Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВьетнамки(6385)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Количество битов | Выходной ток | Тип выхода | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | функция | Количество бит на элементе | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Количество входов | Выходные характеристики | Тактовая частота | Тип триггера | Количество выходных линий | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Ток – состояние покоя (Iq) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY100EL29VZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el29vzgtr-datasheets-2885.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | -3В~-5,5В | 100EL29 | 2 | 20-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E131JY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | е3 | Матовый олово (Sn) | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 100Е131 | 40 | 1 | Не квалифицирован | 4 | Дифференциальный | 775 пс. | И | 675 пс. | Установить (предустановка) и сброс | 70 мА | 4 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL29VZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el29vzgtr-datasheets-2885.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | -3В~-5,5В | 100EL29 | 2 | 20-СОИК | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,1 ГГц | Положительное преимущество | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AC377MTCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 175 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74ac377sj-datasheets-0929.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 6В | 2В | 20 | Неинвертирующий | 2В~6В | 74AC377 | 1 | 8 | 20-ЦСОП | 4,5 пФ | 8 | Неинвертированный | 6 нс | Тип D, триггер | 13 нс | Стандартный | 8 | -24 мА | 24 мА | 24 мА 24 мА | 1 | 175 МГц | Положительное преимущество | 8 | Положительное преимущество | 9 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E151JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy10e151jy-datasheets-9419.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,46 В | 100Э151 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 78 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVT574MTC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74lvt574wmx-datasheets-8443.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,3 В | Без свинца | 191 мг | Нет СВХК | 14 | да | Нет | Неинвертирующий | 2,7 В~3,6 В | 74ЛВТ574 | 1 | 8 | 4пФ | 64 мА | Трехуровневый, неинвертированный | 4,5 нс | Тип D, триггер | 5,3 нс | Стандартный | 32 мА 64 мА | 1 | 150 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 4,6 нс при 3,3 В, 50 пФ | 190 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E131JY-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Е131 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 4 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 70 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E131JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Е131 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 4 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 70 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74АЛВЧ16821ДГГ:11 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АЛВЧ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nxpusainc-74alvch16821dgg11-datasheets-9760.pdf | 56-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 2,3 В~2,7 В 3 В~3,6 В | 74АЛВЧ16821 | 2 | 5пФ | Трехуровневый, неинвертированный | Стандартный | 10 | 24 мА 24 мА | 350 МГц | Положительное преимущество | 4,5 нс при 3,3 В, 50 пФ | 40 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E131JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Е131 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 4 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 70 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ACT377MTC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АКТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 175 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74act377sjx-datasheets-0643.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5В | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 20 | Нет | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74ACT377 | 1 | 8 | 20-ЦСОП | 4,5 пФ | 8 | Неинвертированный | 6,5 нс | Тип D, триггер | 10 нс | Стандартный | 8 | -24 мА | 24 мА | 24 мА 24 мА | 8 | 175 МГц | Положительное преимущество | 8 | Положительное преимущество | 10 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVT374MTC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВТ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74lvt374sj-datasheets-0725.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 20 | 2 | совместимый | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 74ЛВТ374 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 1 | истинный | Р-ПДСО-G20 | ЛВТ | 3пФ | Трехуровневый, неинвертированный | Стандартный | 8 | 32 мА 64 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 160 МГц | Положительное преимущество | 5,2 нс | 4,9 нс при 3,3 В, 50 пФ | 190 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHCT574AN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74VHCT | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74vhct574amtc-datasheets-8110.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 5В | Без свинца | 2,26 г | 20 | да | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74VHCT574 | 1 | 8 | 4пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 4,1 нс | Тип D, триггер | 10,4 нс | Стандартный | 8мА 8мА | 130 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 10,4 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74F564SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74F | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74f564pc-datasheets-4674.pdf | 20-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5В | Без свинца | 20 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74F564 | 1 | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 5,2 нс | Тип D, триггер | 8,5 нс | Стандартный | 3 мА 24 мА | 100 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 8,5 нс при 5 В, 50 пФ | 86 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VCX16722MTD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74VCX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74vcx16722mtdx-datasheets-0924.pdf | 64-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | Без свинца | 64 | Неинвертирующий | 1,2 В~3,6 В | 74VCX16722 | 1 | 3,5 пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 1,3 нс | 9,2 нс | Стандартный | 22 | 24 мА 24 мА | 2 | 250 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 3,6 нс при 3,3 В, 30 пФ | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX174MX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LVX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 180 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74lvx174sj-datasheets-0885.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 3,6 В | 2В | 16 | Неинвертирующий | 2В~3,6В | 74LVX174 | 1 | 7 | 16-СОИК | 4пФ | 6 | Неинвертированный | 9,3 нс | Тип D, триггер | 18 нс | Общий сброс | 6 | -4мА | 4мА | 4мА 4мА | 3 | 95 МГц | Положительное преимущество | 6 | Положительное преимущество | 12,8 нс при 3,3 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ABT374CPC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АБТ | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-74abt374csj-datasheets-0618.