Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦифровые потенциометры(9826)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Состав | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Источники питания | Максимальный ток питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | -3 дБ Пропускная способность | Тип | Конфигурация | Отрицательное напряжение питания-номинальное (Vsup) | Сегодняшний день | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Закон сопротивления | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) | Температурный коэффициент (тип.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CAT5113YI-50-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5113yi50gt3-datasheets-0120.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 100 мкА | 8 | 11 недель | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 100 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | ±20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 0,65 мм | КАТ5113 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 6В | 100 | Линейный | 1000 Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5408ETE+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 16-WQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | 3,3 В | 16 | 6 недель | 10 кОм | 16 | СПИ | да | 32 | EAR99 | Нет | 2 | 100 мкА | ±30% | е3 | Отключение звука, чувство превышения нуля | 35 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | КВАД | 260 | 0,65 мм | МАКС5408 | 16 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 3,6 В | 32 | логарифмический | 1000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4431-104E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchip-mcp4431104eml-datasheets-0093.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 20 | 16 недель | 100кОм | 20 | I2C | 128 | Нет | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 0,5 мм | MCP4431 | 20 | 3/5 В | 4 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АД5170БРМЗ2.5-РЛ7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | 3,5 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevices-ad5170brmz25rl7-datasheets-0095.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5,5 В | Содержит свинец | 3,5 мкА | 8 недель | 5,5 В | 2,7 В | 2,5 кОм | 10 | I2C | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | 256 | Олово | Нет | 3,5 мкА | ±20% | Выбираемый адрес | 35 частей по миллион/°С | 2,7 В~5,5 В | AD5170 | 1 | 1 | 10-МСОП | 4,8 МГц | ОТП | Потенциометр | 256 | Линейный | 160 | 35 частей по миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5112ZI-50-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5112vi00gt3-datasheets-3435.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 200 мкА | 8 | 2 недели | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 32 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | Золото | 1 | 200 мкА | ±20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | КАТ5112 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 3В | 32 | Линейный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP42100T-I/SL | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 МГц | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp42010ist-datasheets-2602.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 0,145 кГц | Без свинца | 14 | 14 недель | 100кОм | 14 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 2 | 340 мкА | ±30% | е3 | Каскадный штифт | 800 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | МСР42100 | 14 | 40 | 3/5 В | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 10нА | 100000Ом | 5В | 256 | Линейный | 175 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| X9315USZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-x9315wsz-datasheets-3121.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 6 недель | 50кОм | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | 32 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | 1 | ±20% | е3 | 300 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | X9315 | 8 | 30 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 32 | Линейный | 200 | ±300 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP42100T-I/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp42010ist-datasheets-2602.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,145 кГц | Без свинца | 14 | 10 недель | 100кОм | 14 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 2 | 340 мкА | ±30% | е3 | Каскадный штифт | 800 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | МСР42100 | 14 | 1 | 40 | 3/5 В | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 10нА | 100000Ом | 5В | 256 | Линейный | 175 | |||||||||||||||||||||||||||||
| DS1804U-050+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1804u050tr-datasheets-0104.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | Без свинца | 6 недель | 50кОм | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ±20% | 2,7 В~5,5 В | ДС1804 | 1 | 8-uMAX | Энергонезависимый | Потенциометр | 100 | Линейный | 400 | 750 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5113ZI-10-T3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5113yi10gt3-datasheets-3768.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 100 мкА | 8 | 4 недели | 10 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | 100 | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 100 мкА | ±20% | е3 | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 0,65 мм | КАТ5113 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 6В | 100 | Линейный | 1000 Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1804Z-050+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1804z050tr-datasheets-0110.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5В | Без свинца | 15 недель | 5,5 В | 2,7 В | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | 100 | Нет | 400 мкА | ±20% | 750 частей на миллион/°С | Потенциометр | 2,7 В~5,5 В | ДС1804 | 1 | 8-СОИК | Энергонезависимый | Потенциометр | 100 | Линейный | 400 | 750 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP42010T-E/ST | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp42010ist-datasheets-2602.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 1 кГц | Без свинца | 14 | 13 недель | 10 кОм | 14 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 2 | 340 мкА | ±20% | е3 | Каскадный штифт | 800 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP42010 | 14 | 40 | 3/5 В | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 10нА | 10000Ом | 5В | 256 | Линейный | 73 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5113YI-00-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5113yi10gt3-datasheets-3768.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 100 мкА | 8 | 2 недели | 100кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 100 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | ±20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 0,65 мм | КАТ5113 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 6В | 100 | Линейный | 1000 Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5221YI-25-T2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5221wi10t1-datasheets-0591.