Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦифровые потенциометры(9826)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Состав | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Тип конвертера | Тип | Максимальное двойное напряжение питания | Конфигурация | Минимальное двойное напряжение питания | Сегодняшний день | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) | Температурный коэффициент (тип.) | Минимальное напряжение на клемме резистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL95810UART8Z-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | 8-WDFN Открытая площадка | 6 недель | 50кОм | I2C | ±20% | 2,7 В~5,5 В | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV51T-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,024 кГц | 14 | 13 недель | 140,30179мг | 100кОм | 14 | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | MCP45HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL22326WFV14Z-TK | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl22326wfv14z-datasheets-1702.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 7 недель | 10 кОм | I2C | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL22326 | 14 | НЕ УКАЗАН | 2 | Энергонезависимый | Потенциометр | 128 | Линейный | 70 | ±50 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV51T-503E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,024 кГц | 20 | 17 недель | 123,008581мг | 50кОм | 20 | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP45HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5389NAUD+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max5389laudt-datasheets-5934.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 17 недель | 100кОм | 14 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | EAR99 | Нет | 1 мкА | ±25% | 35 частей по миллион/°С | 2,6 В~5,5 В | МАКС5389 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 250 | ±35 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5113ZI-00-T3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Потенциометр | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5113yi10gt3-datasheets-3768.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 100 мкА | 8 | 2 недели | 6В | 2,5 В | 100кОм | 8 | Серийный | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 100 | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 100 мкА | е3 | 300 частей на миллион/°С | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 0,65 мм | КАТ5113 | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 1 | Энергонезависимый | 100000Ом | 6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV51T-502E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,024 кГц | 20 | 14 недель | 123,008581мг | 5кОм | 20 | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP45HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X9015US8IZ-2.7T1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-x9015us8iz-datasheets-2842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 50кОм | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ±20% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | X9015 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 32 | Линейный | 400 | ±300 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4142-103E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-mcp4261502esl-datasheets-2538.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 1 кГц | 8 | 14 недель | 10 кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 550 мкА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4142 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 10000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS3901E+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 95°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/maximintegrated-ds3901etr-datasheets-3966.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 6 недель | 5,5 В | 2,4 В | 20 кОм 30 кОм 50 кОм | 14 | I2C | 256 | Олово | Нет | ±20% | Выбираемый адрес | 50 частей по миллион/°С | 2,4 В~5,5 В | DS3901 | 3 | 14-ЦСОП | Энергонезависимый | Потенциометр | 256 | Линейный | 50 частей по миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL95810WIU8Z-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95810wiu8z-datasheets-4570.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | 7 недель | 10 кОм | I2C | 256 | EAR99 | 1 | ±20% | е3 | 45 частей по миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | ISL95810 | 8 | 30 | 1 | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL95810UIRT8Z-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95810wiu8z-datasheets-4570.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 8 | 17 недель | 50кОм | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | 45 частей по миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,65 мм | ISL95810 | 8 | 1 | Р-ПДСО-Н8 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5121SDI-10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | Без свинца | 25 мкА | 6 | 15 недель | 10 кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±25% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5121 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 5,5 В | 16 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL95810WIRT8Z | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95810wiu8z-datasheets-4570.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 8 | 10 недель | 10 кОм | I2C | 256 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | 1 | ±20% | е3 | 45 частей по миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,65 мм | ISL95810 | 8 | 6мА | 1 | С-ПДСО-Н8 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | 2,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41HV31-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microchiptechnology-mcp41hv51103est-datasheets-1512.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5,1 мм | 1,05 мм | 4,5 мм | 0,48 кГц | Без свинца | 14 | 6 недель | Нет СВХК | 100кОм | 14 | СПИ | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 45 мкА | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | MCP41HV31 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 128 | Линейный | 145 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL95810WIRT8Z-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95810wiu8z-datasheets-4570.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 8 | 10 недель | 10 кОм | I2C | 256 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | 1 | ±20% | е3 | 45 частей по миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ISL95810 | 8 | НЕ УКАЗАН | 6мА | 1 | С-ПДСО-Н | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | 2,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV51T-503E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,024 кГц | 14 | 18 недель | 140,30179мг | 50кОм | 14 | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | MCP45HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV51T-103E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,024 кГц | 14 | 6 недель | 140,30179мг | 10 кОм | 14 | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | MCP45HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5115ZI-00-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5115zi10gt3-datasheets-4565.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 100 мкА | 8 | 8 недель | 100кОм | 8 | Серийный | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | е4 | 50 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | КАТ5115 | 8 | 2,5/6 В | 1 | Неустойчивый | 100000Ом | 5В | 32 | 50 частей по миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5122SDI-10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | Без свинца | 25 мкА | 5 | 5 недель | 10 кОм | 5 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±25% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5122 | 5 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 16 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV51T-502E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,024 кГц | 14 | 6 недель | 140,30179мг | 5кОм | 14 | I2C | 256 | 1 | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | MCP45HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41HV51T-502E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microchiptechnology-mcp41hv51103est-datasheets-1512.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,48 кГц | Без свинца | 14 | 6 недель | 5кОм | 14 | СПИ | 256 | EAR99 | 1 | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | MCP41HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41HV51T-502E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-mcp41hv51103est-datasheets-1512.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,48 кГц | 20 | 14 недель | 5кОм | 20 | СПИ | 256 | EAR99 | 1 | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP41HV51 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 256 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5122TBI-10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | Без свинца | 25 мкА | 5 | 6 недель | 10 кОм | 5 | 2-проводной, последовательный | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5122 | 5 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5120TBI-10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | Без свинца | 25 мкА | 6 | 8 недель | 10 кОм | 6 | 2-проводной, последовательный | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,95 мм | КАТ5120 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 5,5 В | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS4301U-200+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/maximintegrated-ds4301u200-datasheets-3898.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 200кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | да | 32 | EAR99 | Нет | 1 | 60 мкА | ±20% | е3 | 250 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,4 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | DS4301 | 8 | 30 | 2,5/5 В | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 30 мкА | 200000Ом | 3,3 В | 32 | Линейный | 500 | ±250 частей на миллион/°C | -0,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5121SDI-50GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5120tbi10gt3-datasheets-3880.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | Без свинца | 25 мкА | 6 | 15 недель | 50кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 16 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±25% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5121 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5,5 В | 16 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL95810UIRT8Z | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl95810wiu8z-datasheets-4570.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 8 | 17 недель | 50кОм | I2C | 256 | ЭНЕРГОЭНЕЖНАЯ ПАМЯТЬ | 1 | ±20% | е3 | 45 частей по миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,65 мм | ISL95810 | 8 | 6мА | 1 | С-ПДСО-Н8 | Энергонезависимый | Потенциометр | 50000Ом | 5,5 В | 256 | Линейный | 70 | ±45 частей на миллион/°C | 2,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4441T-104E/ML | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4461503est-datasheets-4248.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 0,1 кГц | 20 | 16 недель | 100кОм | 20 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 4 | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | MCP4441 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5115VI-50-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5115zi10gt3-datasheets-4565.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 100 мкА | 8 | 8 недель | 50кОм | 8 | Серийный | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 100 мкА | 20% | е4 | 300 частей на миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5115 | 8 | 2,5/6 В | 1 | Неустойчивый | 50000Ом | 5В | 32 | 50 частей по миллион/°C |
