Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Flip Flops - Электронные компоненты Sourcing - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Взёд Колист DefereneNцiAlnый whod Вес Вес Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Коли Вес Веса Кргителнь ТОК Ток - Колист Колиствоэвов ИНЕРФЕР Вес ТАКТОВА ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. Maks i (ol) ТИП Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup Tykuщiй - pocoayщiй (iq)
74LVC374AMTR 74LVC374AMTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 /files/stmicroelectronics-74LVC374Atttr-datasheets-1919.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 20 в дар 2 Не Лю E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 2,7 В. 74LVC374 3,6 В. 1 Ff/зaщelki 3,3 В. LVC/LCX/Z. 4pf 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 1 млн D-Thep, шlepanцы 9,4 млн Станода 24 май 24 май 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй 0,024 а Poloshitelgnый kraй 8.2ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк
HEC4027BT,118 HEC4027BT, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ТИП JK 4000b Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 1998 /files/nxpusainc-hec4027bt118-datasheets-9382.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар НЕИ E4 Ngecely palladyй В дар 3 В ~ 15 В. Дон Крхлоп 260 4027 30 2 Додер Н.Квалиирована DIFERENцIAL Набор (предустановка) и сброс 1 30 мг Poloshitelgnый kraй 60NS @ 15V, 50pf 16 мка
100351QC 100351QC На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C TC Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-100351qix-datasheets-9032.pdf 28-LCC (J-Lead) 28 28 СДВОНГМИС Nerting -4,2v ~ -5,7 В. Квадран J Bend 100351 1 7 DIFERENцIAL 1 млн D-Thep, шlepanцы 1,8 млн Мастера 6 50 май 50 май 4 375 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй
74LCX16821MTDX 74LCX16821MTDX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74lcx Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74lcx16821mtdx-datasheets-2573.pdf 56-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) СОУДНО ПРИОН 740.007602mg 56 ЗOLOTO Nerting 2 В ~ 3,6 В. 74LCX16821 7pf 20 Три-Госхарство, neryrtyrovano 6,2 млн D-Thep, шlepanцы 6,2 млн Станода 10 20 мк 24 май 24 май 2 150 мг Poloshitelgnый kraй 3 Poloshitelgnый kraй 6,2ns @ 3,3 -v, 50pf
100331SCX 100331scx На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep Пефер 0 ° C ~ 85 ° C TC Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl 2,65 мм /files/onsemyonductor-100331qi-datasheets-8952.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 24 СДОПОЛНИТЕЛИНГИЯ Ustanowitth и isbrosithth Сообщите В дар -4,2v ~ -5,7 В. Дон Крхлоп 100331 3 Додер R-PDSO-G24 DIFERENцIAL Мастера 1 400 мг Poloshitelgnый kraй 400 мг
SN74LS76AN SN74LS76AN Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ТИП JK 74LS Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В 5,08 мм Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 16 не Охрэяль в глайно not_compliant 4,75 -5,25. Дон Nukahan 74LS76 4,75 В. Nukahan 2 Ff/зaщelki Додер Н.Квалиирована Лаурет DIFERENцIAL Инициатор 20 млн Набор (предустановка) и сброс 1 4 май 400 мк 8 мая 45 мг Negativnoe opreimaheestvo 45 мг 6ma Poloshitelgnый kraй 20NS @ 5V, 15pf
100351SCX 100351scx На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep Пефер 0 ° C ~ 85 ° C TC Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl /files/onsemyonductor-100351qix-datasheets-9032.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 24 СДВОНГМИС Сообщите В дар -4,2v ~ -5,7 В. Дон Крхлоп 100351 1 Додер R-PDSO-G24 DIFERENцIAL Мастера 6 375 мг Poloshitelgnый kraй 375 мг
74AC74SCX 74AC74SCX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74AC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 125 мг ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74ac74sj-datasheets-0610.pdf 14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 14 Не 125 мг Nerting 2 В ~ 6 В. 74AC74 2 2 14 лейт 4.5pf 2 DIFERENцIAL 6 м И, д-айп, шlepanцы 16 млн Набор (предустановка) и сброс 1 -24ma 24ma 24 май 24 май 4 160 мг Poloshitelgnый kraй 2 Poloshitelgnый kraй 10NS @ 5V, 50pf 20 мк
