Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВьетнамки(6385)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество портов | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Количество битов | Тип выхода | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | функция | Количество бит на элементе | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Выходные характеристики | Тактовая частота | Тип триггера | Количество выходных линий | Макс I(ол) | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Ток – состояние покоя (Iq) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY100EL52ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL29VZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el29vzgtr-datasheets-2885.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | -3В~-5,5В | 100EL29 | 2 | 20-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL35ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el35zg-datasheets-1623.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ35 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL51ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el51zgtr-datasheets-1588.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ51 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 29 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL29VZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el29vzgtr-datasheets-2885.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | -3В~-5,5В | 100EL29 | 2 | 20-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AC574MTC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 153 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74ac574sj-datasheets-0873.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 6В | 2В | 20 | Неинвертирующий | 2В~6В | 74AC574 | 1 | 8 | 20-ЦСОП | 4,5 пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 6 нс | Тип D, триггер | 13,5 нс | Стандартный | 8 | -24 мА | 24 мА | 24 мА 24 мА | 1 | 153 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 9,5 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E452JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э452 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 5 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 89 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AC574MTCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 153 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74ac574sj-datasheets-0873.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 6В | 2В | 20 | Неинвертирующий | 2В~6В | 74AC574 | 1 | 8 | 20-ЦСОП | 4,5 пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 6 нс | Тип D, триггер | 13,5 нс | Стандартный | 8 | -24 мА | 24 мА | 24 мА 24 мА | 1 | 153 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 9,5 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ЛВТ374ДБ,112 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВТ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/nxpusainc-74lvt374pw112-datasheets-4062.pdf | 20-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 7,2 мм | 5,3 мм | 20 | 2 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 74ЛВТ374 | 3,6 В | 2,7 В | 30 | 1 | ФФ/защелки | истинный | 3,3 В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G20 | ЛВТ | 4пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 50пФ | Стандартный | 8 | 32 мА 64 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 200 МГц | Положительное преимущество | 0,064 А | 5,5 нс | 5,2 нс при 3,3 В, 50 пФ | 190 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ACT273MTC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АКТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 189 МГц | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/onsemiconductor-74act273sj-datasheets-0523.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5В | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 20 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74ACT273 | 1 | 8 | 20-ЦСОП | 4,5 пФ | 8 | Неинвертированный | 6,5 нс | Тип D, триггер | 8,5 нс | Общий сброс | 8 | -24 мА | 24 мА | 24 мА 24 мА | 3 | 189 МГц | Положительное преимущество | 8 | Положительное преимущество | 8,5 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL51ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el51zgtr-datasheets-1588.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ51 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 29 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL51ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el51zgtr-datasheets-1588.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ51 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 29 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL35ZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el35zg-datasheets-1623.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ35 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S331FC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100С | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/microchiptechnology-sy100s331fc-datasheets-9791.pdf | 24-CQПлоская упаковка, Cerpack | -4,2 В~-5,5 В | 100С331 | 3 | 24-CerPack | Дифференциальный | Общий сброс | 1 | 800 МГц | Положительное преимущество | -35 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S351JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100С | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100s351jz-datasheets-1593.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100С351 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | 700 МГц | Положительное преимущество | -49 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL52ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S331JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100С | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100s331jz-datasheets-1602.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100С331 | 3 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 1 | 800 МГц | Положительное преимущество | 35 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VHC174FTELM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | TC74VHC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc174ftelm-datasheets-9738.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | Нет | Неинвертирующий | 2В~5,5В | 74VHC174 | 1 | 4пФ | Неинвертированный | 6,4 нс | 9,2 нс | Общий сброс | 6 | 4мкА | 8мА 8мА | 120 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 9,2 нс при 5 В, 50 пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E451JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100e451jy-datasheets-1605.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э451 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Неинвертированный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 101 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VHC574FTELM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | TC74VHC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 115 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc574ftelm-datasheets-9739.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 20 | Нет | Неинвертирующий | 2В~5,5В | 74VHC574 | 1 | 20-ЦСОП | 4пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 7,1 нс | D-тип | 10,6 нс | Стандартный | 8 | 8мА | 8мА | 4мкА | 8мА 8мА | 115 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 10,6 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL35ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el35zg-datasheets-1623.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ35 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E431JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e431jz-datasheets-1545.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | не_совместимо | е0 | ДА | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 100Е431 | 30 | 3 | ФФ/защелки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицирован | S-PQCC-J28 | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 0,8 нс | 132 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E151JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy10e151jy-datasheets-9419.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,46 В | 100Э151 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 78 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E451JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e451jy-datasheets-1605.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э451 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Неинвертированный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 101 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E452JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э452 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 5 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 89 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AHCT377PW,112 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AHCT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/nexperiausainc-74ahc377pw118-datasheets-9115.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 5В | 20 | 8 недель | 20 | Золото | Нет | е4 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74AHCT377 | 30 | 1 | AHCT/VHCT | 3пФ | 8 | Неинвертированный | 5,7 нс | Тип D, триггер | 4 нс | Стандартный | 8мА 8мА | 130 МГц | Положительное преимущество | 8 | Положительное преимущество | 10,5 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL29VZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el29vzgtr-datasheets-2885.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | -3В~-5,5В | 100EL29 | 2 | 20-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E131JY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | е3 | Матовый олово (Sn) | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 100Е131 | 40 | 1 | Не квалифицирован | 4 | Дифференциальный | 775 пс. | И | 675 пс. | Установить (предустановка) и сброс | 70 мА | 4 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL29VZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el29vzgtr-datasheets-2885.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | -3В~-5,5В | 100EL29 | 2 | 20-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AC377MTCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 175 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74ac377sj-datasheets-0929.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 6В | 2В | 20 | Неинвертирующий | 2В~6В | 74AC377 | 1 | 8 | 20-ЦСОП | 4,5 пФ | 8 | Неинвертированный | 6 нс | Тип D, триггер | 13 нс | Стандартный | 8 | -24 мА | 24 мА | 24 мА 24 мА | 1 | 175 МГц | Положительное преимущество | 8 | Положительное преимущество | 9 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА |
