprom			3 млн	208			256		36	16
		EPM3256ATC144-7N	Алтерна		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		3			CMOS			1,6 ММ	ROHS COMPRINT			20 ММ	20 ММ					ICON-PBFREE DA	Ear99	В дар			НЕИ	8542.39.00.01		E3	МАНЕВОВО	В дар	Квадран	Крхлоп	260	3,3 В.	0,5 мм	144	Коммер	70 ° С	3,6 В.	3В	40	Прогрмируэль -лейгиски	2,5/3,33,3 В.	Н.Квалиирована	S-PQFP-G144		116				7,5 млн		126,6 мг	0 Вес, 116 ВВОДА/ВОДА	256	МАКРОСЕЛЛ			Ee pld	В дар	144	В дар
		EPM7032SLC44-10N	Алтерна		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		3			CMOS			4572 мм	ROHS COMPRINT			16 5862 ММ	16 5862 ММ					ICON-PBFREE DA	Ear99	В дар			НЕИ	8542.39.00.01		E2	МАТОВА ОЛОВА/МЕДАН (SN/CU)	В дар	Квадран	J Bend	245	5в	1,27 ММ	44	Коммер	70 ° С	5,25 В.	4,75 В.	40	Прогрмируэль -лейгиски	5в	Н.Квалиирована	S-PQCC-J44		36				10 млн		125 мг	0 Веслана, 36 ВВОДА/ВОДА	32	МАКРОСЕЛЛ			Ee pld	В дар	44	В дар

1
2
3
4
5
6
7
8
9
>
> |

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.