Шlepanцы (6385)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	ТИП	В припании	Управый	МОНТАНАНГИП	Rraboч -yemperatura	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЧastoTA	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	Колист	Верна	Колист	Статус жIзnennogogo цikla	PBFREE CODE	Колист	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	МЕСТОД УПАКОККИ	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Полаяня	БЕЗОПАСНЫЙ	Пефер	Napraheneee - posta	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Я	PoSta	Posta	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Колист	Подкейгория	Vodnana polarnostaph	Питания	Колист	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Смерть	ЛОГИСКИЯ ТИП ИК	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Взёд	Колист	Втипа	В.	Nagruзka emcostath	Logiчeskayavy	Я	Файнкхия	Коли	Кргителнь ТОК	Ток -	Колист	Вес	ТАКТОВА	ТИП	Колист	Fmax-Min	Токпитания.	Maks i (ol)	На nanapravyenee -o	Проп. ЗAdErжKA@nom-sup	ТИП	Я	Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl	МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup	Tykuщiй - pocoayщiй (iq)
74HCT107N, 652	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ТИП JK	74HCT		Чereз dыru	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			CMOS			Rohs3	1997	/files/nxpusainc-74hc107n652-datasheets-4388.pdf	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)					14											E4	Ngecely palladyй			Не	4,5 n 5,5.	Дон		260	5в		74HCT107	5,5 В.	4,5 В.	30	2	Ff/зaщelki	Додер	5в		Н.Квалиирована		Hct			3,5 пт		DIFERENцIAL		50pf			Псевдоним	1		4ma 4ma			66 мг	Negativnoe opreimaheestvo		60 мг		0,004 а				54 м	36ns @ 4,5 -		4 мка
74ABT377APW, 112	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			Bicmos			Rohs3		/files/nxpusainc-74abt377an112-datasheets-9488.pdf	20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм)	6,5 мм	4,4 мм			20						Срезимом					E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в	0,65 мм	74abt377	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	Абт			4pf		Нюртировано		50pf			Станода	8		32MA 64MA			250 мг	Poloshitelgnый kraй		250 мг	30 май	0,064 а				4,9 млн	3,6ns @ 5V, 50pf		250 мк
74LV374PW, 112	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74LV		Пефер	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			CMOS			Rohs3	2009	/files/nxpusainc-74lv374d118-datasheets-3888.pdf	20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм)	6,5 мм	4,4 мм			20					2				НЕИ		E4	Ngecely palladyй			В дар	1 В ~ 5,5 В.	Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	74LV374	3,6 В.	1V	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	3,3 В.		Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	LV/LV-A/LVX/H.			3,5 пт		Три-Госхарство, neryrtyrovano		50pf			Станода	8		16 май 16 мая		3-шТат	77 мг	Poloshitelgnый kraй						29 млн		36 млн	19ns @ 5V, 50pf	20000000 gц	160 мка
74LVC821ABQ, 115	NXP USA Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74LVC		Пефер	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			CMOS			Rohs3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-74lvc821ad112-datasheets-3905.pdf	24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA	5,5 мм	3,5 мм			24					2				НЕИ		E4	Ngecely palladyй			В дар	1,65, ~ 3,6 В.	Квадран	NeT -lederStva	260	2,7 В.	0,5 мм	74LVC821	3,6 В.		30	1		Исиннн			Н.Квалиирована	R-PQCC-N24	LVC/LCX/Z.			5pf		Три-Госхарство, neryrtyrovano					Станода	10		24 май 24 май		3-шТат	200 мг	Poloshitelgnый kraй									7,3ns @ 3,3 -v, 50pf		10 мк
