Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦифровые потенциометры(9826)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Состав | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | -3 дБ Пропускная способность | Тип | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Конфигурация | Минимальное двойное напряжение питания | Сегодняшний день | Отрицательное напряжение питания-ном. | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) | Температурный коэффициент (тип.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL23425TFRUZ-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23425tfruzt7a-datasheets-4360.pdf | 16-UFQFN | 1,8 мм | 0,12 кГц | 16 | 5 недель | 100кОм | СПИ | 256 | 2 | ±20% | е3 | 45 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,4 мм | ISL23425 | 16 | НЕ УКАЗАН | 0,1 мА | 2 | Р-PQCC-N16 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 45 частей по миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41100T-E/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp42010ist-datasheets-2602.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 0,145 кГц | Без свинца | 8 | 7 недель | 100кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 340 мкА | ±30% | е3 | 800 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | МСР41100 | 8 | 40 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 10нА | 100000Ом | 5В | 256 | Линейный | 175 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL23325TFRUZ-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23325wfruzt7a-datasheets-4465.pdf | 16-UFQFN | 1,8 мм | 0,12 кГц | 16 | 5 недель | 100кОм | I2C | 256 | 2 | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 45 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,4 мм | ISL23325 | 16 | НЕ УКАЗАН | 0,018 мА | 2 | Р-PQCC-N16 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 45 частей по миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV51T-103E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,024 кГц | 20 | 14 недель | 10 кОм | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP45HV51 | 40 | 1 | S-PQCC-N20 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5221YI-10-T2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-cat5221wi10t1-datasheets-0591.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | Без свинца | 1 мА | 20 | 2 недели | 10 кОм | 20 | I2C | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 64 | EAR99 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | Олово | 2 | 1 мА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | КАТ5221 | 20 | НЕ УКАЗАН | 3/5 В | 2 | Не квалифицирован | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 6В | 64 | Линейный | 80 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||
| DS3906U+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-ds3906u-datasheets-4573.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | Без свинца | 6 недель | 1,45 кОм 2,54 кОм | 10 | I2C | 64 | Нет | ±20% | Выбираемый адрес | 60 частей на миллион/°С | 2,7 В~5,5 В | DS3906 | 3 | 10-uMAX | Энергонезависимый | Реостат | 64 | Псевдологарифмический | 60 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AD5113BCPZ10-500R7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 750 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5111bcpz80500r7-datasheets-4303.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка, ЦСП | 2 мм | 600 мкм | 2 мм | 5,5 В | 2 кГц | Содержит свинец | 750нА | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 10 кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | 64 | EAR99 | Нет | 1 | 750нА | ±8% | е4 | 35 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,3 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | AD5113 | 8 | 30 | 2,5/5 В | 1 | 4 МГц | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 64 | Линейный | 70 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ISL23325WFRUZ-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23325wfruzt7a-datasheets-4465.pdf | 16-UFQFN | 1,8 мм | 1,2 кГц | 16 | 5 недель | 10 кОм | I2C | 256 | 2 | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 125 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,4 мм | ISL23325 | 16 | НЕ УКАЗАН | 0,018 мА | 2 | Р-PQCC-N16 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 125 частей на миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22326WFR16Z-ТК | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-isl22326wfv14z-datasheets-1702.pdf | 16-TQFN Открытая колодка | 6 недель | 10 кОм | I2C | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL22326 | 16 | НЕ УКАЗАН | 2 | Энергонезависимый | Потенциометр | 128 | Линейный | 70 | ±50 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL23425WFVZ-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23425tfruzt7a-datasheets-4360.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 недель | 10 кОм | СПИ | ±20% | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | ISL23425 | 14 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 70 | 125 частей на миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1881E-050+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/maximintegrated-ds1881e050-datasheets-1399.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 6 недель | 45 кОм | I2C | ±20% | Отключение звука, выбираем адрес датчика, пересечения нуля | 30 частей по миллион/°С | 2,7 В~5,5 В | ДС1881 | 2 | 16-ЦСОП | Энергонезависимый | Потенциометр | 64 | логарифмический | 160 | 750 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X9015US8IZT1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-x9015us8iz-datasheets-2842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 50кОм | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ±20% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 5В | НЕ УКАЗАН | X9015 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 32 | Линейный | 200 | ±300 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ23325ТФВЗ-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23325wfruzt7a-datasheets-4465.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,12 кГц | 14 | 5 недель | 100кОм | I2C | 256 | 2 | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 45 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL23325 | 14 | НЕ УКАЗАН | 0,018 мА | 2 | Р-ПДСО-Г14 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 45 частей по миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AD5171BRJZ100-R7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 400 кГц | 4мкА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5171brjz5r7-datasheets-4275.pdf | СОТ-23-8 | 2,9 мм | 5,5 В | 0,06 кГц | Содержит свинец | 4мкА | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 100кОм | 8 | I2C | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | 64 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 4мкА | ±30% | е4 | Выбираемый адрес | 35 частей по миллион/°С | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | AD5171 | 8 | 30 | 3/5 В | 1 | 1,5 МГц | ОТП | Потенциометр | 4мкА | 100000Ом | 3В | 64 | Линейный | 60 | |||||||||||||||||||||||||
| ISL23425TFVZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23425tfruzt7a-datasheets-4360.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,12 кГц | 14 | 7 недель | 100кОм | СПИ | 256 | 2 | ±20% | е3 | 45 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL23425 | 14 | НЕ УКАЗАН | 0,1 мА | 2 | Р-ПДСО-Г14 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 45 частей по миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1881Z-050+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/maximintegrated-ds1881e050-datasheets-1399.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 6 недель | 45 кОм | I2C | ±20% | Отключение звука, выбираем адрес датчика, пересечения нуля | 2,7 В~5,5 В | ДС1881 | 2 | 16-СО | Энергонезависимый | Потенциометр | 64 | логарифмический | 160 | 750 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL23425WFRUZ-ТК | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23425tfruzt7a-datasheets-4360.pdf | 16-UFQFN | 1,8 мм | 1,2 кГц | 16 | 5 недель | 10 кОм | СПИ | 256 | 2 | ±20% | е3 | 125 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,4 мм | ISL23425 | 16 | НЕ УКАЗАН | 0,1 мА | 2 | Р-PQCC-N16 | Неустойчивый | Потенциометр | 1000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 125 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS3901E+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/maximintegrated-ds3901etr-datasheets-3966.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | Без свинца | 14 | 6 недель | 20 кОм 30 кОм 50 кОм | 14 | I2C | да | 256 | EAR99 | Нет | 3 | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 50 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,4 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | DS3901 | 14 | 3 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL23325TFVZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23325wfruzt7a-datasheets-4465.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,12 кГц | 14 | 7 недель | 100кОм | I2C | 256 | 2 | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 45 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL23325 | 14 | НЕ УКАЗАН | 0,018 мА | 2 | Р-ПДСО-Г14 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 45 частей по миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AD5241BRZ1M-КАТУШКА | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 нА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5242bruz100-datasheets-3045.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 0,006 кГц | Содержит свинец | 100 нА | 14 | 8 недель | 1МОм | 14 | I2C | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | 256 | EAR99 | Олово | 1 | 100 нА | -30% +50% | е3 | Выбираемый адрес | 30 частей по миллион/°С | 2,7 В~5,5 В ±2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | AD5241 | 14 | НЕ УКАЗАН | 3/5 В | 1 | Не квалифицирован | 650 кГц | Неустойчивый | 2,7 В | 2,5 В | Потенциометр | 2,3 В | -2,5 В | 1000000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 60 | |||||||||||||||||||||||||||
| ISL23325WFVZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl23325wfruzt7a-datasheets-4465.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 1,2 кГц | 14 | 7 недель | 10 кОм | I2C | 256 | 2 | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 125 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL23325 | 14 | НЕ УКАЗАН | 0,018 мА | 2 | Р-ПДСО-Г14 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | 125 частей на миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV51T-502E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,024 кГц | 20 | 14 недель | 123,008581мг | 5кОм | 20 | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP45HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X9015US8IZ-2.7T1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-x9015us8iz-datasheets-2842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 50кОм | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ±20% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | X9015 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 32 | Линейный | 400 | ±300 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41HV51T-104E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microchiptechnology-mcp41hv51103est-datasheets-1512.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,48 кГц | 20 | 14 недель | 100кОм | 20 | СПИ | 256 | EAR99 | 1 | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP41HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41HV51T-103E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microchiptechnology-mcp41hv51103est-datasheets-1512.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,48 кГц | 14 | 6 недель | 10 кОм | 14 | СПИ | 256 | EAR99 | 1 | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | MCP41HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41HV51T-103E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-mcp41hv51103est-datasheets-1512.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,48 кГц | 20 | 14 недель | 10 кОм | 20 | СПИ | 256 | EAR99 | 1 | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP41HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5115ZI-50-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cat5115zi10gt3-datasheets-4565.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 100 мкА | 8 | 4 недели | 50кОм | 8 | Серийный | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | е4 | 50 частей по миллион/°С | Потенциометр | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | КАТ5115 | 8 | 2,5/6 В | 1 | Неустойчивый | 50000Ом | 5В | 32 | 50 частей по миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41HV51T-503E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-mcp41hv51103est-datasheets-1512.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,48 кГц | 20 | 14 недель | 50кОм | 20 | СПИ | 256 | EAR99 | 1 | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP41HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV51T-104E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,024 кГц | 20 | 14 недель | 123,008581мг | 100кОм | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP45HV51 | 40 | 1 | S-PQCC-N20 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AD5112BCPZ80-500R7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | 750 мкА | 0,65 мм | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5114bcpz10rl7-datasheets-4110.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка, ЦСП | 2 мм | 5,5 В | 0,2 кГц | Содержит свинец | 750 мкА | 8 | Нет СВХК | 80кОм | 8 | I2C | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 64 | EAR99 | Нет | 1 | 750нА | ±8% | е4 | 35 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В 2,3 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | AD5112 | 8 | 30 | 2,5/5 В | 1 | 4 МГц | Энергонезависимый | Потенциометр | 80000Ом | 64 | Линейный | 70 |
