Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВьетнамки(6385)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Код JESD-609 | Полярность | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Количество битов | Тип выхода | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | функция | Количество бит на элементе | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Выходные характеристики | Тактовая частота | Тип триггера | Количество выходных линий | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Ток – состояние покоя (Iq) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY10EL31ZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,75 В~-5,5 В | 10ЭЛ31 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 2,8 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E431JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100e431jz-datasheets-1545.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | е0 | ДА | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 100Е431 | 30 | 3 | ФФ/защелки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицирован | S-PQCC-J28 | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 0,8 нс | 132 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E431JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100e431jz-datasheets-1545.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э431 | 3 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 132 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVTH273MTCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВТХ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74lvth273sjx-datasheets-0876.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,3 В | Без свинца | 20 | Нет | Неинвертирующий | 2,7 В~3,6 В | 74LVTH273 | 1 | 8 | 3пФ | Неинвертированный | 4,9 нс | Тип D, триггер | 5,5 нс | Общий сброс | 32 мА 64 мА | 4 | 150 МГц | Положительное преимущество | 7 | Положительное преимущество | 4,9 нс при 3,3 В, 50 пФ | 190 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E452JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э452 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 5 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 89 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E131JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э131 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 4 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 70 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX112M | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тип JK | 74LVX | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-74lvx112sj-datasheets-0904.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2В~3,6В | 74LVX112 | 2 | 16-СОИК | 4пФ | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 4мА 4мА | 150 МГц | Отрицательное преимущество | 15 нс при 3,3 В, 50 пФ | 2мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E451JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e451jy-datasheets-1605.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э451 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Неинвертированный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 101 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74F377PC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74F | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 130 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74f377scx-datasheets-0536.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 5В | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 20 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74F377 | 1 | 1 | 20-ПДИП | 8 | Неинвертированный | 7 нс | Тип D, триггер | 9 нс | Стандартный | 8 | -1 мА | 20 мА | 1 мА 20 мА | 8 | 130 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 7 нс при 5 В, 50 пФ | 48 мА | |||||||||||||||||||||||||
| SY10E151JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy10e151jy-datasheets-9419.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,46 В | 10Э151 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 78мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL31ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЭЛ31 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 2,8 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E452JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э452 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 5 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 89 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E151JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e151jy-datasheets-9419.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,46 В | 10Э151 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 78мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E151JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy10e151jy-datasheets-9419.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | не_совместимо | е0 | ДА | -4,2 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 10Э151 | 30 | 1 | ФФ/защелки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -5,2 В | Не квалифицирован | S-PQCC-J28 | 10Е | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 0,8 нс | 78мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL31ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,75 В~-5,5 В | 10ЭЛ31 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 2,8 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E431JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e431jz-datasheets-1545.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э431 | 3 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 132 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E451JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100e451jy-datasheets-1605.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э451 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Неинвертированный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 101 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S351JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100С | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100s351jz-datasheets-1593.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100С351 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | 700 МГц | Положительное преимущество | -49 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E131JI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э131 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 4 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 70 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E131JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э131 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 4 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 70 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL31ZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЭЛ31 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 2,8 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E131JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э131 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 4 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 70 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S331JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100С | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/microchiptechnology-sy100s331jz-datasheets-1602.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100С331 | 3 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 1 | 800 МГц | Положительное преимущество | 35 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E452JI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э452 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 5 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 89 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E151JI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy10e151jy-datasheets-9419.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,46 В | 10Э151 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 78мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S351JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100С | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100s351jz-datasheets-1593.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100С351 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | 700 МГц | Положительное преимущество | -49 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL52ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 эл. | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S331JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100С | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100s331jz-datasheets-1602.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100С331 | 3 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 1 | 800 МГц | Положительное преимущество | 35 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AC374MTCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AC | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-74ac374sjx-datasheets-0622.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2В~6В | 74AC374 | 1 | 4,5 пФ | Трехуровневый, неинвертированный | Стандартный | 8 | 24 мА 24 мА | 155 МГц | Положительное преимущество | 9,5 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E451JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e451jy-datasheets-1605.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э451 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Неинвертированный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 101 мА |