74ABT16823ADL, 518	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			Bicmos			Rohs3		/files/nxpusainc-74abt16823adgg112-datasheets-9408.pdf	56-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 ММ)		7,5 мм			56					2	Спро -раз			НЕИ	Лю	E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в	0,635 мм	74abt16823	5,5 В.	4,5 В.	30	2	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G56	Абт			4pf		Три-Госхарство, neryrtyrovano		50pf			Мастера	9		32MA 64MA		3-шТат	190 мг	Poloshitelgnый kraй				0,064 а		3,7 млн		3,7 млн	3,2ns @ 5V, 50pf	140000000 ГГ	1MA
74LV574D, 112	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74LV		Пефер	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			CMOS		2,65 мм	Rohs3	2009	/files/nexperiausainc-74lv574pw118-datasheets-4012.pdf	20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм)		7,5 мм			20					2	Бродядная сторона 374					E4	Ngecely palladyй			В дар	1 В ~ 5,5 В.	Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		74LV574	5,5 В.	1V	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	3,3 В.		Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	LV/LV-A/LVX/H.			3,5 пт		Три-Госхарство, neryrtyrovano		50pf			Станода	8		16 май 16 мая		3-шТат	70 мг	Poloshitelgnый kraй						25 млн		43 м	17ns @ 5V, 50pf	20000000 gц	20 мк
74ABT377ADB, 112	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			Bicmos		2 ММ	Rohs3		/files/nxpusainc-74abt377an112-datasheets-9488.pdf	20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм)	7,2 мм	5,3 мм			20						Срезимом					E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в	0,65 мм	74abt377	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	Абт			4pf		Нюртировано		50pf			Станода	8		32MA 64MA			250 мг	Poloshitelgnый kraй		250 мг	30 май	0,064 а				4,9 млн	3,6ns @ 5V, 50pf		250 мк
74ABT377ADB, 118	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			Bicmos		2 ММ	Rohs3		/files/nxpusainc-74abt377an112-datasheets-9488.pdf	20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм)	7,2 мм	5,3 мм			20						Срезимом				Лю	E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в	0,65 мм	74abt377	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	Абт			4pf		Нюртировано		50pf			Станода	8		32MA 64MA			250 мг	Poloshitelgnый kraй		250 мг	30 май	0,064 а				4,9 млн	3,6ns @ 5V, 50pf		250 мк
TC74VHCT574AFT (ELM	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	TC74VHCT	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)						ROHS COMPRINT	2009	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemonductorandstorage-tc74vhct574aftel-datasheets-5340.pdf	20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм)			5в				20						Не								4,5 n 5,5.										1										4pf		Три-Госхарство, neryrtyrovano				10,4 млн	Станода	8	4 мка	8 мая 8 мая			130 мг	Poloshitelgnый kraй							Poloshitelgnый kraй		10.4ns @ 5V, 50pf
HMC841LC4BTR-R5	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep		Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 70 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)	70 ° С	-40 ° С		43 Гер		Rohs3		/files/analogdevicesinc-hmc841lc4b-datasheets-9204.pdf	24-tfqfn или				СОДЕРИТС			24	Proшlый raзpopaThe (PoslegeDniй obnownen: 4 дня назад)													-3.13V ~ -3.47V						HMC841				1									24-SMT (4x4)			DIFERENцIAL					Станода	1					43 Гер	Poloshitelgnый, otriцaTeLnый
74abt823db, 118	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			Bicmos		2 ММ	Rohs3		/files/nxpusainc-74abt823d602-datasheets-4017.pdf	24-СССОП (0,209, Ирина 5,30 мм)	8,2 мм	5,3 мм			24					2	Спро -раз				Лю	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в	0,65 мм	74abt823	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G24	Абт			4pf		Три-Госхарство, neryrtyrovano		50pf			Мастера	9		32MA 64MA		3-шТат	200 мг	Poloshitelgnый kraй			34 май	0,064 а				6,8 млн	6.1ns @ 5V, 50pf		250 мк
MC10E452FNR2G	На то, чтобы	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		10E	Пефер	Пефер	0 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)			Эkl			Rohs3	2006	/files/onsemyonductor-mc100e452fnr2-datasheets-0288.pdf	28-LCC (J-Lead)			5в	СОУДНО ПРИОН	28	4 neDe	28	Срок службы (posleDniй obnownen: 1 месяца назад)	в дар				Не			E3	Олово (sn)	Nerting	БЕЗОПАСНЫЙ		-4,2v ~ -5,7 В.	Квадран	J Bend	260	5в		10E452			40	1	Rregystrы cmenenы			2			10E	D				DIFERENцIAL	600 с		D-Thep	850 с	Мастера	5				Otkrыtый эmiTter	1,1 -е	Poloshitelgnый kraй	10				Верно		Poloshitelgnый kraй
HMC853LC3CTR-R5	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep		Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)	85 ° С	-40 ° С		28 гг		Rohs3		/files/analogdevicesinc-hmc853lc3-datasheets-3603.pdf	16-vfcqfn otkrыtai-anpeщadca				СОДЕРИТС			16														-3V ~ -3,6V						HMC853				1									16-CSMT (3x3)			DIFERENцIAL					Станода	1					28 гг	Poloshitelgnый, otriцaTeLnый
N74F174D, 623	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74f		Пефер	0 ° C ~ 70 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			В			Rohs3	1999	/files/nxpusainc-n74f174n602-datasheets-9420.pdf	16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)					16										Лю	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в		74F174	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована		F/bыstro					Нюртировано		50pf			Мастера	6		1 мая 20 мая			100 мг	Poloshitelgnый kraй		80 мг	45 май	0,02 а					10NS @ 5V, 50pf	80000000 ГГ	45 май
74LVTH16374ABX, 518	Nexperia USA Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74LVTH	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	2 (1 годы)			Bicmos			ROHS COMPRINT		/files/nexperiausainc-74lvt16374adgg118-datasheets-8827.pdf	60-xfqfn dvoйne raDы, oTkrыTAIN					60																2,7 В ~ 3,6 В.				3,3 В.		74LVTH16374				2	Ff/зaщelki		3,3 В.		Н.Квалиирована					3PF		Три-Госхарство, neryrtyrovano	3 млн	50pf	D-Thep, шlepanцы	7,5 млн	Станода	8		32MA 64MA		3-шТат	150 мг	Poloshitelgnый kraй				0,064 а			Poloshitelgnый kraй		5ns @ 3,3 -v, 50pf	150000000 ГГ	120 мка
74LVC574ADTR2G	На то, чтобы	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74LVC	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			CMOS			Rohs3			20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм)	6,5 мм	4,4 мм		СОУДНО ПРИОН	20		20		в дар	2		ЗOLOTO				E4		Nerting			1,65, ~ 3,6 В.	Дон	Крхлоп		3,3 В.	0,65 мм		3,6 В.			1							LVC/LCX/Z.			5pf		Три-Госхарство, neryrtyrovano				7 млн	Станода	8	10 мк	24 май 24 май		3-шТат	200 мг	Poloshitelgnый kraй							Poloshitelgnый kraй		7ns @ 3,3 -v, 50pf
74AUP1G74GD, 125	Nexperia USA Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74aup	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 125 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			CMOS		0,5 мм	ROHS COMPRINT		/files/nexperiausainc-74aup1g74gs115-datasheets-7859.pdf	8-xfdfn	3 ММ	2 ММ		СОУДНО ПРИОН	8		8					ЗOLOTO	Не			E4		Nerting			0,8 В ~ 3,6 В.	Дон		260	1,2 В.	0,5 мм	74AUP1G74	3,6 В.		40								AUP/ULP/V.			0,6 пт	1	DIFERENцIAL	2,2 млн		И, D-Thep	22,5 млн	Набор (предустановка) и сброс		500NA	4ma 4ma	1		315 мг	Poloshitelgnый kraй							Poloshitelgnый kraй		5,8ns @ 3,3 v, 30pf
