Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦифровые потенциометры(9826)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Состав | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | -3 дБ Пропускная способность | Время урегулирования | Количество битов | Тип конвертера | Тип | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Конфигурация | Минимальное двойное напряжение питания | Сегодняшний день | Отрицательное напряжение питания-ном. | Входной битовый код | Формат ввода | Максимальное оригинальное выходное напряжение | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) | Температурный коэффициент (тип.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MCP4531T-104E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 8 | 15 недель | 100кОм | 8 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | MCP4531 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4141-502E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-mcp4261502esl-datasheets-2538.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 550 мкА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4141 | 8 | 40 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL90462TIE627Z-TK | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl90462wie627ztk-datasheets-3201.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 6 | 6 недель | 100кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | 32 | 1 | ±20% | е3 | 35 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | ISL90462 | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 600 | ±35 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL90461TIH627Z-TK | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl90461uih627ztk-datasheets-3178.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 6 | 17 недель | 100кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | 32 | 1 | ±20% | е3 | 35 частей по миллион/°С | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,95 мм | ISL90461 | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 600 | ±35 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5527GTA+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/maximintegrated-max5527gtat-datasheets-2565.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 0,1 кГц | 8 | 6 недель | 100кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | 64 | EAR99 | 1 | ±25% | е3 | 35 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 5В | 0,65 мм | МАКС5527 | 8 | НЕ УКАЗАН | 3/5 В | 1 | Не квалифицированный | S-XDSO-N8 | Энергонезависимый | Потенциометр | 100000Ом | 64 | Линейный | 125 | 35 частей по миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4132T-502E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4132 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AD5121BCPZ100-RL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | КМОП | 700нА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5141bcpz10rl7-datasheets-9675.pdf | 16-WFQFN Открытая колодка, CSP | 3,1 мм | 750 мкм | 3,1 мм | 5,5 В | 3 кГц | Содержит свинец | 32 мкА | 16 | 8 недель | Нет СВХК | 100кОм | 16 | I2C, СПИ | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 128 | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 700нА | ±8% | е3 | Выбираемый адрес | 35 частей по миллион/°С | 2,3 В~5,5 В ±2,25 В~2,75 В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | AD5121 | 16 | 30 | 1 | 3 МГц | Энергонезависимый | 2,75 В | 2,5 В | Потенциометр | 2,25 В | -2,5 В | 100000Ом | 128 | Линейный | 130 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP47DA1T-A0E/LT | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microchiptechnology-mcp47da1ta0eot-datasheets-5230.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 6 | 5 недель | 30кОм | I2C | 1 | ±20% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | Потенциометр | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5,5 В | MCP47DA1 | 40 | Другие конвертеры | 5,5 В | 0,2 мА | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | 6 мкс | 6 | ЦАП-преобразователь | Неустойчивый | Реостат | ДВОИЧНЫЙ | СЕРИАЛ | 3667 В | 65 | Линейный | 150 частей на миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4531T-503E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 5В | 8 | 8 недель | 50кОм | 8 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | MCP4531 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4132T-104E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 14 недель | 100кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4132 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4531T-502E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 5В | 8 | 8 недель | 5кОм | 8 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,635 мм | MCP4531 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4131T-502E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4131 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL90461UIH627Z-ТК | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-isl90461uih627ztk-datasheets-3178.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 6 | 6 недель | 50кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | 32 | 1 | ±20% | е3 | 35 частей по миллион/°С | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,95 мм | ISL90461 | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 600 | ±35 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4531-503E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 950 мкм | 3 мм | 5В | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 50кОм | 8 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | MCP4531 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4131T-502E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4131 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL90462WIE627Z-TK | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl90462wie627ztk-datasheets-3201.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 6 | 6 недель | 10 кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | 32 | 1 | ±20% | е3 | 35 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | ISL90462 | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 600 | ±35 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL90460WIH527Z-TK | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl90460wih527ztk-datasheets-3208.