Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦифровые потенциометры(9826)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Состав | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Тип | Конфигурация | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Закон сопротивления | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) | Температурный коэффициент (тип.) | Минимальное напряжение на клемме резистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CAT5114ZI-10-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5114vi10t3-datasheets-1026.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | Без свинца | 100 мкА | 2 недели | 10 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | 100 мкА | ±20% | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~6 В | КАТ5114 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 32 | Линейный | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5409WI-00-T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5409wi10t1-datasheets-0954.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 15,3 мм | 7,5 мм | 5В | Без свинца | 24 | 100 кОм | 24 | I2C | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 64 | EAR99 | Нет | 4 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 1,27 мм | КАТ5409 | 24 | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 6В | 64 | Линейный | 80 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||
| CAT5114ZI-50-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5114vi10t3-datasheets-1026.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | Без свинца | 100 мкА | 2 недели | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | 100 мкА | ±20% | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~6 В | КАТ5114 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 32 | Линейный | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22317TFRTZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl22317wfrtz-datasheets-2679.pdf | 10-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 0,001 кГц | 10 | 100 кОм | I2C | 128 | 1 | ±3% | Выбираемый адрес | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 0,5 мм | ISL22317 | НЕ УКАЗАН | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 128 | Линейный | 70 | ±10 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5126ZI-50-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-cat5126zi50gt3-datasheets-2331.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 8 | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 32 | EAR99 | Нет | 1 | ±20% | е4 | 50 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | КАТ5126 | 8 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 32 | Линейный | 150 | ±50 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5409WI-25-T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5409wi10t1-datasheets-0954.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 15,3 мм | 7,5 мм | 5В | Без свинца | 24 | 2,5 кОм | 24 | I2C | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 64 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | неизвестный | 4 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | КАТ5409 | 24 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Энергонезависимый | Потенциометр | 2500Ом | 6В | 64 | Линейный | 80 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||
| ISL95811UFUZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95811ufuztk-datasheets-2168.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 50кОм | I2C | ±20% | 2,7 В~5,5 В | ISL95811 | 1 | 8-МСОП | Энергонезависимый | Потенциометр | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5118TBI-10-T3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5118tbi10gt3-datasheets-5900.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 5В | Без свинца | 5 | 10 кОм | 5 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | 32 | Нет | 1 | 25 мкА | ±20% | е3 | 200 частей по миллион/°С | Олово (Вс) | Потенциометр | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5118 | 5 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 32 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22102IV20Z-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl22102ir20z-datasheets-0334.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 18,5 кОм | Кнопка | ±20% | Отключение звука, чувство превышения нуля | 2,7 В~5,5 В | ISL22102 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 32 | логарифмический | ±340 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL90840WIV2027ZT2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl90840uav2027zt2-datasheets-1053.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 10 кОм | I2C | ±20% | Выбираемый адрес | 2,7 В~5,5 В | ISL90840 | 4 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL95811UFRTZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95811ufuztk-datasheets-2168.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 0,25 кГц | 8 | 50кОм | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | 4 части по миллион/°C | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL95811 | НЕ УКАЗАН | 2мА | 1 | С-ПДСО-Н8 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КАТ5221YI25 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5221wi10t1-datasheets-0591.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 5В | Без свинца | 20 | 2,5 кОм | 20 | I2C | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | 64 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | 2 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | КАТ5221 | 20 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Энергонезависимый | Потенциометр | 2500Ом | 6В | 64 | Линейный | 80 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||
| ISL90843UIU1027Z-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl90843uiu1027z-datasheets-1591.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 50кОм | I2C | ±20% | Выбираемый адрес | 2,7 В~5,5 В | ISL90843 | 4 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 70 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5401WI-00-T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5401wi10t1-datasheets-1012.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 5В | Без свинца | 100 кОм | 24 | СПИ | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 1 мА | ±20% | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~6 В | КАТ5401 | 24 | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 64 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22316UFRT10Z-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl22316wfu10z-datasheets-1441.pdf | 10-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 10 | 50кОм | I2C | 128 | 1 | ±20% | Выбираемый адрес | 80 частей на миллион/°С | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | ISL22316 | 10 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5,5 В | 128 | Линейный | 70 | ±80 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5386LATE+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 16-WFQFN Открытая колодка | 3,1 мм | 750 мкм | 3,1 мм | 16 | Неизвестный | 10 кОм | 16 | СПИ | да | EAR99 | Нет | 1 мкА | ±25% | 35 частей по миллион/°С | ДА | 2,6 В~5,5 В | КВАД | 0,5 мм | МАКС5386 | 16 | 3/5 В | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5115ZI-50-T3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5115zi10gt3-datasheets-4565.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | Без свинца | 100 мкА | 16 недель | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 100 мкА | ±20% | е3 | 50 частей по миллион/°С | Без галогенов | 2,5 В~6 В | КАТ5115 | 8 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 32 | Линейный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22317TFRTZ-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl22317wfrtz-datasheets-2679.pdf | 10-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 0,001 кГц | 10 | 100 кОм | I2C | 128 | 1 | ±3% | Выбираемый адрес | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | ISL22317 | НЕ УКАЗАН | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 5,2 В | 128 | Линейный | 70 | ±10 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5114LI-10-G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5114vi10t3-datasheets-1026.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10,16 мм | 4,95 мм | 7,11 мм | 5В | Без свинца | 100 мкА | 8 | 5 недель | 10 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | ±20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | НЕТ | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 2,54 мм | КАТ5114 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 3В | 32 | Линейный | 150 | ||||||||||||||||||||||||||
| ISL22414TFU10Z | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl22414wfu10z-datasheets-1804.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 0,12 кГц | 10 | 100 кОм | СПИ | 256 | 1 | ±20% | е3 | 50 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | ±2,25 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | ISL22414 | НЕ УКАЗАН | 2мА | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 50 частей по миллион/°С | -2,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| X9418WV24IZ-2.7 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 5 (48 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-x9418ws24i27t1-datasheets-0229.pdf | 24-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 10 кОм | I2C | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | Матовый олово (Sn) | ±2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | X9418 | НЕ УКАЗАН | 2 | Энергонезависимый | Потенциометр | 64 | Линейный | 150 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL95811WFRTZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95811ufuztk-datasheets-2168.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 кОм | I2C | ±20% | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL95811 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X9269US24ZT1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 5 (48 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-x9269tv24iz27t1-datasheets-1237.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 50кОм | I2C | ±20% | Выбираемый адрес | 5В | X9269 | 2 | Энергонезависимый | Потенциометр | 256 | Линейный | 150 Макс. | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22102IV20Z | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl22102ir20z-datasheets-0334.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 0,1 кГц | 20 | 18,5 кОм | Кнопка | 32 | 2 | ±20% | Отключение звука, чувство превышения нуля | 340 частей на миллион/°С | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | ISL22102 | 0,75 мА | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 18500Ом | ЛИНЕЙНЫЙ | 32 | логарифмический | ±340 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL95811WFUZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95811ufuztk-datasheets-2168.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 10 кОм | I2C | ±20% | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL95811 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5127ZI-10-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cat5127zi10gt3-datasheets-2279.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 260 мкА | 8 | 8 недель | 10 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 32 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | Золото | 1 | 260 мкА | ±20% | е4 | 30 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | КАТ5127 | 8 | НЕ УКАЗАН | 3/5 В | 1 | Не квалифицированный | Энергонезависимый | Реостат | 10000Ом | 3,3 В | 32 | Линейный | 150 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||
| ИСЛ95811УФУЗ-Т | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95811ufuztk-datasheets-2168.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 50кОм | I2C | ±20% | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL95811 | НЕ УКАЗАН | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22343WFV20Z-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/renesaselectronicsamericainc-isl22343ufr20z-datasheets-1594.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 1 кГц | 20 | 10 кОм | I2C | 256 | 4 | ±20% | Выбираемый адрес | 85 частей на миллион/°С | ДА | 2,25 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL22343 | 20 | НЕ УКАЗАН | 2мА | 4 | Р-ПДСО-G20 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | ±85 частей на миллион/°C | -2,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ISL96017UIRT8Z-TK | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl96017wirt8ztk-datasheets-2181.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 50кОм | I2C | ±20% | 3В~3,6В | ISL96017 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 128 | Линейный | 100 | ±100 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL96017WIRT8Z-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl96017wirt8ztk-datasheets-2181.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 8 | 10 кОм | I2C | 128 | 1 | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL96017 | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н8 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 3,6 В | 128 | Линейный | 100 | ±100 частей на миллион/°C |
