Линии задержки Timing ICS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Я

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК ПАКЕТИВАЕТСЯ В. Вес Я Файнкхия Вес Веса Прогрмир, альинья О явке Токпитания. Проп. ЗAdErжKA@nom-sup Колист Колист Я ДОСТУПА На Взёдский Колист
DS1010-300 DS1010-300 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4572 мм В 1999 /files/maximintegrated-ds1010100-datasheets-6316.pdf 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 14 Ear99 not_compliant E0 Не 4,75 -5,25. Дон 240 5в 2,54 мм DS1010 5,25 В. 4,75 В. 20 Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована Liyna зaderжky kremnipe Neprogrammirueemый Не 300 млн 75 май 300 млн 10 1 30ns 300NS 2.08333MHz
DS1100Z-20/T&R DS1100Z-20/T & R. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С В 2011 год /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5в СОДЕРИТС 5,25 В. 4,75 В. 8 Не 4,75 -5,25. DS1100 8 лейт Neprogrammirueemый 5 1 4ns 20ns 4ns 5
DS1021S-50/T&R DS1021S-50/T & R. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 1999 /files/maximintegrated-ds1021s25-datasheets-6257.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) СОДЕРИТС 4,75 -5,25. DS1021 16 лейт Programmirueemый 256 1 10NS 137.5ns 500 л.с.
DS1100M-60 DS1100M-60 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2011 год /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОУДНО ПРИОН 8 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон 240 5в DS1100 20 Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована R-PDIP-T8 Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 60 млн 60 млн 5 1 12NS 60ns
DS1100M-200 DS1100M-200 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон 240 5в DS1100 20 Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована R-PDIP-T8 Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 200 млн 200 млн 5 1 40ns 200ns
DS1013M-25 DS1013M-25 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4572 мм В 1999 /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 Капюни, это то, что Макс Фан и 10 74LS LOAD ON - E3 МАГОВОЙ 4,75 -5,25. Дон 260 5в 2,54 мм DS1013 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T8 CMOS Liyna зaderжky kremnipe МОДА, НЕФЕР Не 25 млн 1 3 25NS
DS1100Z-300 DS1100Z-300 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 5в СОДЕРИТС 8 не Ear99 Не E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 245 5в DS1100 Илини ирши Исиннн 5в R-PDSO-G8 Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 300 млн 300 млн 5 1 60ns 300NS
DS1013-100 DS1013-100 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4572 мм В 1999 /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 19,05 мм 7,62 мм СОДЕРШИТС СВИНЕС 14 Ear99 Капюни, это то, что Макс Фан и 10 74LS LOAD ON - not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон 240 5в 2,54 мм DS1013 5,25 В. 4,75 В. 20 Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована R-PDIP-T14 CMOS Liyna зaderжky kremnipe МОДА, НЕФЕР Не 100 млн 70 май 100 млн 1 3 100ns
DS1100Z-75 DS1100Z-75 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 в дар Ear99 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 5в DS1100 Nukahan Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована R-PDSO-G8 Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 75 м 5 1 15NS 75NS
DS1100Z-30 DS1100Z-30 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 8 в дар Ear99 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 5в DS1100 Nukahan Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 30 млн 30 млн 5 1 6ns 30ns
DS1100LZ-200 DS1100LZ-200 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2006 /files/maximintegrated-ds1100lu250-datasheets-6265.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 8 не Ear99 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар 3 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 245 3,3 В. DS1100L 3,6 В. 3В Nukahan Илини ирши Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 200 млн 200 млн 5 1 40ns 200ns
DS1013M-60 DS1013M-60 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4572 мм В 1999 /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 Капюни, это то, что Макс Фан и 10 74LS LOAD ON - E3 МАГОВОЙ 4,75 -5,25. Дон 260 5в 2,54 мм DS1013 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T8 CMOS Liyna зaderжky kremnipe МОДА, НЕФЕР Не 60 млн 1 3 60ns
DS1013M-20 DS1013M-20 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4572 мм В 1999 /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 Капюни, это то, что Макс Фан и 10 74LS LOAD ON - E3 МАГОВОЙ 4,75 -5,25. Дон Neprigodnnый 5в 2,54 мм DS1013 5,25 В. 4,75 В. Neprigodnnый Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T8 CMOS Liyna зaderжky kremnipe МОДА, НЕФЕР Не 20 млн 1 3 20ns
DS1100M-40 DS1100M-40 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон 240 5в DS1100 20 Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована R-PDIP-T8 Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 40 млн 40 млн 5 1 8ns 40ns
DS1100M-150 DS1100M-150 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) Не 4,75 -5,25. Дон 240 5в DS1100 20 Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована R-PDIP-T8 Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 150 млн 5 1 30ns 150ns