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 6 недель | 10 кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | ±20% | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL90460 | 5 | НЕ УКАЗАН | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 32 | Линейный | 600 | ±35 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL23418UFUZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl23418ufuz-datasheets-3210.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 0,25 кГц | 10 | 6 недель | 50кОм | СПИ | 128 | 1 | ±20% | е3 | 85 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,2 В~5,5 В 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | ISL23418 | 10 | НЕ УКАЗАН | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5,5 В | 128 | Линейный | 70 | 85 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4131T-104E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5В | 14 недель | 5,5 В | 1,8 В | 100кОм | 8 | СПИ | 128 | Нет | 1 мА | ±20% | 150 частей на миллион/°С | 1,8 В~5,5 В | MCP4131 | 1 | 1 | 8-СОИК | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | 150 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5466EUK+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФлеаПоТ™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/maximintegrated-max5462extt-datasheets-3375.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 5 | 6 недель | 10 кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | 32 | EAR99 | 1 | ±25% | е3 | 35 частей по миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,95 мм | МАКС5466 | 5 | НЕ УКАЗАН | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г5 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 2,7 В | 32 | Линейный | 35 частей по миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AD5273BRJZ1-REEL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 400 кГц | 100нА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5273brjz1reel7-datasheets-2919.pdf | СОТ-23-8 | 2,9 мм | 5,5 В | 6 кГц | Содержит свинец | 100нА | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 1 кОм | 8 | I2C | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | 64 | EAR99 | ЭНЕРГОНОМИЧНАЯ ПАМЯТЬ | Золото | 1 | 100нА | ±30% | е4 | Выбираемый адрес | 300 частей на миллион/°С | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | AD5273 | 8 | 40 | 3/5 В | 1 | Не квалифицированный | 6 МГц | ОТП | Потенциометр | 100нА | 1000Ом | 64 | Линейный | 60 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4552-103E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 850 мкм | 3 мм | 5В | Без свинца | 8 | 14 недель | Нет СВХК | 10 кОм | 8 | I2C | 256 | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | МСР4552 | 8 | 40 | 1 | Цифровые потенциометры | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4021-502E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mcp4021t103esn-datasheets-3800.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 950 мкм | 3 мм | 5В | 2 кГц | Без свинца | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 5кОм | 8 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | 64 | EAR99 | Нет | 1 | 45 мкА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4021 | 8 | 40 | 1 | Энергонезависимый | Потенциометр | 5000Ом | 5В | 64 | Линейный | 70 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4131T-103E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 5В | 1 кГц | 8 | 7 недель | 10 кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4131 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 10000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4131T-503E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 0,2 кГц | 8 | 7 недель | 50кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4131 | 8 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4132T-502E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 2 кГц | 8 | 7 недель | 5кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4132 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 5000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4132T-103E/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 5В | 1 кГц | 8 | 14 недель | 10 кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | MCP4132 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4132T-104E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4151t103ems-datasheets-3821.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 5В | 0,1 кГц | 8 | 14 недель | 100кОм | 8 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 1 | 1 мА | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP4132 | 8 | 40 | Цифровые потенциометры | 1 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АД5282БРУЗ200 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 400 кГц | 25 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-ad5280bruz20-datasheets-2977.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 1,05 мм | 4,4 мм | 15 В | 0,035 кГц | Содержит свинец | 100нА | 16 | 8 недель | Нет СВХК | 200кОм | 16 | I2C | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 256 | EAR99 | Олово | 2 | 25 мкА | ±30% | е3 | Выбираемый адрес | 35 частей по миллион/°С | 4,5 В~16,5 В ±5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | AD5282 | 16 | 30 | 2 | Не квалифицированный | 310 кГц | Неустойчивый | 5,5 В | 5В | Потенциометр | 4,5 В | 100нА | -5В | 200000Ом | 5В | 256 | Линейный | 60 | 30 частей по миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4532-103E/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-mcp4531t103emf-datasheets-3839.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 950 мкм | 3 мм | 5В | Без свинца | 8 | 14 недель | Нет СВХК | 10 кОм | 8 | I2C | EAR99 | Нет | 2,5 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,635 мм | MCP4532 | 8 | 40 | 1 | Цифровые потенциометры | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 129 | Линейный | 75 |
