| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Состав | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | -3 дБ Пропускная способность | Тип конвертера | Тип | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Конфигурация | Минимальное двойное напряжение питания | Сегодняшний день | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Закон сопротивления | Интерфейс управления | Допуск сопротивления-Макс. | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) | Температурный коэффициент (тип.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CAT5120SDI-10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Потенциометр | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | Без свинца | 25 мкА | 6 | 4 недели | 10 кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±25% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5120 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 5,5 В | 16 | Линейный | 200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5417NETA+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max5419peta-datasheets-3341.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 0,1 кГц | 8 | 6 недель | 50кОм | 8 | I2C | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | ±25% | е3 | Выбираемый адрес | 35 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | МАКС5417 | 8 | 3/5 В | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 256 | Линейный | 325 | 35 частей по миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5122TBI-50GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 1,3 мм | 1,6 мм | Без свинца | 25 мкА | 5 | 10 недель | 50кОм | 5 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±25% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5122 | 5 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 16 | Линейный | 200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5121TBI-10GT3 | ОН Полупроводник | 1,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | Без свинца | 25 мкА | 6 | 15 недель | 10 кОм | 6 | 2-проводной, последовательный | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,95 мм | КАТ5121 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 5,5 В | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5115YI-10-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5115zi10gt3-datasheets-4565.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | 20 недель | 10 кОм | да | 32 | EAR99 | 1 | е4 | 50 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | КАТ5115 | 8 | НЕ УКАЗАН | Цифровые потенциометры | 2,5/6 В | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G8 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | 10000Ом | 5В | ЛИНЕЙНЫЙ | УВЕЛИЧЕНИЕ/УМЕНЬШЕНИЕ | 20% | 32 | 50 частей по миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5120SDI-50GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | Без свинца | 25 мкА | 6 | 8 недель | 50кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±25% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5120 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5,5 В | 16 | Линейный | 200 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5121TBI-50GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 25 мкА | 4 недели | 50кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | 25 мкА | ±25% | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | 2,7 В~5,5 В | КАТ5121 | 6 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 16 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5120TBI-50GT3 | ОН Полупроводник | 2,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 25 мкА | 6 | 4 недели | 50кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±25% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,95 мм | КАТ5120 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5,5 В | 16 | Линейный | 200 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4441T-103E/ML | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4461503est-datasheets-4248.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 1 кГц | Без свинца | 20 | 16 недель | 10 кОм | 20 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 4 | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | MCP4441 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4431-503E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 | 11 недель | 50кОм | 20 | I2C | 128 | Нет | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | MCP4431 | 20 | 3/5 В | 4 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4341T-503E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mcp4362103est-datasheets-2594.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,6 мм | 1,05 мм | 4,5 мм | 0,2 кГц | 20 | 11 недель | 50кОм | 20 | СПИ | да | 129 | EAR99 | Нет | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4341 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4342T-503E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-mcp4362103est-datasheets-2594.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 0,2 кГц | 14 | 12 недель | 50кОм | 14 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4342 | 14 | 40 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 4 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 50000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4341T-104E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mcp4362103est-datasheets-2594.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 0,1 кГц | 20 | 15 недель | 100кОм | 20 | СПИ | да | 129 | EAR99 | Нет | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | MCP4341 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4341T-503E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mcp4362103est-datasheets-2594.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 0,2 кГц | 20 | 15 недель | 50кОм | 20 | СПИ | да | 129 | EAR99 | Нет | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | MCP4341 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41010T-E/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp42010ist-datasheets-2602.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 1 кГц | Без свинца | 8 | 7 недель | 10 кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 340 мкА | ±20% | е3 | 800 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP41010 | 8 | 40 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 10нА | 10000Ом | 5В | 256 | Линейный | 73 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5119TBI-50GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cat5119sdi50gt3-datasheets-5897.pdf | СОТ-23-6 | 2 недели | 50кОм | да | EAR99 | совместимый | 2,7 В~5,5 В | КАТ5119 | 6 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 32 | Линейный | 200 частей по миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AD5112BCPZ5-500R7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | 750 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5114bcpz10rl7-datasheets-4110.