IDT74ALVCH16721PAG8	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74Alvch		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)								/files/renesaselectronicsamericainc-idt74alvch16721pag-datasheets-9243.pdf	56-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм)																					2,7 В ~ 3,6 В.						74ALVCH16721				1										5pf		Три-Госхарство, neryrtyrovano					Станода	20		24 май 24 май			150 мг	Poloshitelgnый kraй									4.3ns @ 3,3 v, 50pf		40 мк
N74F534N, 602	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74f		Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			В		4,2 мм	Rohs3	2013	/files/nxpusainc-n74f534d623-datasheets-9418.pdf	20-DIP (0,300, 7,62 ММ)	26,73 мм	7,62 мм			20					2				НЕИ		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Не	4,5 n 5,5.	Дон		260	5в	2,54 мм	74F534	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki		5в		Н.Квалиирована	R-PDIP-T20	F/bыstro					Три-иуджрадво,		50pf			Станода	8		3MA 24MA		3-шТат	165 мг	Poloshitelgnый kraй				0,024 а				7,5 млн	7ns @ 5V, 50pf		86 май
74abt377an, 112	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			Bicmos		4,2 мм	Rohs3		/files/nxpusainc-74abt377an112-datasheets-9488.pdf	20-DIP (0,300, 7,62 ММ)	26,73 мм	7,62 мм			20						Срезимом					E4	Ngecely palladyй			Не	4,5 n 5,5.	Дон		260	5в	2,54 мм	74abt377	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDIP-T20	Абт			4pf		Нюртировано		50pf			Станода	8		32MA 64MA			250 мг	Poloshitelgnый kraй		250 мг	30 май	0,064 а				4,9 млн	3,6ns @ 5V, 50pf		250 мк
TC74LCX273FT-ELK	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74lcx		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)							2014	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tc74lcx273ftelk-datasheets-9214.pdf	20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм)																					1,65, ~ 3,6 В.										1									20-tssop	7pf		Нюртировано					Псевдоним	8		24 май 24 май			150 мг	Poloshitelgnый kraй									8,5ns @ 3,3 -v, 50pf		10 мк
N74F175AD, 623	NXP USA Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74f		Пефер	0 ° C ~ 70 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			В			Rohs3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-n74f175ad602-datasheets-9345.pdf	16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)	9,9 мм	3,9 мм			16				в дар						Лю	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	Nukahan	5в		74F175	5,5 В.		Nukahan	1	Ff/зaщelki	Додер	5в		Н.Квалиирована		F/bыstro					DIFERENцIAL		50pf			Мастера	4		1 мая 20 мая			160 мг	Poloshitelgnый kraй				0,02 а				9 млн	8,5ns @ 5V, 50pf		31ma
XC74WL74AASR	Torex Semiconductor Ltd	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74WL	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			CMOS			Rohs3	2007	/files/torexsemyonductorltd-xc74wl74aasr-datasheets-9506.pdf	8-tssop, 8-марс (0,110, ширина 2,80 мм)					8		8						Не								2В ~ 5,5 В.	Дон	Крхлоп				74WL74				1	Ff/зaщelki		2/5,5.							4pf		DIFERENцIAL	4,6 млн	50pf	И, D-Thep		Набор (предустановка) и сброс			8 мая 8 мая			115 мг	Poloshitelgnый kraй				0,004 а			Poloshitelgnый kraй		9.3ns @ 5V, 50pf	4500000000 gц	1 Млокс
N74F821D, 623	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74f		Пефер	0 ° C ~ 70 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			В		2,65 мм	Rohs3	2004	/files/nxpusainc-n74f821d602-datasheets-9406.pdf	24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм)		7,5 мм			24					2	Питани О.			НЕИ	Лю	E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в		74F821	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G24	F/bыstro					Три-Госхарство, neryrtyrovano		50pf			Станода	10		24 май 64 мая		3-шТат	180 мг	Poloshitelgnый kraй				0,064 а		9,5 млн		9,5 млн	8,5ns @ 5V, 50pf		105 май