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4,5 В~5,5 В | 74АБТ374 | 1 | 20-ПДИП | 5пФ | Трехуровневый, неинвертированный | Стандартный | 8 | 32 мА 64 мА | 200 МГц | Положительное преимущество | 5 нс при 5 В, 50 пФ | 50 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Н74Ф821Н,602 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74F | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | ТТЛ | 4,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-n74f821d602-datasheets-9406.pdf | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 24 | 2 | ВЫКЛЮЧИТЬ ПИТАНИЕ ОТКЛЮЧИТЬ ВЫХОДЫ, ЧТОБЫ РАЗРЕШИТЬ ВКЛЮЧЕНИЕ ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 2,54 мм | 74F821 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 1 | ФФ/защелки | истинный | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т24 | Ф/БЫСТРО | Трехуровневый, неинвертированный | 50пФ | Стандартный | 10 | 24 мА 64 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 180 МГц | Положительное преимущество | 0,064 А | 9,5 нс | 9,5 нс | 8,5 нс при 5 В, 50 пФ | 105 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LCX374MTC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LCX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-74lcx374sj-datasheets-0684.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 900 мкм | 4,4 мм | Без свинца | 20 | 36 недель | 191 мг | 20 | да | 2 | EAR99 | Золото | Нет | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | е4 | Неинвертирующий | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 В | 0,65 мм | 74LCX374 | 2В | 1 | ФФ/защелки | 8 | ЛВК/LCX/Z | 7пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 8,5 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 9,5 нс | Стандартный | 10 мкА | 24 мА 24 мА | 150 МГц | Положительное преимущество | 3 | 0,024 А | Положительное преимущество | 8,5 нс при 3,3 В, 50 пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC273N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ВХК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74vhc273mtc-datasheets-0856.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 20 | Неинвертирующий | 2В~5,5В | 74VHC273 | 1 | 8 | 4пФ | Неинвертированный | 5,8 нс | Тип D, триггер | 17,1 нс | Общий сброс | 8мА 8мА | 10 | 110 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 11 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX574MTCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LVX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 125 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74lvx574sjx-datasheets-0909.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 3,6 В | 2В | 20 | Неинвертирующий | 2В~3,6В | 74LVX574 | 1 | 8 | 20-ЦСОП | 4пФ | 8 | Трехуровневый, неинвертированный | 8,5 нс | Тип D, триггер | 18 нс | Стандартный | 8 | -4мА | 4мА | 4мА 4мА | 1 | 75 МГц | Положительное преимущество | 8 | Положительное преимущество | 16,7 нс при 3,3 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL31DR2G | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-mc100lvel31dr2g-datasheets-9725.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Н74Ф534Д,602 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74F | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | ТТЛ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nxpusainc-n74f534d623-datasheets-9418.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 20 | 2 | неизвестный | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 74F534 | 5,5 В | 4,5 В | 30 | 1 | ФФ/защелки | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G20 | Ф/БЫСТРО | Трехуровневый, инвертированный | 50пФ | Стандартный | 8 | 3 мА 24 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 165 МГц | Положительное преимущество | 0,024 А | 7,5 нс | 7 нс при 5 В, 50 пФ | 86 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC374N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ВХК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74vhc374mtc-datasheets-0875.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 20 | Неинвертирующий | 2В~5,5В | 74VHC374 | 1 | 8 | 4пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 5,4 нс | Тип D, триггер | 16,5 нс | Стандартный | 8мА 8мА | 1 | 120 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 10,1 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74LCX16374(ЭЛ,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74LCX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74lcx16374elf-datasheets-9723.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 6,1 мм | 48 | 48 | 2 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,5 мм | 74LCX16374 | 3,6 В | 2В | НЕ УКАЗАН | 2 | истинный | ЛВК/LCX/Z | 7пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 7 нс | Стандартный | 8 | 20 мкА | 24 мА 24 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 170 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 7 нс при 3,3 В, 50 пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC574N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ВХК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74vhc574mx-datasheets-8267.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 2,26 г | 20 | да | Неинвертирующий | 2В~5,5В | 74VHC574 | 1 | 8 | 4пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 5,6 нс | Тип D, триггер | 16,7 нс | Стандартный | 8мА 8мА | 2 | 115 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 10,6 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HCT574PW/AUJ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HCT | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,5 В~5,5 В | 74HCT574 | 1 | 3,5 пФ | Трехуровневый, неинвертированный | Стандартный | 8 | 6мА 6мА | 69 МГц | Положительное преимущество | 33 нс при 4,5 В, 50 пФ | 8мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVC273PW/AUJ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-74lvc273bq115-datasheets-8740.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1,65 В~3,6 В | 74LVC273 | 1 | 5пФ | Неинвертированный | Общий сброс | 8 | 24 мА 24 мА | 230 МГц | Положительное преимущество | 8,2 нс при 3,3 В, 50 пФ | 10 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVT574PW/AUJ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВТ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-74lvth574db118-datasheets-3831.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,7 В~3,6 В | 74ЛВТ574 | 1 | 20-ЦСОП | 4пФ | Трехуровневый, неинвертированный | Стандартный | 8 | 32 мА 64 мА | 150 МГц | Положительное преимущество | 5,9 нс при 3,3 В, 50 пФ | 190 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ACTQ574ПК | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ACTQ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74actq574pc-datasheets-9709.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 5В | Без свинца | 20 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74ACTQ574 | 1 | 8 | 4,5 пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 7 нс | Тип D, триггер | 9 нс | Стандартный | 24 мА 24 мА | 85 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 9 нс при 5 В, 50 пФ | 40 мкА |
