Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Flip Flops - Электронные компоненты Sourcing - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА Колист PBFREE CODE Колист Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Взёд Колист Вес Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Коли Ток - Колист Вес ТАКТОВА ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. Maks i (ol) Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ТИП Я Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup Tykuщiй - pocoayщiй (iq)
IDT74FCT374ATSO Idt74fct374atso Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74FCT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericainc-74fct374ctqg8-datasheets-1724.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 74FCT374 1 20 лейт 6pf Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 15 май 48 мая Poloshitelgnый kraй 6,5ns @ 5V, 50pf 1MA
74LVT16374AEV/G,51 74LVT16374AEV/G, 51 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 2 (1 годы) Bicmos 1 ММ ROHS COMPRINT /files/nexperiausainc-74lvt16374adgg118-datasheets-8827.pdf 56-VFBGA 7 мм 4,5 мм 3,3 В. 56 56 2 Лю Nerting В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин М 260 3,3 В. 0,65 мм 74LVT16374 3,6 В. 30 2 Ff/зaщelki Н.Квалиирована Nedrenee 3PF 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf 3 млн Станода 32MA 64MA 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 8 0,064 а 5 млн 5ns @ 3,3 -v, 50pf 150000000 ГГ 120 мка
SN74LVC1G374YEPR SN74LVC1G374YEPR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 0,5 мм Rohs3 6-xfbga, dsbga 0,9 мм 6 6 2 Не Лю 1,65 n 5,5 Униджин М 1,8 В. 0,5 мм 74LVC1G374 5,5 В. 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. LVC/LCX/Z. 3PF 1 Три-Госдарство 1 млн 50pf D-Thep, зaщelca Станода 32MA 32MA 3-шТат 175 мг Poloshitelgnый kraй 0,024 а 4ns @ 5V, 50pf 10 мк
74ALVCH162374PAG8 74ALVCH162374PAG8 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74Alvch Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) /files/renesaselectronicsamericainc-74alvch162374pag8-datasheets-8845.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 2,7 В ~ 3,6 В. 74ALVCH162374 2 48-tssop 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 12 май 12 мая 150 мг Poloshitelgnый kraй 4,6ns @ 3,3 v, 50pf 40 мк
SN74LV374ADGVRG4 SN74LV374ADGVRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 20 TFSOP (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 20 20 2 Тргенд Nerting 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп Nukahan 2,5 В. 0,4 мм 74LV374 5,5 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki 3,3 В. Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. 2.9pf 8 16ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,9 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 19,3 млн Станода 16 май 16 мая 8 3-шТат 170 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10.1ns @ 5V, 50pf 50000000 ГГ 20 мк
SN74F174ANSRG4 SN74F174ANSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74f Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2 ММ Rohs3 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 16 200.686274mg 16 Не Лю Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 74F174 1 Ff/зaщelki 7 F/bыstro 6 20 май Нюртировано 2,7 млн D-Thep, шlepanцы 10 млн Мастера 1 мая 20 мая 140 мг Poloshitelgnый kraй 6 80 мг 55 май 0,02 а Poloshitelgnый kraй 10NS @ 5V, 50pf 80000000 ГГ 45 май
SN74LV374ATDWG4 SN74LV374ATDWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОДЕРИТС 20 500.709277mg 20 не 2 Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 74LV374 5,5 В. 1 Ff/зaщelki 3,3 В. 8 LV/LV-A/LVX/H. 4pf 8 16ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,9 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 19,3 млн Станода 16 май 16 мая 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10.1ns @ 5V, 50pf 50000000 ГГ 2 мкс
