| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Состав | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Тип конвертера | Тип | Конфигурация | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) | Температурный коэффициент (тип.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CAT521WI-T3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat521wit3-datasheets-2423.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5В | 5,5 В | 2,7 В | 24 кОм | СПИ | 600 мкА | ±20% | 300 частей на миллион/°С | 2,7 В~5,5 В | КАТ521 | 1 | 14-СОИК | Энергонезависимый | Потенциометр | 256 | Линейный | 300 частей на миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5114VI-50-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5114vi10t3-datasheets-1026.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5В | Без свинца | 100 мкА | 6 недель | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | 100 мкА | ±20% | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~6 В | КАТ5114 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 32 | Линейный | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5391LATE+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | БИКМОС | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/maximintegrated-max5393laud-datasheets-2612.pdf | 16-WFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | 0,6 кГц | 16 | 10 кОм | 16 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 2 | 27 мкА | ±25% | 35 частей по миллион/°С | ДА | 1,7 В~5,5 В | КВАД | 1,8 В | 0,5 мм | MAX5391 | 16 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 1,8 В | 256 | Линейный | 200 Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5259WI-00-T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5259wi50t1-datasheets-2366.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 15,3 мм | 7,5 мм | Без свинца | 1 мА | 24 | 100 кОм | 24 | I2C | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 256 | EAR99 | Олово | Нет | 4 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | CAT5259 | 24 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 6В | 256 | Линейный | 200 | ±300 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||
| CAT5419WI-25-T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5419wi10t1-datasheets-0998.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 15,3 мм | 7,47 мм | 5В | Без свинца | 24 | 2,5 кОм | 24 | I2C | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 64 | EAR99 | Нет | 2 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5419 | 24 | 2 | Энергонезависимый | Потенциометр | 2500Ом | 6В | 64 | Линейный | 80 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5386MATE+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max5386latet-datasheets-2524.pdf | 16-WFQFN Открытая колодка | 16 | 50кОм | 16 | СПИ | да | EAR99 | Нет | 1 мкА | ±25% | 35 частей по миллион/°С | ДА | 2,6 В~5,5 В | КВАД | 0,5 мм | МАКС5386 | 16 | 3/5 В | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5270YI-00-GT2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5270yi00gt2-datasheets-2454.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 24 | 100 кОм | 14 | I2C | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 1 мА | ±20% | е4 | Выбираемый адрес | 100 частей на миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | КАТ5270 | 14 | 1 | 3/5 В | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 200 | ±100 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X9418YV24IZ-2.7T1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 5 (48 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-x9418ws24i27t1-datasheets-0229.pdf | 24-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,5 кОм | I2C | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | Матовый олово (Sn) | ±2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | X9418 | НЕ УКАЗАН | 2 | Энергонезависимый | Потенциометр | 64 | Линейный | 150 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5391MATE+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | БИКМОС | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max5393laud-datasheets-2612.pdf | 16-WFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | 0,1 кГц | 16 | 50кОм | 16 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 2 | 27 мкА | ±25% | 35 частей по миллион/°С | ДА | 1,7 В~5,5 В | КВАД | 1,8 В | 0,5 мм | MAX5391 | 16 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 1,8 В | 256 | Линейный | 200 Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5391NATE+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | БИКМОС | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max5393laud-datasheets-2612.pdf | 16-WFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | 0,05 кГц | 16 | 100 кОм | 16 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 2 | 27 мкА | ±25% | 35 частей по миллион/°С | ДА | 1,7 В~5,5 В | КВАД | 1,8 В | 0,5 мм | MAX5391 | 16 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 1,8 В | 256 | Линейный | 200 Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАТ5116ЗИ-Т3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-cat5116vigt3-datasheets-1213.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 8 | 32кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 100 | EAR99 | Нет | 1 | 100 мкА | ±20% | е3 | 300 частей на миллион/°С | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 0,65 мм | КАТ5116 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 32000Ом | 3В | 100 | логарифмический | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5114ZI-00-T3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5114vi10t3-datasheets-1026.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 100 мкА | 5 недель | 6В | 2,5 В | 100 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | 32 | Олово | Нет | 100 мкА | ±20% | 300 частей на миллион/°С | 2,5 В~6 В | КАТ5114 | 1 | 1 | 8-МСОП | Энергонезависимый | Потенциометр | 32 | Линейный | 150 | 300 частей на миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5126VP2I10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-cat5126zi50gt3-datasheets-2331.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 5В | Без свинца | 8 | 26 недель | 10 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 5 мкА | ±20% | е4 | 50 частей по миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,5 мм | КАТ5126 | 8 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 5В | 32 | Линейный | 150 | ±50 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5129TDI-00GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cat5127zi10gt3-datasheets-2279.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 160 мкА | 6 | 11 недель | 100 кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 32 | EAR99 | Нет | 1 | ±20% | е4 | 30 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,95 мм | КАТ5129 | 6 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 100000Ом | 3,3 В | 32 | Линейный | 150 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5124TBI-00GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5110tbi50t3-datasheets-0937.