N74F374DB, 118	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74f		Пефер	0 ° C ~ 70 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			В		2 ММ	Rohs3	2002	/files/nxpusainc-n74f373db112-datasheets-1969.pdf	20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм)	7,2 мм	5,3 мм			20					2					Лю	E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в	0,65 мм	74F374	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	F/bыstro					Три-Госхарство, neryrtyrovano					Станода	8		3MA 24MA		3-шТат	165 мг	Poloshitelgnый kraй				0,024 а					7,5NS @ 5V, 50pf		86 май
TC7WT74FUTE12LF	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	TC7WT	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			CMOS			ROHS COMPRINT	2010 ГОД	/files/toshibasemyonductorandStorage-tc7wt74fute12lf-datasheets-9267.pdf	8-tssop, 8-марс (0,110, ширина 2,80 мм)			5в		8		8								Лю			Nerting			4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп		5в	0,635 мм	7WT74					Ff/зaщelki		5в	1	Н.Квалиирована					5pf		DIFERENцIAL	17 млн	50pf	И, D-Thep	30 млн	Набор (предустановка) и сброс		2 мкс	4ma 4ma			53 мг	Poloshitelgnый kraй				0,004 а			Poloshitelgnый kraй		30NS @ 5,5 -
74ABT16273DL, 112	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			Bicmos			Rohs3		/files/nxpusainc-74abt16273dgg112-datasheets-4477.pdf	48-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 мм)		7,5 мм			48									НЕИ		E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в	0,635 мм	74abt16273	5,5 В.	4,5 В.	30	2	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована		Абт			4pf		Нюртировано					Мастера	8		32MA 64MA			240 мг	Poloshitelgnый kraй				0,064 а		4 млн		4 млн	3.4ns @ 5V, 50pf	150000000 ГГ	1MA
74ABT377APW, 118	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			Bicmos			Rohs3		/files/nxpusainc-74abt377an112-datasheets-9488.pdf	20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм)	6,5 мм	4,4 мм			20						Срезимом				Лю	E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в	0,65 мм	74abt377	5,5 В.	4,5 В.	30	1	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	Абт			4pf		Нюртировано		50pf			Станода	8		32MA 64MA			250 мг	Poloshitelgnый kraй		250 мг	30 май	0,064 а				4,9 млн	3,6ns @ 5V, 50pf		250 мк
74ABT16823ADGG, 112	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			Bicmos			Rohs3		/files/nxpusainc-74abt16823adgg112-datasheets-9408.pdf	56-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм)	14 ММ	6,1 мм			56					2	Спро -раз					E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп		5в	0,5 мм	74abt16823	5,5 В.	4,5 В.		2	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G56	Абт			4pf		Три-Госхарство, neryrtyrovano					Мастера	9		32MA 64MA		3-шТат	190 мг	Poloshitelgnый kraй				0,064 а		3,7 млн		3,7 млн	3,2ns @ 5V, 50pf	140000000 ГГ	1MA
74ABT16821ADGG, 112	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	D-Thep	74abt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			Bicmos			Rohs3		/files/nxpusainc-74abt16821adl512-datasheets-3934.pdf	56-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм)	14 ММ	6,1 мм			56					2				НЕИ		E4	Ngecely palladyй			В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Крхлоп	260	5в	0,5 мм	74abt16821	5,5 В.	4,5 В.	30	2	Ff/зaщelki	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G56	Абт			3PF		Три-Госхарство, neryrtyrovano					Станода	10		32MA 64MA		3-шТат	250 мг	Poloshitelgnый kraй			19ma	0,064 а		3,7 млн		3,7 млн	3.3ns @ 5V, 50pf	160000000 ГГ	1MA

Шlepanцы (6385)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии