Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактЯ
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Губина | Колист | Верна - | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛНА | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Napraheneee - posta | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Я | Телекоммуникации IC THIP | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Vodnana polarnostaph | Питания | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Смерть | ЛОГЕЕСКИЯ ТИП | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Скороп | Вес | Я | Файнкхия | Вес | Прогрмир, альинья | О явке | Токпитания. | Колист | Колист | Я | ДОСТУПА | На | Взёдский |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1100LU-200 | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | /files/rochesterelectronicsllc-d1100lu50tr-datasheets-6174.pdf | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | 3,3 В. | 8-UMAX | Постать | 5 | 40ns | 200ns | 40ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1110E-450+ | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | CMOS | Rohs3 | 2003 | /files/maximintegrated-ds1110e450-datasheets-6184.pdf | 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | 5 ММ | 4,4 мм | 5в | 14 | 6 | 14 | в дар | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 4,75 -5,25. | Дон | Крхлоп | 260 | 5в | 0,65 мм | DS1110 | Nukahan | Исиннн | Н.Квалиирована | Liyna зaderжky kremnipe | Neprogrammirueemый | Не | 450 млн | 10 | 1 | 45NS | 450ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E195FN | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10E | Пефер | 0 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 3 (168 чASOW) | В | /files/rochesterelectronicsllc-mc10e195fn-datasheets-6198.pdf | 28-LCC (J-Lead) | в дар | 4,2 В ~ 5,7 В. | Актияялинья | Programmirueemый | 128 | 1 | 1,39ns | 1,39NS ~ 363NS | 20 л.С. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1100LU-100/T & R. | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | /files/rochesterelectronicsllc-d1100lu50tr-datasheets-6174.pdf | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | 3 В ~ 3,6 В. | 8-UMAX | Neprogrammirueemый | 5 | 1 | 20ns | 100ns | 20ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E196FNG | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 100e | Пефер | 0 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 3 (168 чASOW) | Эkl | 4,57 мм | Rohs3 | /files/rochesterelectronicsllc-mc100e196fng-datasheets-6200.pdf | 28-LCC (J-Lead) | 28 | не | Rerжim necl: vcc = 0 с Vee = -4,2 v -5,7 | E3 | МАГОВОЙ | В дар | 4,2 В ~ 5,7 В. | Квадран | J Bend | 260 | 5в | 5,7 В. | 4,2 В. | 40 | Додер | Коммер | S-PQCC-J28 | Актияялинья | Programmirueemый | Otkrыtый эmiTter | В дар | 3,63 млн | 128 | 1 | 1,39ns | 1,39NS ~ 363NS | 20 л.С. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1100LU-20/T & R. | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | /files/rochesterelectronicsllc-d1100lu50tr-datasheets-6174.pdf | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | 3 В ~ 3,6 В. | 8-UMAX | Neprogrammirueemый | 5 | 1 | 4ns | 20ns | 4ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HMC910LC4BTR-R5 | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 70 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | 70 ° С | -40 ° С | Rohs3 | /files/analogdevicesinc-hmc910lc4btrr5-datasheets-6091.pdf | 24-tfcqfn otkrыtai-anploщadca | СОДЕРИТС | 10 nedely | 24 | Проиджодво (posleDene obnowyneee: 1 ноял | 3 В ~ 3,6 В. | HMC910 | 24-CSMT (4x4) | Programmirueemый | 0 ~ 70ps | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1023S-50+T. | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 0 ° C ~ 70 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | CMOS | 2,65 мм | Rohs3 | 2005 | /files/maximintegrated-ds1023s500trtr-datasheets-6066.pdf | 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) | 7,5 мм | 5в | СОУДНО ПРИОН | 16 | 8 | в дар | Ear99 | Не | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 4,75 -5,25. | Дон | Крхлоп | 260 | 5в | DS1023 | Илини ирши | Исиннн | 5в | Liyna зaderжky kremnipe | 1-VSTREL, PROGRAMMIRUEEMый | В дар | 140 м | 60 май | 256 | 1 | 16.5ns | 127.5ns | 500 л.с. | 25 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY89296UMG-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Precision Edge® | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | 85 ° С | -40 ° С | Rohs3 | /files/microchiptechnology-sy89296umgtr-datasheets-6104.pdf | 32-VFQFN PAD, 32-MLP® | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 5 nedely | 32 | 4,28 | 2375 ЕГО 3,6 В. | SY89296 | 32-MLF® (5x5) | Programmirueemый | 1024 | 1 | 3.2NS | 3,2NS ~ 14,8NS | 10 л.с. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HMC856LC5TR | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Digi-Reel® | 3 (168 чASOW) | 185ma | Rohs3 | /files/analogdevicesinc-hmc856lc5tr-datasheets-6109.pdf | 32-tfcqfn otkrыtai-an-ploщadca | 5 ММ | 5 ММ | -3,3 В. | СОДЕРИТС | 32 | 188.609377mg | 32 | Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) | не | ВОЛЕРФАРМ/АНЕКЕЛЯ/зOLOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOTOt | -2,9 В ~ -3,7 В. | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 3,3 В. | HMC856 | Сэмана ведуя | 30 | 28 гвит / с | 255 пс | Programmirueemый | 1 | 100 с | 3PS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EP196VTG-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 100EP, ECL Pro® | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 2 (1 годы) | 85 ° С | -40 ° С | Rohs3 | 2004 | /files/microchiptechnology-sy100ep196vtgtr-datasheets-6120.pdf | 32-TQFP | 7 мм | 7 мм | 8 | 5,5 В. | 3В | 32 | 3 n 5,5. | SY100EP196 | 32-TQFP (7x7) | Programmirueemый | 1024 | 1 | 2.05NS | 2.05NS ~ 12,2NS | 10 л.с. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP196FAR2G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 100эP | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 2 (1 годы) | Эkl | Rohs3 | 2006 | /files/ONSEMORONDURTOR-MC100EP196FAR2G-DATASHEETS-6062.pdf | 32-LQFP | 7 мм | СОУДНО ПРИОН | 7 мм | 32 | 25 | 32 | Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) | в дар | Rerжim necl: vcc = 0 с Vee = -3,0 v -3,6 | Не | E3 | Олово (sn) | БЕЗОПАСНЫЙ | 3 В ~ 3,6 В. | Квадран | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | MC100EP196 | 3,6 В. | 3В | 40 | Илини ирши | Додер | +-3,3 В. | Programmirueemый | В дар | 12,2 млн | 1024 | 1 | 2.36NS | 2.36NS ~ 12.258NS | 10 л.с. | |||||||||||||||||||||||||||||
| DS1023S-500+T & R. | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | 0 ° C ~ 70 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2001 | /files/maximintegrated-ds1023s500trtr-datasheets-6066.pdf | 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) | 5в | СОУДНО ПРИОН | 8 | 5,25 В. | 4,75 В. | 4,75 -5,25. | DS1023 | 16 лейт | 1-VSTREL, PROGRAMMIRUEEMый | 256 | 1 | 16.5ns | 1275ns | 5NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NB6L295MMNTXG | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Эkl | 1 ММ | Rohs3 | 2007 | /files/onsemoronductor-nb6l295mmntxg-datasheets-6076.pdf | 24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA | 4 мм | 4 мм | СОУДНО ПРИОН | 24 | 6 | 24 | Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря | в дар | Оло | Не | E3 | БЕЗОПАСНЫЙ | 2375 ЕГО 3,6 В. | Квадран | 2,5 В. | NB6L295 | 3,6 В. | Илини ирши | Додер | 6L | 50 ОМ | МОДА, ПРЕГОР | В дар | 16,6 млн | 512 | 2 | 3,2NS, 6,2ns | 3,2NS ~ 8,5NS, 6,2NS ~ 16,6NS | 11ps |