74LVC16374ABX,518 74LVC16374ABX, 518 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 0,5 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/nexperiausainc-74lvc16374adl118-datasheets-4998.pdf 60-xfqfn dvoйne raDы, oTkrыTAIN 6 мм 4 мм 60 60 2 Лю E3 МАГОВОЙ Nerting 1 Вт 1,65, ~ 3,6 В. Униджин Приклад Nukahan 3,3 В. 0,5 мм 74LVC16374 3,6 В. 1,65 В. Nukahan 2 Ff/зaщelki 3,3 В. Н.Квалиирована LVC/LCX/Z. 5pf 16 Три-Госхарство, neryrtyrovano 7 млн 50pf 7,5 млн Станода 8 100NA 24 май 24 май 3-шТат 300 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 5,4ns @ 3,3 v, 50pf 1000000000000 gц 20 мк
IDT74ALVCH16721PAG IDT74ALVCH16721PAG Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74Alvch Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) /files/renesaselectronicsamericainc-idt74alvch16721pag-datasheets-9243.pdf 56-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 2,7 В ~ 3,6 В. 74ALVCH16721 1 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 20 24 май 24 май 150 мг Poloshitelgnый kraй 4.3ns @ 3,3 v, 50pf 40 мк
74LCX374MTCX 74LCX374MTCX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74lcx Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/onsemyonductor-74lcx374sj-datasheets-0684.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 20 191 м 20 в дар 2 Ear99 ЗOLOTO Не Лю E4 Nerting 2 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 2,5 В. 0,65 мм 74lcx374 1 Ff/зaщelki 8 LVC/LCX/Z. 7pf 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 8,5 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 10,5 млн Станода 10 мк 24 май 24 май 150 мг Poloshitelgnый kraй 3 0,024 а Poloshitelgnый kraй 8,5ns @ 3,3 -v, 50pf
74VHC175SJX 74VHC175SJX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74VHC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2008 /files/onsemyonductor-74vhc175mtcx-datasheets-8058.pdf 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 16 9 nedely 242 м 16 Активна (Постенни в в дар Ear99 Оло Лю E3 Nerting 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 74VHC175 5,5 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki 2/5,5. 4 Н.Квалиирована AHC/VHC 4pf 4 DIFERENцIAL 4,9 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 9,3 млн Мастера 4 мка 8 мая 8 мая 115 мг Poloshitelgnый kraй 8 Poloshitelgnый kraй 9.3ns @ 5V, 50pf 7500000000 gц
74LVCH16374ABX,518 74LVCH16374ABX, 518 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVCH Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) CMOS 0,5 мм ROHS COMPRINT /files/nexperiausainc-74lvc16374adl118-datasheets-4998.pdf 60-xfqfn dvoйne raDы, oTkrыTAIN 6 мм 4 мм 60 60 2 Лю E3 МАГОВОЙ Nerting 1,65, ~ 3,6 В. Униджин Приклад Nukahan 3,3 В. 0,5 мм 74LVCH16374 3,6 В. 1,65 В. Nukahan 2 Ff/зaщelki 3,3 В. Н.Квалиирована LVC/LCX/Z. 5pf 16 Три-Госхарство, neryrtyrovano 7 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 7,5 млн Станода 8 100NA 24 май 24 май 3-шТат 300 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 5,4ns @ 3,3 v, 50pf 1000000000000 gц 20 мк
74LCX574SJX 74LCX574SJX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74lcx Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/onsemyonductor-74lcx574mtcx-datasheets-0511.pdf 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) СОУДНО ПРИОН 6 481,5 м 20 PosleDonniepoStakky (posledene obnowonee: 4 дня назад) Оло Не Nerting 2 В ~ 3,6 В. 74LCX574 1 8 7pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 8,5 млн D-Thep, шlepanцы 10,5 млн Станода 10 мк 24 май 24 май 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 8,5ns @ 3,3 -v, 50pf
74LCX574WMX 74LCX574WMX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74lcx Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 /files/onsemyonductor-74lcx574mtcx-datasheets-0511.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,493 мм СОУДНО ПРИОН 801 м 20 PosleDonniepoStakky (posledene obnowonee: 4 дня назад) 2 Оло Не Nerting 2 В ~ 3,6 В. 74LCX574 1 8 7pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 8,5 млн D-Thep, шlepanцы 10,5 млн Станода 10 мк 24 май 24 май 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 8,5ns @ 3,3 -v, 50pf
MC14013BFELG MC14013BFELG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 4000b Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS ROHS COMPRINT 2006 /files/onsemoronductor-mc14013bdtr2g-datasheets-8155.pdf 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) СОУДНО ПРИОН 14 14 в дар Лю E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 3v ~ 18v Дон Крхлоп 260 4013 40 Ff/зaщelki 2 Н.Квалиирована 5pf DIFERENцIAL 50 млн 50pf И, д-айп, шlepanцы 350 млн Набор (предустановка) и сброс 1 8,8 мая 8,8 мая 14 мг Poloshitelgnый kraй 1 7 мг Poloshitelgnый kraй 100ns @ 15V, 50pf 4 мка
TLC59212IN TLC59212IN Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos Rohs3 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 20 не Ear99 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Не 4,5 n 5,5. Дон Nukahan 2,54 мм TLC59212 Nukahan 1 Псевриген Н.Квалиирована R-PDIP-T20 5pf Не Станода Пефернут Мастера 8 - 40 май 8 О том, как Poloshitelgnый kraй 210ns @ 5V, 50pf 5 Мка
74LCX374SJX 74LCX374SJX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74lcx Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/onsemyonductor-74lcx374sj-datasheets-0684.pdf 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) СОУДНО ПРИОН 20 481,5 м 20 в дар 2 Ear99 Оло Не Лю E3 Nerting 2 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 2,5 В. 74lcx374 1 Ff/зaщelki 8 LVC/LCX/Z. 7pf 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 8,5 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 8,5 млн Станода 10 мк 24 май 24 май 150 мг Poloshitelgnый kraй 3 0,024 а Poloshitelgnый kraй 8,5ns @ 3,3 -v, 50pf
74VHC273SJX 74VHC273SJX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74VHC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2009 /files/onsemyonductor-74vhc273mtc-datasheets-0856.pdf 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 20 481,5 м 20 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар Ear99 Оло Лю E3 Nerting 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 74VHC273 5,5 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki 2/5,5. 8 Н.Квалиирована AHC/VHC 4pf 8 Нюртировано 5,8 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 11 млн Мастера 4 мка 8 мая 8 мая 10 110 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 11ns @ 5V, 50pf 7500000000 gц
74LVT16374AEVK 74LVT16374AEVK Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 2 (1 годы) ROHS COMPRINT /files/nexperiausainc-74lvt16374adgg118-datasheets-8827.pdf 56-VFBGA 3,3 В. 56 Не 2,7 В ~ 3,6 В. 74LVT16374 2 3PF Три-Госдарство 5 млн Станода 8 4 мка 32MA 64MA 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 5ns @ 3,3 -v, 50pf
74LCX374BQX 74LCX374BQX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74lcx Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/onsemyonductor-74lcx374sj-datasheets-0684.pdf 20-wfqfn otkrыtai-anploщadka 4,5 мм 2,5 мм 20 123 м 20 в дар 2 Ear99 ЗOLOTO Лю E4 Nerting 2 В ~ 3,6 В. Квадран NeT -lederStva Nukahan 2,5 В. 0,5 мм 74lcx374 3,6 В. Nukahan 1 Ff/зaщelki 3,3 В. Н.Квалиирована LVC/LCX/Z. 7pf 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 8,5 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 8,5 млн Станода 10 мк 24 май 24 май 8 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 0,024 а Poloshitelgnый kraй 8,5ns @ 3,3 -v, 50pf
HMC841LC4B HMC841LC4B Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep Пефер Пефер -40 ° C ~ 70 ° C TA МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/analogdevicesinc-hmc841lc4b-datasheets-9204.pdf 24-tfqfn или 4 мм 4 мм СОДЕРИТС 24 24 Proшlый raзpopaThe (PoslegeDniй obnownen: 4 дня назад) не Ear99 E4 ЗOlOTO (au) - c nekelewыm (ni) бараж -3.13V ~ -3.47V Квадран NeT -lederStva Nukahan 0,5 мм HMC841 Nukahan 1 Додер Н.Квалиирована 841 1 DIFERENцIAL D-Thep, шlepanцы 10 с Станода 43 Гер Poloshitelgnый, otriцaTeLnый