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 5В | Без свинца | 1 мА | 20 | 2 недели | 2,5 кОм | 20 | I2C | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 64 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | Олово | 2 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | КАТ5221 | 20 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Энергонезависимый | Потенциометр | 2500Ом | 6В | 64 | Линейный | 80 | ±300 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22346UFRT20Z-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl22346wfv20z-datasheets-6102.pdf | 20-WFQFN Открытая колодка | 6 недель | 50кОм | I2C | ±20% | Выбираемый адрес | 2,7 В~5,5 В | ISL22346 | 4 | 20-ТКФН (4х4) | Энергонезависимый | Потенциометр | 128 | Линейный | 70 | ±80 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1804U-010+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-ds1804050-datasheets-3052.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | Без свинца | 400 мкА | 6 недель | 5,5 В | 2,7 В | 10 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 100 | Олово | Нет | 400 мкА | ±20% | 750 частей на миллион/°С | Потенциометр | 2,7 В~5,5 В | ДС1804 | 1 | 8-uMAX | Энергонезависимый | Потенциометр | 100 | Линейный | 400 | 750 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP42050T-I/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-mcp42010ist-datasheets-2602.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,28 кГц | Без свинца | 14 | 10 недель | 50кОм | 14 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 2 | 340 мкА | ±30% | е3 | Каскадный штифт | 800 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | МСР42050 | 14 | 40 | 3/5 В | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 10нА | 50000Ом | 5В | 256 | Линейный | 175 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5431CEUB+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/maximintegrated-max5431ceub-datasheets-3777.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 10 | 6 недель | 57кОм | 10 | Параллельно | да | Нет | 1 | 60 мкА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 12 В~15 В ±12 В~15 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 0,5 мм | МАКС5431 | 10 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | -15В | 4 | Линейный | 14 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4361T-104E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mcp4362103est-datasheets-2594.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 0,1 кГц | 20 | 15 недель | 100кОм | 20 | СПИ | да | 257 | EAR99 | Нет | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | MCP4361 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5457EEE+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max5457eee-datasheets-3484.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 16 | 6 недель | 10 кОм | Кнопка | да | EAR99 | 1 | ±30% | е3 | Немой | Матовый олово (Sn) | ДА | ±2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | МАКС5457 | 16 | НЕ УКАЗАН | 3/5 В | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | ЛИНЕЙНЫЙ | 32 | логарифмический | 1000 | 50 частей по миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP42100T-E/SL | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 МГц | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp42010ist-datasheets-2602.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 0,145 кГц | Без свинца | 14 | 14 недель | 100кОм | 14 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 2 | 340 мкА | ±30% | е3 | Каскадный штифт | 800 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | МСР42100 | 14 | 40 | 3/5 В | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 10нА | 100000Ом | 5В | 256 | Линейный | 175 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL23428WFVZ-T7A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl23428tfvztk-datasheets-5030.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 1,2 кГц | 14 | 6 недель | 10 кОм | СПИ | 128 | 2 | ±20% | е3 | 125 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL23428 | 14 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г14 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 128 | Линейный | 70 | 125 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5393MAUD+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/maximintegrated-max5393laud-datasheets-2612.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6 недель | 50кОм | 14 | СПИ | EAR99 | Нет | 27 мкА | ±25% | 35 частей по миллион/°С | 1,7 В~5,5 В | МАКС5393 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 200 Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ23425ТФВЗ-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23425tfruzt7a-datasheets-4360.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,12 кГц | 14 | 5 недель | 100кОм | СПИ | 256 | 2 | ±20% | е3 | 45 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL23425 | 14 | НЕ УКАЗАН | 0,1 мА | 2 | Р-ПДСО-Г14 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 45 частей по миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАТ5122СДИ-50ГТ3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | Без свинца | 25 мкА | 5 | 2 недели | 50кОм | 5 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±25% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5122 | 5 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 16 | Линейный | 200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5456EEE+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max5457eee-datasheets-3484.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 16 | 6 недель | 10 кОм | Кнопка | да | EAR99 | 1 | ±30% | е3 | Немой | Матовый олово (Sn) | ДА | ±2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | МАКС5456 | 16 | НЕ УКАЗАН | 3/5 В | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | ЛИНЕЙНЫЙ | 32 | логарифмический | 1000 | 50 частей по миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5392LAUE+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/maximintegrated-max5392naue-datasheets-2846.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 17 недель | 10 кОм | 16 | I2C | да | EAR99 | Нет | 27 мкА | ±25% | Выбираемый адрес | 35 частей по миллион/°С | 1,7 В~5,5 В | МАКС5392 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 200 Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4351-104E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4332503est-datasheets-5501.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 0,1 кГц | 20 | 15 недель | 100кОм | 20 | СПИ | да | 257 | EAR99 | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | МСР4351 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AD5220BRMZ100-R7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 15 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5220brz50-datasheets-3621.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 5,5 В | 0,069 кГц | Содержит свинец | 15 мкА | 8 | 8 недель | 100кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | 128 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 5 В. | Олово | 1 | 15 мкА | ±30% | е3 | 800 частей на миллион/°С | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | AD5220 | 8 | 30 | 3/5 В | 1 | Не квалифицирован | 650 кГц | Неустойчивый | Потенциометр | 15 мкА | 100000Ом | 128 | Линейный | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5113VI-50-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5113yi10gt3-datasheets-3768.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 100 мкА | 8 | 32 недели | 50кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 100 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | ±20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | КАТ5113 | 8 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 6В | 100 | Линейный | 1000 Макс. |
