Энергетические ICS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Энергетические растяжения ICS (610)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Ток - Посткака Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово ТОГАНА Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Rugulyruemый porog Подкейгория Питания Постка -тока Макс (ISUP) Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ Raзmer operativnoй papmayti ШIrIna шinыdannnых Колист UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Колиш Вес ТИП МЕТРА Озибка имер На На Колиствот
HT7017-TR Ht7017-tr ХiTrendd-chytrendd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 /storage/upload/ht7017-tr.pdf
90E36ERGI8 90E36ERGI8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 ROHS COMPRINT Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран Крхлоп 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С Аналеоз Drugie -analogowыe ecs 1,83,3 В. Н.Квалиирована S-PQFP-G48 48
90E46EMGI8 90e46emgi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT Ear99 Сообщите 8542.31.00.01 В дар Квадран Крхлоп 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С Аналеоз Drugie -analogowыe ecs 3,3 В. Н.Квалиирована S-PQFP-G100 100
90E46EMGI 90e46emgi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT Ear99 Сообщите 8542.31.00.01 В дар Квадран Крхлоп 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С Аналеоз Drugie -analogowыe ecs 3,3 В. Н.Квалиирована S-PQFP-G100 100
90E21PYGI8 90e21pygi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 ROHS COMPRINT Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 E3 МАНЕВОВО В дар Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С Аналеоз Drugie -analogowыe ecs 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G28 28
90E22PYGI 90e22pygi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 1,99 мм ROHS COMPRINT 10,2 ММ 5,3 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Rabothotot na 3,3- Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 28 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,6 В. 2,8 В. Аналеоз 30 Drugie -analogowыe ecs 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G28 28
90E32ASERGI 90E32Asergi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1,2 ММ 7 мм 7 мм Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 1 В дар Квадран Крхлоп 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,6 В. 2,8 В. Аналеоз S-PQFP-G48 48
90E32AERGI 90e32aergi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1,2 ММ ROHS COMPRINT 7 мм 7 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 МАГОВОЙ В дар Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,6 В. 2,8 В. Аналеоз 30 S-PQFP-G48 48
90E24PYGI 90e24pygi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С 1,99 мм ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-90e24pygi-datasheets-3007.pdf SSOP 10,2 ММ 5,3 мм 28 3,6 В. 2,8 В. 28 в дар Ear99 Rabothotot na 3,3- Не 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 28 Промлэнно Аналеоз 30 Drugie -analogowыe ecs 3,3 В.
90E24PYGI8 90e24pygi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-90e24pygi8-datasheets-1923.pdf SSOP 28 3,6 В. 2,8 В. 28 Ear99 Не 8542.39.00.01 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм Промлэнно Аналеоз Drugie -analogowыe ecs 3,3 В.
90E23PYGI 90e23pygi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С 1,99 мм ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-90e23pygi-datasheets-0863.pdf SSOP 10,2 ММ 5,3 мм 28 3,6 В. 2,8 В. 28 в дар Ear99 Rabothotot na 3,3- Не 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 28 Промлэнно Аналеоз 0,1 % 30 Drugie -analogowыe ecs 3,3 В.
90E23PYGI8 90e23pygi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-90e23pygi8-datasheets-9744.pdf SSOP 28 3,6 В. 2,8 В. 28 Ear99 Не 8542.39.00.01 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм Промлэнно Аналеоз Drugie -analogowыe ecs 3,3 В.
90E22PYGI8 90e22pygi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-90e22pygi8-datasheets-7402.pdf SSOP 28 3,6 В. 2,8 В. 28 Ear99 Не 8542.39.00.01 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 3,3 В. 0,635 мм Промлэнно Аналеоз Drugie -analogowыe ecs 3,3 В.