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 6 | 100 кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | 32 | EAR99 | Нет | 1 | ±20% | е4 | 30 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Потенциометр | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,95 мм | КАТ5124 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5125TBI-50GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Потенциометр | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat5110tbi50t3-datasheets-0937.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 6 | 50кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | 32 | EAR99 | Нет | 1 | 25 мкА | ±20% | е4 | 30 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,95 мм | КАТ5125 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5401WI-50-T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5401wi10t1-datasheets-1012.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 50кОм | 24 | СПИ | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | ±20% | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~6 В | КАТ5401 | 24 | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 64 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5259WI-50-T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5259wi50t1-datasheets-2366.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 15,3 мм | 7,5 мм | Без свинца | 24 | 50кОм | 24 | I2C | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 256 | EAR99 | Нет | 4 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | CAT5259 | 24 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 6В | 256 | Линейный | 200 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАТ5127ZD7I10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-cat5127zi10gt3-datasheets-2279.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 2,5 мм | 2 мм | 5В | 8 | 10 кОм | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | да | 32 | EAR99 | Нет | 1 | 260 мкА | ±20% | е4 | 30 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | КАТ5127 | 8 | Цифровые потенциометры | 1 | Р-ПДСО-Н8 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 10000Ом | 3,3 В | 32 | Линейный | 150 | ±300 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5111ZI10 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5111zi00t3-datasheets-5452.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | 10 кОм | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | да | 100 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | совместимый | 1 | ±20% | е3 | 300 частей на миллион/°С | Олово (Вс) | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | КАТ5111 | 8 | 40 | 3/5 В | 1 | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 3В | 100 | Линейный | 300 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5409WI-50-T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5409wi10t1-datasheets-0954.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 15,3 мм | 7,5 мм | 5В | Без свинца | 24 | 50кОм | 24 | I2C | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 64 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | неизвестный | 4 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | КАТ5409 | 24 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 6В | 64 | Линейный | 80 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||
| CAT5114VP2I00GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat5114vi10t3-datasheets-1026.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 5В | Без свинца | 100 мкА | 4 недели | 100 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | 100 мкА | ±20% | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~6 В | КАТ5114 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 32 | Линейный | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22317UFRTZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl22317wfrtz-datasheets-2679.pdf | 10-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 0,001 кГц | 10 | 50кОм | I2C | 128 | 1 | ±3% | Выбираемый адрес | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | ISL22317 | 10 | НЕ УКАЗАН | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5,2 В | 128 | Линейный | 70 | ±10 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5114LI-50-G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5114vi10t3-datasheets-1026.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10,16 мм | 4,95 мм | 7,11 мм | 5В | Без свинца | 100 мкА | 8 | 5 недель | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | ±20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | НЕТ | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 2,54 мм | КАТ5114 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 3В | 32 | Линейный | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5125TBI-00GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5110tbi50t3-datasheets-0937.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 6 | 100 кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | 32 | EAR99 | Нет | 1 | ±20% | е4 | 30 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Потенциометр | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,95 мм | КАТ5125 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL95811WFUZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95811ufuztk-datasheets-2168.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 10 кОм | I2C | ±20% | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL95811 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5401WI-25-T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5401wi10t1-datasheets-1012.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 15,3 мм | 5В | Без свинца | 24 | 2,5 кОм | 24 | СПИ | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 64 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | 4 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Олово (Вс) | Без галогенов | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1,27 мм | КАТ5401 | 24 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Энергонезависимый | Потенциометр | 2500Ом | 6В | 64 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||
| Х9259УС24ИЗ-2,7Т1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-x9259us24iz27-datasheets-1465.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 24 | 50кОм | I2C | 256 | ТАКЖЕ ИМЕЕТ ИНТЕРФЕЙС УПРАВЛЕНИЯ INCR/DECR | 4 | ±20% | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 1,27 мм | X9259 | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 300 Макс. | ±300 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАТ5114ВП2И50ГТ3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5114vi10t3-datasheets-1026.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 5В | Без свинца | 100 мкА | 2 недели | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | 100 мкА | ±20% | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~6 В | КАТ5114 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 32 | Линейный | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5114ZI-00-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5114vi10t3-datasheets-1026.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | Без свинца | 100 мкА | 2 недели | 100 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | 100 мкА | ±20% | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~6 В | КАТ5114 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 32 | Линейный | 150 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.