Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Flip Flops - Электронные компоненты Sourcing - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я PoSta Posta Колист. Каналов Wremape@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Взёд Колист Вес Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Файнкхия Коли Вес Веса Кргителнь ТОК Ток - Колист Колист Вес ТАКТОВА ТИП Колист Maks i (ol) Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ТИП Я Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl Tykuщiй - pocoayщiй (iq)
SY100E151JC-TR SY100E151JC-TR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 100e Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2008 /files/microchiptechnology-sy10e151jy-datasheets-9419.pdf 28-LCC (J-Lead) -4,2- ~ -5,46 100E151 1 28-PLCC (11.48x11.48) DIFERENцIAL Мастера 6 1,4 -е Poloshitelgnый kraй 78 май
74LVT574MTC 74LVT574MTC На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) SMD/SMT ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74lvt574wmx-datasheets-8443.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 191 м НЕТ SVHC 14 в дар Не Nerting 2,7 В ~ 3,6 В. 74LVT574 1 8 4pf 64ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,5 млн D-Thep, шlepanцы 5,3 млн Станода 32MA 64MA 1 150 мг Poloshitelgnый kraй 3 Poloshitelgnый kraй 4,6ns @ 3,3 v, 50pf 190 мка
SY100E131JY-TR SY100E131JY-TR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 100e Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) Rohs3 2006 /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf 28-LCC (J-Lead) -4,2v ~ -5,5 100E131 1 28-PLCC (11.48x11.48) DIFERENцIAL Набор (предустановка) и сброс 4 1,4 -е Poloshitelgnый kraй 70 май
SY100E131JC SY100E131JC ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 100e Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf 28-LCC (J-Lead) -4,2v ~ -5,5 100E131 1 28-PLCC (11.48x11.48) DIFERENцIAL Набор (предустановка) и сброс 4 1,4 -е Poloshitelgnый kraй 70 май
74ALVCH16821DGG:11 74ALVCH16821DGG: 11 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74Alvch Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/nxpusainc-74alvch16821dgg11-datasheets-9760.pdf 56-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 2,3 n 2,7 -3- ~ 3,6 В. 74ALVCH16821 2 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 10 24 май 24 май 350 мг Poloshitelgnый kraй 4,5ns @ 3,3 -v, 50pf 40 мк
SY100E131JI SY100E131JI ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 100e Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В 2006 /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf 28-LCC (J-Lead) -4,2v ~ -5,5 100E131 1 28-PLCC (11.48x11.48) DIFERENцIAL Набор (предустановка) и сброс 4 1,4 -е Poloshitelgnый kraй 70 май
SY100E131JI-TR SY100E131JI-TR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 100e Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf 28-LCC (J-Lead) -4,2v ~ -5,5 100E131 1 28-PLCC (11.48x11.48) DIFERENцIAL Набор (предустановка) и сброс 4 1,4 -е Poloshitelgnый kraй 70 май
74HCT175DB,112 74HCT175DB, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74HCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С 49 мг ROHS COMPRINT 2013 /files/nexperiausainc-74hc175d653-datasheets-7727.pdf 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 8 5,5 В. 4,5 В. 16 Не Nerting 4,5 n 5,5. 74HCT175 4 1 1 16-Ssop 3,5 пт 4 DIFERENцIAL 19 млн D-Thep, шlepanцы 16 млн Мастера 4 -4ma 4 май 4ma 4ma 4 49 мг Poloshitelgnый kraй 4 Poloshitelgnый kraй 33NS @ 4,5 - 8 мка
74ACT273PC 74act273pc На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74act Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) /files/onsemyonductor-74act273sj-datasheets-0523.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 74Act273 1 20-pdip 4.5pf Нюртировано Мастера 8 24 май 24 май 189 мг Poloshitelgnый kraй 8,5ns @ 5V, 50pf 40 мк
SY100EL31ZC-TR SY100EL31ZC-TR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 100 Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2006 /files/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) -4,2v ~ -5,5 100el31 1 8 лейт DIFERENцIAL Набор (предустановка) и сброс 1 2,8 -е Poloshitelgnый kraй 32 май
74LVX174MX 74LVX174MX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVX Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 180 мг ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74lvx174sj-datasheets-0885.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОУДНО ПРИОН 3,6 В. 16 Nerting 2 В ~ 3,6 В. 74LVX174 1 7 16 лейт 4pf 6 Нюртировано 9,3 млн D-Thep, шlepanцы 18 млн Мастера 6 -4ma 4 май 4ma 4ma 3 95 мг Poloshitelgnый kraй 6 Poloshitelgnый kraй 12,8ns @ 3,3 -v, 50pf 4 мка
74ABT374CPC 74abt374cpc На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74abt Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) /files/onsemyonductor-74abt374csj-datasheets-0618.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 74abt374 1 20-pdip 5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 32MA 64MA 200 мг Poloshitelgnый kraй 5NS @ 5V, 50pf 50 мк
N74F821N,602 N74F821N, 602 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74f Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В 4,7 мм Rohs3 2004 /files/nxpusainc-n74f821d602-datasheets-9406.pdf 24-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм 24 2 Питани О. Не 4,5 n 5,5. Дон 245 2,54 мм 74F821 5,5 В. 4,5 В. 40 1 Ff/зaщelki Исиннн Н.Квалиирована R-PDIP-T24 F/bыstro Три-Госхарство, neryrtyrovano 50pf Станода 10 24 май 64 мая 3-шТат 180 мг Poloshitelgnый kraй 0,064 а 9,5 млн 9,5 млн 8,5ns @ 5V, 50pf 105 май
74LCX374MTC 74LCX374MTC На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74lcx Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/onsemyonductor-74lcx374sj-datasheets-0684.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 900 мкм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 20 36 nedely 191 м 20 в дар 2 Ear99 ЗOLOTO Не Жeleзnodoroжnый E4 Nerting 2 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 2,5 В. 0,65 мм 74lcx374 1 Ff/зaщelki 8 LVC/LCX/Z. 7pf 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 8,5 млн 50pf D-Thep, шlepanцы 9,5 млн Станода 10 мк 24 май 24 май 150 мг Poloshitelgnый kraй 3 0,024 а Poloshitelgnый kraй 8,5ns @ 3,3 -v, 50pf
74VHC273N 74VHC273N На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74VHC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74vhc273mtc-datasheets-0856.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН 20 Nerting 2В ~ 5,5 В. 74VHC273 1 8 4pf Нюртировано 5,8 млн D-Thep, шlepanцы 17,1 млн Мастера 8 мая 8 мая 10 110 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 11ns @ 5V, 50pf 4 мка
74LVX574MTCX 74LVX574MTCX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVX Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 125 мг ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74lvx574sjx-datasheets-0909.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) СОУДНО ПРИОН 3,6 В. 20 Nerting 2 В ~ 3,6 В. 74LVX574 1 8 20-tssop 4pf 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 8,5 млн D-Thep, шlepanцы 18 млн Станода 8 -4ma 4 май 4ma 4ma 1 75 мг Poloshitelgnый kraй 8 Poloshitelgnый kraй 16,7ns @ 3,3 -v, 50pf 4 мка
MC100LVEL31DR2G MC100LVEL31DR2G Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-mc100lvel31dr2g-datasheets-9725.pdf
N74F534D,602 N74F534D, 602 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74f Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В 2,65 мм Rohs3 2013 /files/nxpusainc-n74f534d623-datasheets-9418.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 2 НЕИ E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74F534 5,5 В. 4,5 В. 30 1 Ff/зaщelki Н.Квалиирована R-PDSO-G20 F/bыstro Три-иуджрадво, 50pf Станода 8 3MA 24MA 3-шТат 165 мг Poloshitelgnый kraй 0,024 а 7,5 млн 7ns @ 5V, 50pf 86 май
74VHC374N 74VHC374N На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74VHC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Чereз dыru ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74vhc374mtc-datasheets-0875.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 20 Nerting 2В ~ 5,5 В. 74VHC374 1 8 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 5,4 млн D-Thep, шlepanцы 16,5 млн Станода 8 мая 8 мая 1 120 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10.1ns @ 5V, 50pf 4 мка
TC74LCX16374(EL,F) TC74LCX16374 (EL, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74lcx Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT 2011 год /files/toshibasemyonductorandStorage-tc74lcx16374elf-datasheets-9723.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 6,1 мм 48 48 2 E4 Ngecely palladyй 2 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп Nukahan 2,5 В. 0,5 мм 74LCX16374 3,6 В. Nukahan 2 Исиннн LVC/LCX/Z. 7pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 7 млн Станода 8 20 мк 24 май 24 май 3-шТат 170 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 7ns @ 3,3 -v, 50pf