SN74AC564NSRG4 SN74AC564NSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74AC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм 20 20 2 Лю Иртировани 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 74AC564 Nukahan 1 Ff/зaщelki 3.3/5. Н.Квалиирована Атмосфер 4.5pf 8 Три-иуджрадво, 4,9 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 14 млн Станода 24 май 24 май 8 3-шТат 95 мг Poloshitelgnый kraй 0,024 а Poloshitelgnый kraй 10,5ns @ 5V, 50pf 4 мка
74FCT2574CTSOCTG4 74FCT2574CTSOCTG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74FCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 250 мг 2,65 мм Rohs3 /files/texasinstruments-74fct2574ctsocte4-datasheets-1922.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 20 2 Лю Nerting 4,75 -5,25. Дон Крхлоп Nukahan 74FCT2574 5,25 В. 4,75 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki Н.Квалиирована Фт 5pf 8 12ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 2 млн 50pf 5,2 млн Станода 15 май 12 мая 3 СОСТИВАЙНА С СЕРИГИНГИ Poloshitelgnый kraй 8 Poloshitelgnый kraй 5.2ns @ 5V, 50pf 200 мк
SN74LVCH16374AGRDR SN74LVCH16374Agrdr Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVCH Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 54-FBGA 5,5 мм 54 не 2 not_compliant Лю 1,65, ~ 3,6 В. Униджин М Nukahan 1,8 В. 74LVCH16374 3,6 В. 1,65 В. Nukahan 2 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PBGA-B54 LVC/LCX/Z. 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 1,5 млн 50pf Станода 8 24 май 24 май 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 4,5 млн Poloshitelgnый kraй 4,9 млн 4,5ns @ 3,3 -v, 50pf 150000000 ГГ 20 мк
SN74LV374ATPWG4 SN74LV374ATPWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм СОДЕРИТС 20 76.997305mg 20 не 2 Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,65 мм 74LV374 5,5 В. 1 Ff/зaщelki 3,3 В. 8 LV/LV-A/LVX/H. 4pf 8 16ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,9 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 19,3 млн Станода 16 май 16 мая 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10.1ns @ 5V, 50pf 50000000 ГГ 2 мкс
SN74S174NSRG4 SN74S174NSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74 с Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2 ММ Rohs3 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм 16 16 Лю Nerting 4,75 -5,25. Дон Крхлоп Nukahan 74S174 5,25 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki 7 Н.Квалиирована Ст 6 20 май Нюртировано 8 млн D-Thep, шlepanцы 17 млн Мастера 1 мая 20 мая 110 мг Poloshitelgnый kraй 6 0,02 а Poloshitelgnый kraй 12ns @ 5V, 15pf 144ma
SN74LVC1G175YEPR SN74LVC1G175YEPR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 0,5 мм Rohs3 6-xfbga, dsbga 0,9 мм 6 not_compliant Лю 1,65 n 5,5 Униджин М Nukahan 1,8 В. 0,5 мм 74LVC1G175 5,5 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-XBGA-B6 LVC/LCX/Z. 3PF 1 Нюртировано 1 млн 50pf Псевдоним 32MA 32MA 3-шТат 175 мг Poloshitelgnый kraй 0,024 а 5,8 млн Poloshitelgnый kraй 4ns @ 5V, 50pf 10 мк
FCT162823ATPACTG4 FCT162823ATPACTG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74FCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-fct162823ctpacte4-datasheets-1162.pdf 56-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 14 ММ 6,1 мм СОУДНО ПРИОН 56 252 792698 м 56 2 Лю Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп Nukahan 0,5 мм 74FCT162823 5,5 В. 4,5 В. Nukahan 2 Ff/зaщelki Н.Квалиирована Фт 4.5pf 9 24ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 1,5 млн 50pf 20 млн Мастера 24 май 24 май 3 СОСТИВАЙНА С СЕРИГИНГИ Poloshitelgnый kraй 9 0,064 а 10 млн Poloshitelgnый kraй 20NS @ 5V, 300PF 500 мк
SN74LVC823ANSRG4 SN74LVC823ANSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 /files/texasinstruments-sn74lvc823ansrg4-datasheets-2367.pdf 24 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм 24 24 2 Спро -раз Лю Nerting 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп Nukahan 1,8 В. 74LVC823 3,6 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki 3,3 В. Н.Квалиирована LVC/LCX/Z. 5pf 9 Три-Госхарство, neryrtyrovano 1,3 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 8,9 млн Мастера 24 май 24 май 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 9 8 млн Poloshitelgnый kraй 8ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк
SN74LVCH16374AZRDR SN74LVCH16374AZRDR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVCH Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 54-FBGA 5,5 мм 54 в дар 2 Лю 1,65, ~ 3,6 В. Униджин М Nukahan 1,8 В. 74LVCH16374 3,6 В. 1,65 В. Nukahan 2 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PBGA-B54 LVC/LCX/Z. 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 1,5 млн 50pf Станода 8 24 май 24 май 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 4,5 млн Poloshitelgnый kraй 4,9 млн 4,5ns @ 3,3 -v, 50pf 150000000 ГГ 20 мк
SN74HC374ADBRG4 SN74HC374ADBRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 2 В ~ 6 В. 74HC374 1 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano 15 млн Станода 8 7,8 мая 7,8 мая 70 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 31ns @ 6V, 50pf 8 мка
SN74AS876DWG4 SN74AS876DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74AS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В Rohs3 /files/texasinstruments-sn74as876dwg4-datasheets-2371.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОДЕРИТС 24 624,398247 м 24 не 2 С. Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Иртировани 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74AS876 2 Ff/зaщelki Кап 8 48 май Три-иуджрадво, 3 млн D-Thep, шlepanцы 10,5 млн Мастера 15 май 48 мая 3-шТат 80 мг Poloshitelgnый kraй 4 Poloshitelgnый kraй 10,5ns @ 5V, 50pf 142ma
SN74LS173ADRG4 SN74LS173ADRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 16 Срезимом твоего; С д. Otklheitth wremaving cl = 5pf Лю Nerting 4,75 -5,25. Дон Крхлоп Nukahan 74LS173 5,25 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki Н.Квалиирована Лаурет 4 24ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 28 млн D-Thep, шlepanцы 30 млн Мастера 2,6 мана 3-шТат 50 мг Poloshitelgnый kraй 4 30 мг Poloshitelgnый kraй 25ns @ 5V, 45pf 25000000 ggц 24ma
SN74LS173ANSRG4 SN74LS173ANSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2 ММ Rohs3 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм 16 16 Лю Nerting 4,75 -5,25. Дон Крхлоп Nukahan 74LS173 5,25 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki Н.Квалиирована Лаурет 4 24ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 28 млн D-Thep, шlepanцы 30 млн Мастера 2,6 мана 3-шТат 50 мг Poloshitelgnый kraй 4 30 мг Poloshitelgnый kraй 25ns @ 5V, 45pf 25000000 ggц 24ma
SN74LV374ATDBG4 SN74LV374ATDBG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 7,2 мм 5,3 мм СОДЕРИТС 20 156.687814mg 20 не 2 Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,65 мм 74LV374 5,5 В. 1 Ff/зaщelki 3,3 В. 8 LV/LV-A/LVX/H. 4pf 8 16ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,9 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 19,3 млн Станода 16 май 16 мая 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10.1ns @ 5V, 50pf 50000000 ГГ 2 мкс
SN74LV374ATDBRG4 SN74LV374ATDBRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 7,2 мм 5,3 мм СОДЕРИТС 20 156.687814mg 20 не 2 Не Лю E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,65 мм 74LV374 5,5 В. 1 Ff/зaщelki 3,3 В. 8 LV/LV-A/LVX/H. 4pf 8 16ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,9 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 19,3 млн Станода 16 май 16 мая 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10.1ns @ 5V, 50pf 50000000 ГГ 2 мкс
SN74LV174ADBRG4 SN74LV174ADBRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 16 128.593437mg 16 Лю Nerting 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп Nukahan 2,5 В. 74LV174 5,5 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki 3,3 В. Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. 1,7 пт 6 12ma Нюртировано 3 млн 50pf 20,6 млн Мастера 12 май 12 мая 6 180 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 9.2ns @ 5V, 50pf 50000000 ГГ 20 мк
CY74FCT574TSOCTG4 Cy74fct574tsoctg4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74FCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 20 2 Лю Nerting 4,75 -5,25. Дон Крхлоп Nukahan 74FCT574 5,25 В. 4,75 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki Н.Квалиирована Фт 5pf 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 2 млн 50pf 10 млн Станода 32MA 64MA 3-шТат Poloshitelgnый kraй 8 0,064 а Poloshitelgnый kraй 10NS @ 5V, 50pf 200 мк
SN74LS107ADRG4 SN74LS107ADRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ТИП JK 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В Rohs3 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 14 129 387224 м 14 не Лю Nerting 4,75 -5,25. Дон Крхлоп Nukahan 74LS107 4,75 В. Nukahan Ff/зaщelki 2 Н.Квалиирована Лаурет 8 май DIFERENцIAL 15 млн 20 млн Мастера 1 400 мк 8 мая 45 мг Negativnoe opreimaheestvo 30 мг 6ma 0,008 а Negativnoe opreimaheestvo 20NS @ 5V, 15pf 30000000 ГГ 6ma
SN74HC374ADBR SN74HC374ADBR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 20 Nerting 2 В ~ 6 В. 74HC374 1 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano 15 млн 240 м Станода 8 7,8 мая 7,8 мая 70 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 31ns @ 6V, 50pf 8 мка
SN74ALS29821DWRG4 SN74ALS29821DWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2,65 мм Rohs3 /files/texasinstruments-sn74als29821dwrg4-datasheets-2324.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 24 24 2 Питани О. Лю Nerting 4,75 -5,25. Дон Крхлоп Nukahan 74ALS29821 5,25 В. 4,75 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki Н.Квалиирована Ас 10 48 май Три-Госхарство, neryrtyrovano 2 млн D-Thep, шlepanцы 16 млн Станода 24 май 48 мая 3-шТат Poloshitelgnый kraй 10 Poloshitelgnый kraй 16NS @ 5V, 300PF 115 май
SN74BCT29821DWRG4 SN74BCT29821DWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74bct Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Bicmos 2,65 мм Rohs3 /files/texasinstruments-sn74bct29821dwe4-datasheets-1293.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 24 24 2 Лю Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп Nukahan 74bct29821 5,5 В. 4,5 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki Н.Квалиирована BCT/FBT 5,5pf 10 Три-Госхарство, neryrtyrovano 7,5 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 10 млн Станода 24 май 48 мая 3-шТат 125 мг Poloshitelgnый kraй 10 35 май 0,048 а Poloshitelgnый kraй 10NS @ 5V, 50pf 10 май
SN74AUC2G79DCURG4 Sn74auc2g79dcurg4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74auc Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 0,9 мм Rohs3 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) СОУДНО ПРИОН 8 9.610488mg 8 в дар Не Лю E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 0,8 В ~ 2,7 В. Дон Крхлоп 260 1,2 В. 0,5 мм 74auc2g79 Ff/зaщelki 2 Аук 2,5 пт Нюртировано 5 млн 2,4 млн Станода 1 9 мая 9 мая 275 мг Poloshitelgnый kraй 1 0,005 а 3,9 млн Poloshitelgnый kraй 1,8ns @ 2,5 v, 30pf 10 мк
SN74AS823ADWRG4 SN74AS823ADWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74AS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2,65 мм Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-sn74as823333adw-datasheets-9746.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 24 24 в дар 2 Спро -раз Лю Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп Nukahan 74AS823 5,5 В. 4,5 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki Н.Квалиирована Кап 9 48 май Три-Госхарство, neryrtyrovano 3,5 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 13 млн Мастера 24 май 48 мая 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 Poloshitelgnый kraй 13ns @ 5V, 50pf 80 май

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.