| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Тип конвертера | Тип | Конфигурация | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CAT5110TBI-50GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Потенциометр | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5110tbi00gt3-datasheets-3452.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 50кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 14 часов назад) | да | 32 | EAR99 | Нет | 1 | ±20% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,95 мм | КАТ5110 | 6 | 40 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 200 | |||||||||||||||
| MCP4541T-502E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4642t103emf-datasheets-4052.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 6 недель | 5кОм | 8 | I2C | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4541 | 8 | 40 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 5000Ом | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||
| MCP4252T-503E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,2 кГц | 10 | 7 недель | 50кОм | 10 | СПИ | да | 256 | EAR99 | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP4252 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | Не квалифицированный | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||
| MCP4542T-104E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-mcp4642t103emf-datasheets-4052.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 11 недель | 100кОм | 8 | I2C | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4542 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 100000Ом | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||
| MCP4152T-104E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 14 недель | 100кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4152 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||
| MCP4151T-503E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 0,2 кГц | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | МСР4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||
| MCP4252T-104E/UN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 10 | 14 недель | 100кОм | 10 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP4252 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||
| MCP4232-503E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,2 кГц | 10 | 7 недель | 50кОм | 10 | СПИ | да | 128 | EAR99 | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP4232 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | Не квалифицированный | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||
| MCP4552T-104E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 8 | 11 недель | 100кОм | 8 | I2C | 256 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | МСР4552 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||
| MCP4252T-502E/UN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 10 | 8 недель | 5кОм | 10 | СПИ | да | 256 | EAR99 | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP4252 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | Не квалифицированный | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 5000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||
| MCP4631T-502E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 5В | 16 | 14 недель | 5кОм | 16 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 0,635 мм | MCP4631 | 16 | 40 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||
| MCP4251T-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 5В | 0,1 кГц | 14 | 14 недель | 100кОм | 14 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | МСР4251 | 14 | 40 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||
| MCP4242T-104E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-mcp4261502esl-datasheets-2538.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 10 | 14 недель | 100кОм | 10 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 550 мкА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP4242 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 100000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||
| MCP4152T-502E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4152 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 5000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||
| MCP4152T-502E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4152 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 5000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||
| MCP4631T-503E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5В | 14 | 12 недель | 50кОм | 14 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | MCP4631 | 14 | 40 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP4231T-503E/SL | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 5В | 0,2 кГц | 14 | 7 недель | 50кОм | 14 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4231 | 14 | 40 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||
| MCP4632T-103E/UN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 10 | 14 недель | 10 кОм | 10 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,5 мм | MCP4632 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||
| MCP4231T-502E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 мм | 4 мм | 5В | 2 кГц | 16 | 14 недель | 5кОм | 16 | СПИ | да | 128 | EAR99 | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4231 | 16 | 40 | 2 | Не квалифицированный | Неустойчивый | Потенциометр | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||
| MCP4632T-503E/UN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 10 | 7 недель | 50кОм | 10 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,5 мм | MCP4632 | 10 | 40 | Цифровые потенциометры | 2 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||
| MCP4151T-502E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | МСР4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 5000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||
| MCP4151T-104E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 14 недель | 100кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | МСР4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||
| MCP4551T-103E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 8 | 16 недель | 37,393021мг | 10 кОм | 8 | I2C | 256 | EAR99 | Нет | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,635 мм | МСР4551 | 8 | 40 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||
| MCP4151T-503E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,2 кГц | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | МСР4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||
| MCP4542-503E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-mcp4642t103emf-datasheets-4052.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 950 мкм | 3 мм | 5В | 0,2 кГц | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 50кОм | 8 | I2C | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4542 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 50000Ом | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||
| MCP4141T-103E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4261502esl-datasheets-2538.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 1 кГц | 8 | 14 недель | 10 кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | 1 | 550 мкА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4141 | 8 | 40 | 1 | Не квалифицированный | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||
| MCP4631T-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5В | 14 | 12 недель | 100кОм | 14 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | MCP4631 | 14 | 40 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP4552T-503E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | I2C | 256 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | МСР4552 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||
| MCP4152T-503E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,2 кГц | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4152 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||
| MCP4151T-104E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 14 недель | 100кОм | 8 | СПИ | да | 256 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | МСР4151 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5В | 257 | Линейный | 75 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.