Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Flip Flops - Электронные компоненты Sourcing - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Взёд Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Коли Вес Веса Кргителнь ТОК Ток - Колист Вес ТАКТОВА ТИП Fmax-Min Токпитания. Maks i (ol) Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ТИП Я Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup Tykuщiй - pocoayщiй (iq)
74LVCH32374AEC/G;5 74LVCH32374AEC/G; 5 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVCH Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Поднос 2 (1 годы) CMOS 1,5 мм Rohs3 /files/nxpusainc-74lvch32374aec557-datasheets-4267.pdf 96-LFBGA 13,5 мм 5,5 мм 96 2 Лю В дар 1,65, ~ 3,6 В. Униджин М 240 3,3 В. 74LVCH32374 3,6 В. 1,2 В. 20 4 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PBGA-B96 LVC/LCX/Z. 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 24 май 24 май 3-шТат 300 мг Poloshitelgnый kraй 7 млн 5,4ns @ 3,3 v, 50pf 120000000 ГГ 40 мк
74AHC74PW/AUJ 74AHC74PW/AUJ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74AHC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74ahct74d118-datasheets-7033.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 2В ~ 5,5 В. 74AHC74 2 14-tssop 3PF DIFERENцIAL Набор (предустановка) и сброс 1 8 мая 8 мая 115 мг Poloshitelgnый kraй 9.3ns @ 5V, 50pf 2 мкс
74LVTH574D,112 74lvth574d, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVTH Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos 2,65 мм Rohs3 /files/nexperiausainc-74lvth574db118-datasheets-3831.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 2 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 74LVTH574 3,6 В. 2,7 В. 30 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Nedrenee 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 0,064 а 5,9 млн 6,6 млн 5,9ns @ 3,3 -v, 50pf 190 мка
74LVT32374EC/G,557 74LVT32374EC/G, 557 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 2 (1 годы) Bicmos 1,5 мм Rohs3 /files/nxpusainc-74lvt32374ec518-datasheets-9581.pdf 96-LFBGA 13,5 мм 5,5 мм 96 2 НЕИ В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин М 260 3,3 В. 74LVT32374 3,6 В. 2,7 В. 30 4 Исиннн Н.Квалиирована R-PBGA-B96 Nedrenee 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 6,2 млн 5.3ns @ 3,3 -v, 50pf 240 мка
N74F374DB,112 N74F374DB, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74f Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/nxpusainc-n74f373db112-datasheets-1969.pdf 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 4,5 n 5,5. 74F374 1 Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 3MA 24MA 165 мг Poloshitelgnый kraй 7,5NS @ 5V, 50pf 86 май
74LVT32374EC/G,518 74LVT32374EC/G, 518 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 2 (1 годы) Bicmos 1,5 мм Rohs3 /files/nxpusainc-74lvt32374ec518-datasheets-9581.pdf 96-LFBGA 13,5 мм 5,5 мм 96 2 НЕИ В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин М 260 3,3 В. 74LVT32374 3,6 В. 2,7 В. 30 4 Исиннн Н.Квалиирована R-PBGA-B96 Nedrenee 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 6,2 млн 5.3ns @ 3,3 -v, 50pf 240 мка
74LVT374DB,118 74LVT374DB, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Bicmos 2 ММ Rohs3 /files/nxpusainc-74lvt374pw112-datasheets-4062.pdf 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 7,2 мм 5,3 мм 20 2 Лю E4 Ngecely palladyй В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LVT374 3,6 В. 2,7 В. 30 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Nedrenee 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 200 мг Poloshitelgnый kraй 0,064 а 5,5 млн 5,2ns @ 3,3 -v, 50pf 190 мка
74LVT32374EC,557 74LVT32374EC, 557 NXP USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 4 (72 чACA) Bicmos 1,5 мм Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-74lvt32374ec518-datasheets-9581.pdf 96-LFBGA 13,5 мм 5,5 мм 96 2 not_compliant E0 Olovo/strineц (sn63pb37) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин М 240 3,3 В. 74LVT32374 3,6 В. 2,7 В. 20 4 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PBGA-B96 Nedrenee 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 5,3 млн 6,2 млн 5.3ns @ 3,3 -v, 50pf 150000000 ГГ 240 мка
74LVCH16374ADGG:51 74LVCH16374ADGG: 51 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVCH Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/nexperiausainc-74LVC16374Adgg512-datasheets-8862.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 6,1 мм 48 2 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 74LVCH16374 3,6 В. 30 2 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована LVC/LCX/Z. 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 24 май 24 май 3-шТат 300 мг Poloshitelgnый kraй 7 млн 6,4 млн 5,4ns @ 3,3 v, 50pf 1000000000000 gц 20 мк
74LVT16374AEV,157 74LVT16374AEV, 157 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 2 (1 годы) Bicmos 1 ММ Rohs3 /files/nexperiausainc-74lvt16374adgg118-datasheets-8827.pdf 56-VFBGA 7 мм 4,5 мм 56 2 not_compliant E0 Olovo/strineц (sn63pb37) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин М 240 3,3 В. 0,65 мм 74LVT16374 3,6 В. 20 2 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PBGA-B56 Nedrenee 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 0,064 а 5 млн 5,6 млн 5ns @ 3,3 -v, 50pf 150000000 ГГ 120 мка