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка, ЦСП | 2 мм | 550 мкм | 2 мм | 5,5 В | 4 кГц | Содержит свинец | 750 мкА | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 5кОм | 8 | I2C | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | нет | 64 | EAR99 | Нет | 1 | 750нА | ±8% | е4 | 35 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В 2,3 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | AD5112 | 8 | 30 | 2,5/5 В | 1 | 4 МГц | Энергонезависимый | Потенциометр | 5000Ом | 64 | Линейный | 70 | |||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5119TBI-00GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cat5119sdi50gt3-datasheets-5897.pdf | СОТ-23-6 | 2 недели | 100кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | EAR99 | совместимый | 8542.39.00.01 | ±20% | 2,7 В~5,5 В | КАТ5119 | 6 | Неустойчивый | Реостат | 32 | Линейный | 200 | 200 частей по миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5115YI-50-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5115zi10gt3-datasheets-4565.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 100 мкА | 8 | 26 недель | 50кОм | 8 | Серийный | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | 20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | КАТ5115 | 8 | 2,5/6 В | 1 | Неустойчивый | 50000Ом | 5В | 32 | 50 частей по миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41050T-E/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp42010ist-datasheets-2602.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 0,28 кГц | Без свинца | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 340 мкА | ±30% | е3 | 800 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP41050 | 8 | 40 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 10нА | 50000Ом | 5В | 256 | Линейный | 175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5115VI-00-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5115zi10gt3-datasheets-4565.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 100 мкА | 8 | 9 недель | 100кОм | 8 | Серийный | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | 1 | е4 | 50 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | КАТ5115 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2,5/6 В | 1 | Не квалифицирован | Неустойчивый | 100000Ом | 5В | 32 | 50 частей по миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5115VI-10-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5115zi10gt3-datasheets-4565.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 100 мкА | 8 | 10 недель | 10 кОм | 8 | Серийный | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | 1 | 100 мкА | 20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | КАТ5115 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2,5/6 В | 1 | Не квалифицирован | Неустойчивый | 10000Ом | 5В | 32 | 50 частей по миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АД5201БРМЗ50 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 15 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5200brmz50reel7-datasheets-4205.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 850 мкм | 3 мм | 2,7 В | Содержит свинец | 15 мкА | 10 | 8 недель | Нет СВХК | 50кОм | 10 | СПИ | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | EAR99 | Олово | Нет | 15 мкА | ±30% | е3 | 500 частей на миллион/°С | 2,7 В~5,5 В ±2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,5 мм | AD5201 | 10 | +-2,5/3/5 В | 1 | 600 кГц | Неустойчивый | 2,7 В | 2,5 В | Потенциометр | 2,3 В | 15 мкА | 33 | Линейный | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5115YI-00-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5115zi10gt3-datasheets-4565.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 100 мкА | 8 | 10 недель | 100кОм | 8 | Серийный | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | 20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | КАТ5115 | 8 | 2,5/6 В | 1 | Неустойчивый | 100000Ом | 5В | 32 | 50 частей по миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4441T-103E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4461503est-datasheets-4248.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 1 кГц | 20 | 11 недель | 10 кОм | 20 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 4 | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4441 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4441T-502E/ML | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4461503est-datasheets-4248.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 2 кГц | 20 | 16 недель | 5кОм | 20 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 4 | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | MCP4441 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 5000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4342T-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mcp4362103est-datasheets-2594.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 0,1 кГц | 14 | 12 недель | 100кОм | 14 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4342 | 14 | 40 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 4 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 100000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4441T-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4461503est-datasheets-4248.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 0,1 кГц | 20 | 14 недель | 100кОм | 20 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 4 | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4441 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4432-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 14 | 14 недель | 100кОм | 14 | I2C | 128 | Нет | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | MCP4432 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 4 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4341T-502E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mcp4362103est-datasheets-2594.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,6 мм | 1,05 мм | 4,5 мм | 2 кГц | 20 | 11 недель | 5кОм | 20 | СПИ | да | 129 | EAR99 | Нет | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4341 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 5000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.