DS1100Z-60/T&R DS1100Z-60/T & R. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С В 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5в СОДЕРИТС 5,25 В. 4,75 В. 8 4,75 -5,25. DS1100 8 лейт Neprogrammirueemый 5 1 12NS 60ns 12NS 5
DS1100M-35 DS1100M-35 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон 240 5в DS1100 20 Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована R-PDIP-T8 Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 35 м 5 1 7ns 35NS
DS1013-25 DS1013-25 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4572 мм В 1999 /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 19,05 мм 7,62 мм СОДЕРИТС 14 Ear99 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 4,75 -5,25. Дон 260 5в 2,54 мм DS1013 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T14 CMOS Liyna зaderжky kremnipe МОДА, НЕФЕР Не 25 млн 1 3 25NS
DS1013M-75 DS1013M-75 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4572 мм В 1999 /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 Капюни, это то, что Макс Фан и 10 74LS LOAD ON - E3 МАГОВОЙ 4,75 -5,25. Дон 260 5в 2,54 мм DS1013 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T8 CMOS Liyna зaderжky kremnipe МОДА, НЕФЕР Не 75 м 1 3 75NS
DS1100LU-45 DS1100LU-45 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2006 /files/maximintegrated-ds1100lu250-datasheets-6265.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 3,3 В. СОДЕРИТС 8 8 не Ear99 Не E0 Олово/Свинен (SN/PB) 3 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 240 3,3 В. DS1100L 3,6 В. 3В 20 Илини ирши Исиннн Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 45 м 5 1 9ns 45NS
DS1100Z-45/T&R DS1100Z-45/T & R. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С В 2011 год /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5в СОДЕРИТС 5,25 В. 4,75 В. Не 4,75 -5,25. DS1100 8 лейт Neprogrammirueemый 5 1 9ns 45NS 9ns 5
DS1100Z-60 DS1100Z-60 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5 ММ 1,5 мм 4 мм 5в СОДЕРИТС 8 8 не Ear99 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 245 5в DS1100 Nukahan Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 60 млн 60 млн 5 1 12NS 60ns
DS1005M-200 DS1005M-200 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 1999 /files/maximintegrated-ds1005m100-datasheets-6356.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон 240 5в DS1005 20 Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована R-PDIP-T8 CMOS/TTL Liyna зaderжky kremnipe Neprogrammirueemый Не 200 млн 200 млн 5 1 40ns 200ns
DS1005S-60 DS1005S-60 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 1999 /files/maximintegrated-ds1005m100-datasheets-6356.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 16 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 5в DS1005 Nukahan Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована CMOS/TTL Liyna зaderжky kremnipe Neprogrammirueemый Не 60 млн 70 май 60 млн 5 1 12NS 60ns
DS1100Z-175 DS1100Z-175 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 5в СОДЕРИТС 8 НЕИ 8 не Не E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 245 5в DS1100 Илини ирши Исиннн 5в Liyna зaderжky kremnipe 175 м 50 ОМ 500 млн Neprogrammirueemый -1ma 12ma Не 175 м 5 1 35NS
DS1100Z-150 DS1100Z-150 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2011 год /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 8 не Ear99 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 245 5в DS1100 Nukahan Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 150 млн 5 1 30ns 150ns
DS1013-15 DS1013-15 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4572 мм В 1999 /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) 19,05 мм 7,62 мм СОДЕРИТС 14 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 4,75 -5,25. Дон 260 5в 2,54 мм DS1013 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T14 CMOS Liyna зaderжky kremnipe МОДА, НЕФЕР Не 15 млн 1 3 15NS
DS1013M-100 DS1013M-100 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 4572 мм В 1999 /files/maximintegrated-ds1013s10-datasheets-6330.pdf 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 Капюни, это то, что Макс Фан и 10 74LS LOAD ON - not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) Не 4,75 -5,25. Дон 245 5в 2,54 мм DS1013 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Илини ирши Исиннн 5в Н.Квалиирована R-PDIP-T8 CMOS Liyna зaderжky kremnipe МОДА, НЕФЕР Не 100 млн 70 май 100 млн 1 3 100ns
DS1100Z-125 DS1100Z-125 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2002 /files/maximintegrated-ds1100u100-datasheets-6224.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5 ММ 1,5 мм 4 мм 5в СОДЕРИТС 8 186.993455mg НЕИ 8 не Ear99 Не E0 Олово/Свинен (SN/PB) 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 245 5в DS1100 Илини ирши Исиннн 5в Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 125 м 5 1 25NS 125ns
DS1100LZ-300 DS1100LZ-300 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 2006 /files/maximintegrated-ds1100lu250-datasheets-6265.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 3,3 В. СОДЕРИТС 8 в дар Ear99 Не E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 3 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. DS1100L 3,6 В. 3В Илини ирши Исиннн R-PDSO-G8 Liyna зaderжky kremnipe 50 ОМ Neprogrammirueemый Не 300 млн 300 млн 5 1 60ns 300NS
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)