74VHC574N 74VHC574N На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74VHC Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74vhc574mx-datasheets-8267.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН 2,26 g 20 в дар Nerting 2В ~ 5,5 В. 74VHC574 1 8 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 5,6 млн D-Thep, шlepanцы 16,7 млн Станода 8 мая 8 мая 2 115 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10,6ns @ 5V, 50pf 4 мка
74HCT574PW/AUJ 74HCT574PW/AUJ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 4,5 n 5,5. 74HCT574 1 3,5 пт Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 6 мая 6 мая 69 мг Poloshitelgnый kraй 33NS @ 4,5 - 8 мка
74LVC273PW/AUJ 74LVC273PW/AUJ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/nexperiausainc-74lvc273bq115-datasheets-8740.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 1,65, ~ 3,6 В. 74LVC273 1 5pf Нюртировано Мастера 8 24 май 24 май 230 мг Poloshitelgnый kraй 8.2ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк
74LVT574PW/AUJ 74LVT574PW/AUJ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/nexperiausainc-74lvth574db118-datasheets-3831.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 2,7 В ~ 3,6 В. 74LVT574 1 20-tssop 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 32MA 64MA 150 мг Poloshitelgnый kraй 5,9ns @ 3,3 -v, 50pf 190 мка
74ACTQ574PC 74actq574pc На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74actq Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74actq574pc-datasheets-9709.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН 20 Nerting 4,5 n 5,5. 74ActQ574 1 8 4.5pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 7 млн D-Thep, шlepanцы 9 млн Станода 24 май 24 май 85 мг Poloshitelgnый kraй 3 Poloshitelgnый kraй 9ns @ 5V, 50pf 40 мк
74VHCT374AN 74VHCT374AN На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74VHCT Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74VHCT374AMTCX-datasheets-1739.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН 20 Nerting 4,5 n 5,5. 74VHCT374 1 8 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 5,6 млн D-Thep, шlepanцы 10,4 млн Станода 8 мая 8 мая 130 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10.4ns @ 5V, 50pf 4 мка
74ACT377MTC 74act377mtc На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74act Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 175 мг ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74act377sjx-datasheets-0643.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 4,5 В. 20 Не Nerting 4,5 n 5,5. 74act377 1 8 20-tssop 4.5pf 8 Нюртировано 6,5 млн D-Thep, шlepanцы 10 млн Станода 8 -24ma 24ma 24 май 24 май 8 175 мг Poloshitelgnый kraй 8 Poloshitelgnый kraй 10NS @ 5V, 50pf 40 мк
74LVT374MTC 74LVT374MTC На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74lvt374sj-datasheets-0725.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм 20 2 Сообщите В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,65 мм 74LVT374 3,6 В. 2,7 В. Nukahan 1 Исиннн R-PDSO-G20 Nedrenee 3PF Три-Госхарство, neryrtyrovano Станода 8 32MA 64MA 3-шТат 160 мг Poloshitelgnый kraй 5,2 млн 4,9ns @ 3,3 -v, 50pf 190 мка
74VHCT574AN 74VHCT574AN На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74VHCT Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74vhct57444tc-datasheets-8110.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН 2,26 g 20 в дар Nerting 4,5 n 5,5. 74VHCT574 1 8 4pf Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,1 м D-Thep, шlepanцы 10,4 млн Станода 8 мая 8 мая 130 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 10.4ns @ 5V, 50pf 4 мка
74F564SJ 74F564SJ На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА D-Thep 74f Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-74f564pc-datasheets-4674.pdf 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) СОУДНО ПРИОН 20 Nerting 4,5 n 5,5. 74F564 1 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 5,2 млн D-Thep, шlepanцы 8,5 млн Станода 3MA 24MA 100 мг Poloshitelgnый kraй Poloshitelgnый kraй 8,5ns @ 5V, 50pf 86 май

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.