74LV574DB,112 74LV574DB, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 2009 /files/nexperiausainc-74lv574pw118-datasheets-4012.pdf 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 7,2 мм 5,3 мм 20 2 Бродядная сторона 374 E4 Ngecely palladyй В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV574 5,5 В. 1V 30 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 3,5 пт Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 16 май 16 мая 3-шТат 70 мг Poloshitelgnый kraй 25 млн 43 м 17ns @ 5V, 50pf 20000000 gц 20 мк
74LV574D,118 74LV574D, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 2002 /files/nexperiausainc-74lv574pw118-datasheets-4012.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 2 Бродядная сторона 374 Лю E4 Ngecely palladyй В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 74LV574 5,5 В. 1V 30 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 3,5 пт Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 16 май 16 мая 3-шТат 70 мг Poloshitelgnый kraй 25 млн 43 м 17ns @ 5V, 50pf 20000000 gц 20 мк
74LVC821ADB,112 74LVC821ADB, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 /files/nxpusainc-74lvc821ad112-datasheets-3905.pdf 24-СССОП (0,209, Ирина 5,30 мм) 8,2 мм 5,3 мм 24 2 E4 Ngecely palladyй В дар 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 2,7 В. 0,65 мм 74LVC821 3,6 В. 30 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G24 LVC/LCX/Z. 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 10 24 май 24 май 3-шТат 200 мг Poloshitelgnый kraй 0,024 а 9,5 млн 7,3ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк
SN74LS76ADR SN74LS76ADR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ТИП JK 74LS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 16 не Охрэяль в глайно not_compliant 4,75 -5,25. Дон Крхлоп Nukahan 74LS76 4,75 В. Nukahan 2 Ff/зaщelki Додер Н.Квалиирована Лаурет DIFERENцIAL Инициатор 20 млн Набор (предустановка) и сброс 1 4 май 400 мк 8 мая 45 мг Negativnoe opreimaheestvo 45 мг 6ma Poloshitelgnый kraй 20NS @ 5V, 15pf
74VHC74SJX 74VHC74SJX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74VHC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2014 14 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 14 218,3 м 14 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар Ear99 Оло Лю E3 Nerting 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 74VHC74 5,5 В. Nukahan 2 Ff/зaщelki Н.Квалиирована AHC/VHC/H/U/V. 4pf DIFERENцIAL 4,6 млн 50pf И, д-айп, шlepanцы 9,3 млн Набор (предустановка) и сброс 1 2 мкс 8 мая 8 мая 4 115 мг Poloshitelgnый kraй 0,008 а Poloshitelgnый kraй 9.3ns @ 5V, 50pf 7500000000 gц
SN74LS76AN3 SN74LS76AN3 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ТИП JK 74LS Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В 5,08 мм Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) СОДЕРИТС 16 не Охрэяль в глайно not_compliant 4,75 -5,25. Дон Nukahan 74LS76 4,75 В. Nukahan 2 Ff/зaщelki Додер Н.Квалиирована Лаурет DIFERENцIAL Инициатор 20 млн Набор (предустановка) и сброс 1 4 май 400 мк 8 мая 45 мг Negativnoe opreimaheestvo 45 мг Poloshitelgnый kraй 20NS @ 5V, 15pf
TC74LCX273FT-ELK(M TC74LCX273FT-ELK (м Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74lcx Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 150 мг ROHS COMPRINT 2014 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tc74lcx273ftelk-datasheets-9214.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 1,65, ~ 3,6 В. 1 20-tssop 7pf Нюртировано 8,5 млн Псевдоним 8 24ma 24ma 10 мк 24 май 24 май 150 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 8,5ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк
74LVC109DB,112 74LVC109DB, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ТИП JK 74LVC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2002 /files/nxpusainc-74lvc109pw112-datasheets-4047.pdf 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 5,3 мм 16 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LVC109 3,6 В. 30 2 Ff/зaщelki Додер 3,3 В. Н.Квалиирована LVC/LCX/Z. 5pf DIFERENцIAL 50pf Набор (предустановка) и сброс 1 24 май 24 май 330 мг Poloshitelgnый kraй 7,5 млн 7,5 млн 6,8ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк
74LVC821ADB,118 74LVC821ADB, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 /files/nxpusainc-74lvc821ad112-datasheets-3905.pdf 24-СССОП (0,209, Ирина 5,30 мм) 8,2 мм 5,3 мм 24 2 Лю E4 Ngecely palladyй В дар 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 2,7 В. 0,65 мм 74LVC821 3,6 В. 30 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G24 LVC/LCX/Z. 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 10 24 май 24 май 3-шТат 200 мг Poloshitelgnый kraй 0,024 а 9,5 млн 7,3ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк
74LVTH574D,118 74lvth574d, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVTH Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Bicmos 2,65 мм Rohs3 /files/nexperiausainc-74lvth574db118-datasheets-3831.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 2 Лю E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 74LVTH574 3,6 В. 2,7 В. 30 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Nedrenee 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 0,064 а 5,9 млн 6,6 млн 5,9ns @ 3,3 -v, 50pf 190 мка