90E21PYGI 90e21pygi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Ингрированая сэма (IC) Пефер 1 85 ° С -40 ° С 1,99 мм ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-90e21pygi-datasheets-6342.pdf SSOP 10,2 ММ 5,3 мм 28 3,6 В. 2,8 В. 28 в дар Ear99 Rabothotot na 3,3- Оло 8542.39.00.01 1 E3 Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 28 Промлэнно 0,1 % 30 Drugie -analogowыe ecs 3,3 В. Н.Квалиирована
90E32ASERGI8 90E32Asergi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TQFP 48
90E36ERGI 90e36ergi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С 25 май 1,2 ММ ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-90e36ergi-datasheets-7590.pdf TQFP 7 мм 7 мм 48 3,6 В. 2,8 В. 48 в дар Ear99 8542.39.00.01 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно Аналеоз 30 Drugie -analogowыe ecs 1,83,3 В. Н.Квалиирована
90E32ERGI 90e32ergi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С 23ma 1,2 ММ ROHS COMPRINT 2012 /files/integrateddevicetechnology-90e32ergi-datasheets-5274.pdf TQFP 7 мм 7 мм 48 3,6 В. 2,8 В. 48 в дар Ear99 8542.39.00.01 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно Аналеоз 0,1 % 30 Drugie -analogowыe ecs 1,83,3 В. Н.Квалиирована
90E32ERGI8 90e32ergi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 85 ° С -40 ° С 23ma ROHS COMPRINT TQFP 48 3,6 В. 2,8 В. 48 Ear99 8542.39.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 0,5 мм Промлэнно Аналеоз 0,1 % Drugie -analogowыe ecs 1,83,3 В. Н.Квалиирована
90E36AERGI 90e36aergi ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С 23ma 1,2 ММ ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм 48 3,6 В. 2,8 В. 48 в дар Ear99 8542.39.00.01 1 E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм Промлэнно Аналеоз 30
90E36AERGI8 90E36Aergi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С 23ma ROHS COMPRINT TQFP 3,6 В. 2,8 В. 48
90E32AERGI8 90E32Aergi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TQFP 3,6 В. 2,8 В. 48 Не 0,1 %
AD71157ACPZ AD71157ACPZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 AD71157
AD71157ACPZ-RL AD71157ACPZ-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 AD71157
78M6610+LMU/D01 78M6610+LMU/D01 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 8.1MA Rohs3 2013 /files/maximintegrated-78m6610lmub01t-datasheets-0030.pdf 24-wfqfn или 3,3 В. 24 I2c, spi, uart Не 20 мг 3 В ~ 3,6 В. 78m6610 8 кб В.С. 1,5 кб 24B МИКРОПРЕССОНА АНАСА 1 30 Ком ~ 90 КУМ ОДИНАНАНА 0,8 В. 2в
78M6610+PSU/C48T 78M6610+PSU/C48T МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 8.1MA Rohs3 2012 /files/maximintegrated-78m6610psub00t-datasheets-5101.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 3,3 В. 172.98879 м 16 I2c, spi, uart в дар Ear99 Не 20 мг 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 3 В ~ 3,6 В. 78m6610 8 кб В.С. 1,5 кб 24B МИКРОПРЕССОНА АНАСА 30 Ком ~ 90 КУМ ОДИНАНАНА 0,5 В 0,8 В. 0,6 В 2 В
90E24PYGI8 90e24pygi8 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 28-ssop (0,209, Ирин 5,30 мм) 2,8 В ~ 3,6 В. IDT90E24 28-ssop 1kohm 50 кум ОДИНАНАНА 0,5% 0,4 В 0,8 В. 2,4 В 3,9 В. 6,2 В.
90E21PYGI 90e21pygi Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 28-ssop (0,209, Ирин 5,30 мм) 2,8 В ~ 3,6 В. IDT90E21 28-ssop 1kohm 50 кум ОДИНАНАНА 0,5%
90E22PYGI8 90e22pygi8 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 28-ssop (0,209, Ирин 5,30 мм) 2,8 В ~ 3,6 В. IDT90E22 28-ssop 1kohm 50 кум ОДИНАНАНА 0,5% 0,4 В 0,8 В. 2,4 В 3,9 В. 6,2 В.
ATM90E25-YU-B ATM90E25-YU-B ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Ингрированая сэма (IC) Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С Rohs3 2014 /files/microchiptechnology-atm90e25yur-datasheets-4378.pdf 28-ssop (0,209, Ирин 5,30 мм) 10,2 ММ 28 2,8 В ~ 3,6 В. ATM90E25 28-ssop 1kohm 50 кум ОДИНАНАНА 0,5% 0,4 В 0,8 В. 2 В 2,4 В.
LM25056PSQX/NOPB LM25056PSQX/NOPB Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 1,7 ма 0,8 мм Rohs3 /files/texasinstruments-lm25056psqxnopb-datasheets-0744.pdf 24-wfqfn или 5 ММ 4 мм СОУДНО ПРИОН 24 24 Ear99 Собран Не 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар 3 В ~ 17 В. Квадран 260 12 LM25056 3В 1 САМЕМАПА В дар Синейский зал 2,8 ма 1 ОДИНАНАНА 0,5% 0,9 В. 2.1
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)