74FCT377ATSOG8 74FCT377ATSOG8 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74FCT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) /files/renesaselectronicsamericainc-74fct377ctqg-datasheets-8912.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 74FCT377 1 6pf Нюртировано Набор (предустановка) и сброс 8 12 май 48 мая Poloshitelgnый kraй 7.2NS @ 5V, 50pf 1MA
74LVT16374AEVE 74lvt16374aeve Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 2 (1 годы) ROHS COMPRINT /files/nexperiausainc-74lvt16374adgg118-datasheets-8827.pdf 56-VFBGA 56 Свине, олово Nerting 2,7 В ~ 3,6 В. 74LVT16374 2 3PF Три-Госдарство 5 млн Станода 8 4 мка 32MA 64MA 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 5ns @ 3,3 -v, 50pf
74LVT16374AEVY 74LVT16374AEVY Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) ROHS COMPRINT /files/nexperiausainc-74lvt16374adgg118-datasheets-8827.pdf 56-VFBGA 56 Свине, олово Nerting 2,7 В ~ 3,6 В. 74LVT16374 2 3PF Три-Госдарство 5 млн Станода 8 4 мка 32MA 64MA 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 5ns @ 3,3 -v, 50pf
SY100S351JY SY100S351JY ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 100 -Год Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 2 (1 годы) Эkl 4,57 мм Rohs3 2014 /files/microchiptechnology-sy100s351jz-datasheets-1593.pdf 28-LCC (J-Lead) СОУДНО ПРИОН 28 28 Ear99 НЕИ E3 МАГОВОЙ Nerting -4,2v ~ -5,5 Квадран J Bend 100S351 1 Н.Квалиирована DIFERENцIAL 1,2 млн Мастера 6 -49MA 700 мг Poloshitelgnый kraй 700 мг Poloshitelgnый kraй
MC74LVX574MELG MC74LVX574MELG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVX Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 2,05 мм ROHS COMPRINT 2012 /files/onsemyonductor-mc74lvx574dwr2g-datasheets-1610.pdf 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5275 мм СОУДНО ПРИОН 20 20 2 Лю E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 2 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 2,7 В. 74LVX574 40 1 Ff/зaщelki 8 Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. 4pf 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 8,5 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 18 млн Станода 4ma 4ma 75 мг Poloshitelgnый kraй 3 0,004 а Poloshitelgnый kraй 16,7ns @ 3,3 -v, 50pf 4500000000 gц 4 мка
SN74AS4374BDWRG4 SN74AS4374BDWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74AS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2,65 мм Rohs3 /files/texasinstruments-sn74as4374bnsr-datasheets-1259.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 500.709277mg 20 2 Дон Не Лю Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 74AS4374 1 Ff/зaщelki Кап 8 48 май Три-Госхарство, neryrtyrovano 2 млн D-Thep, шlepanцы 8 млн Станода 15 май 48 мая 8 3-шТат 125 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 8ns @ 5V, 50pf 150 май
SN74AS374NSR SN74AS374NSR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74AS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2 ММ Rohs3 /files/texasinstruments-sn74as374nsr-datasheets-2493.pdf 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) СОДЕРИТС 20 266.712314mg 20 не 2 Ear99 Лю E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74AS374 Nukahan 1 Ff/зaщelki 8 Н.Квалиирована Кап 8 48 май Три-Госхарство, neryrtyrovano 3 млн D-Thep, шlepanцы 9 млн Станода 15 май 48 мая 3 125 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 11.5ns @ 50pf 120 май
MC100EP31MNR4G MC100EP31MNR4G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 100эP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl ROHS COMPRINT 2006 /files/onsemyonductor-mc10ep31dt-datasheets-0349.pdf 8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca 2 ММ 2 ММ СОУДНО ПРИОН 8 8 в дар Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -3,0v oDO -5,5V Не Ngechelh/зoLoTOTO/PALLAODIй (Ni/Au/PD) Nerting БЕЗОПАСНЫЙ -3V ~ -5.5V Дон 260 3,3 В. 0,5 мм 100EP31 5,5 В. 40 Ff/зaщelki -4,5 1 1 DIFERENцIAL 340 ps Инициатор 410 с Набор (предустановка) и сброс 3 гер Poloshitelgnый kraй 47 май Poloshitelgnый kraй 3000000000 ГГ 45 май

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.