74LVT32374EC,518 74LVT32374EC, 518 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 4 (72 чACA) Bicmos 1,5 мм Rohs3 /files/nxpusainc-74lvt32374ec518-datasheets-9581.pdf 96-LFBGA 13,5 мм 5,5 мм 96 2 НЕИ В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин М 240 3,3 В. 74LVT32374 3,6 В. 2,7 В. 20 4 Исиннн Н.Квалиирована R-PBGA-B96 Nedrenee 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 6,2 млн 5.3ns @ 3,3 -v, 50pf 240 мка
74LVT16374AEV,118 74LVT16374AEV, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) Bicmos 1 ММ Rohs3 /files/nexperiausainc-74lvt16374adgg118-datasheets-8827.pdf 56-VFBGA 7 мм 4,5 мм 56 2 Лю В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин М 240 3,3 В. 0,65 мм 74LVT16374 3,6 В. 20 2 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PBGA-B56 Nedrenee 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 150 мг Poloshitelgnый kraй 0,064 а 5 млн 5,6 млн 5ns @ 3,3 -v, 50pf 150000000 ГГ 120 мка
TC74VHCT574AFT(ELM TC74VHCT574AFT (ELM Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep TC74VHCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemonductorandstorage-tc74vhct574aftel-datasheets-5340.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 20 Не 4,5 n 5,5. 1 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 10,4 млн Станода 8 4 мка 8 мая 8 мая 130 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10.4ns @ 5V, 50pf
74ABT574AN,112 74abt574an, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74abt Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos 4,2 мм Rohs3 1997 /files/nxpusainc-74abt574ad118-datasheets-3828.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 26,73 мм 7,62 мм 20 2 Бродядная сторона 374 НЕИ E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Не 4,5 n 5,5. Дон 260 2,54 мм 74abt574 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Ff/зaщelki Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T20 Абт 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 400 мг Poloshitelgnый kraй 30 май 0,064 а 4.7ns @ 5V, 50pf 250 мк
HEC4027BT,112 HEC4027BT, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ТИП JK 4000b Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 1998 /files/nxpusainc-hec4027bt118-datasheets-9382.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар НЕИ E4 Ngecely palladyй В дар 3 В ~ 15 В. Дон Крхлоп 260 4027 30 2 Додер Н.Квалиирована DIFERENцIAL Набор (предустановка) и сброс 1 30 мг Poloshitelgnый kraй 60NS @ 15V, 50pf 16 мка
74LVC109DB,118 74LVC109DB, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА ТИП JK 74LVC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2002 /files/nxpusainc-74lvc109pw112-datasheets-4047.pdf 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 5,3 мм 16 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LVC109 3,6 В. 30 2 Додер Н.Квалиирована LVC/LCX/Z. 5pf DIFERENцIAL 50pf Набор (предустановка) и сброс 1 24 май 24 май 330 мг Poloshitelgnый kraй 7,5 млн 6,8ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк
74ABT377AD,118 74ABT377AD, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74abt Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Bicmos 2,65 мм Rohs3 /files/nxpusainc-74abt377an112-datasheets-9488.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 Срезимом Лю E4 Ngecely palladyй В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74abt377 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Ff/зaщelki Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Абт 4pf Нюртировано 50pf Станода 8 32MA 64MA 250 мг Poloshitelgnый kraй 250 мг 30 май 0,064 а 4,9 млн 3,6ns @ 5V, 50pf 250 мк
74ABT823DB,112 74abt823db, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74abt Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos 2 ММ Rohs3 2014 /files/nxpusainc-74abt823d602-datasheets-4017.pdf 24-СССОП (0,209, Ирина 5,30 мм) 8,2 мм 5,3 мм 24 2 Спро -раз E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74abt823 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Ff/зaщelki Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G24 Абт 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Мастера 9 32MA 64MA 3-шТат 200 мг Poloshitelgnый kraй 34 май 0,064 а 6,8 млн 6.1ns @ 5V, 50pf 250 мк
74LV374PW,118 74LV374PW, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2009 /files/nxpusainc-74lv374d118-datasheets-3888.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм 20 2 НЕИ Лю E4 Ngecely palladyй В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV374 3,6 В. 1V 30 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 3,5 пт Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 16 май 16 мая 3-шТат 77 мг Poloshitelgnый kraй 29 млн 36 млн 19ns @ 5V, 50pf 20000000 gц 160 мка
74LV374DB,112 74LV374DB, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 2009 /files/nxpusainc-74lv374d118-datasheets-3888.pdf 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 7,2 мм 5,3 мм 20 2 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV374 5,5 В. 1V 30 1 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 3,5 пт Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 8 16 май 16 мая 3-шТат 77 мг Poloshitelgnый kraй 29 млн 49 млн 19ns @ 5V, 50pf 20000000 gц 160 мка

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.