Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль На PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА СОПРОТИВЛЕЙН Колист Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Вес Power Dissipation-Max В Klючite -wreman В. Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов PoSta ТИП КАНАЛА В конце ТОК - В.О. ASTOTA - PREREKLючENEEEE
6EDM2003L06F10X1SA1 6EDM2003L06F10X1SA1 Infineon
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT
HIP6603BECBZ-T HIP6603BECBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-hip6603becbzt-datasheets-3738.pdf 12 SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 Не 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 40 Draйverы moaspeta 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 730 май
HIP6603BECBZ HIP6603BECBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 3 (168 чASOW) 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-hip6603becbz-datasheets-3708.pdf 12 SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 Не 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 30 Draйverы moaspeta 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 730 май
HIP6603BECB-T HIP6603BECB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-hip6603becbt-datasheets-3653.pdf 12 4,89 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,73а В дар 2.5A
IR4428PBF IR4428PBF Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT PDIP 10 8966 ММ 49276 ММ 7,11 мм 200 мк НЕТ SVHC 20 8 2 Не 200 мк 1 Вт 3.3a Берн илиирторн -дера 85 м 35NS 25 млн 65 м 160 м 65 м 1 Вт 20 2.3a
HIP4082IPZ HIP4082ipz Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 125 ° С -55 ° С МИГ ROHS COMPRINT 1994 /files/intersil-hip4082ipz-datasheets-3627.pdf PDIP 19,68 мм 4,95 мм 7,11 мм СОУДНО ПРИОН 6,4 мая 16 9 nedely НЕТ SVHC 15 8,5 В. 16 4 в дар Ear99 1 2,6 май E3 МАНЕВОВО Дон Neprigodnnый 12 16 ВОЗДЕЛАН Neprigodnnый Н.Квалиирована 1.25a 12 Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 9ns 9 млн 1.4a 0,11 мкс 0,08 мкс В дар 86,3 В. 1.25a 100 kgц
HIP6603BECB HIP6603BECB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 2 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-hip6603becb-datasheets-3615.pdf 12 4,89 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,73а В дар 2.5A
ISL6208ACBZ ISL6208ACBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 100 ° С -10 ° С МИГ 100 мк 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 5,5 В. 4,5 В. 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 8 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 4 а ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 8ns 8 млн 800 м В дар 4 а
HIP6603BCBZ-T HIP6603BCBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-hip6603bcbzt-datasheets-3573.pdf 12 SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 7 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 730 май
LM2724ALD LM2724ALD Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Весели ROHS COMPRINT 4 мм 4 мм СОДЕРИТС 8 8 Ear99 1 В дар Дон NeT -lederStva Автомобиль -40 ° С 4,3 В. ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3.2a В дар
HIP6603BCBZ HIP6603BCBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-hip6603bcbz-datasheets-3545.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 7 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 730 май
HIP6603BCB-T HIP6603BCB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-hip6603bcbt-datasheets-3522.pdf 12 SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,73а В дар 2.5A
HIP6603BCB HIP6603BCB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-hip6603bcb-datasheets-3474.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,73а В дар 2.5A
ISL6612IRZR5238 ISL6612IRZR5238 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612irzr5238-datasheets-3469.pdf DFN 13.2V 10,8 В. 10 3A 2
NCV7120FP0R2G NCV7120FP0R2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT Активна (postednyй obnownen: 2 nededeli -nanazhad) в дар
HIP6602BCRZA-T HIP6602BCRZA-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-hip6602bcrzat-datasheets-3436.pdf VQFN 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 4 май 16 13.2V 10,8 В. 16 4 Ear99 2 4 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 12 0,8 мм Drugoй 40 Draйverы moaspeta 5/1212V Н.Квалиирована 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 730 май
HIP6602BCRZA HIP6602BCRZA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 3 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-hip6602bcrza-datasheets-3420.pdf VQFN 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 4 май 16 13.2V 10,8 В. 16 4 Ear99 2 4 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 12 0,8 мм Drugoй 30 Draйverы moaspeta 5/1212V Н.Квалиирована 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 730 май
ICL7667CPA ICL7667CPA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT 1999 /files/intersil-icl7667cpa-datasheets-3405.pdf Окунаан 10,16 ММ 4,95 мм 7,11 мм СОУДНО ПРИОН 7ma 8 НЕИ 15 4,5 В. 8 2 Ear99 2 7ma E0 Олово/Свинен (SN/PB) Nukahan Коммер Дон Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 1A Берн илиирторн -дера 30ns 30 млн 500 м 0,03 мкс 0,05 мкс Не
HIP6602BCRZ-T HIP6602BCRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-hip6602bcrzt-datasheets-3384.pdf VQFN 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 4 май 16 13.2V 10,8 В. 16 4 Ear99 2 4 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 12 0,8 мм Drugoй 40 Draйverы moaspeta 5/1212V Н.Квалиирована 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 730 май
MAQ4125YME-TR MAQ4125mer-tr ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 20 2,3 ОМ 2 3A 2 NeShavymymый
MIC4468CWMTR MIC4468CWMTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С В SOIC СОДЕРИТС 18В 4,5 В. 16 4 4 май 1 Вт 1.2a 100 с 25NS 25 млн 100 с 75 м 4 1 Вт NeShavymymый 1.2a
HIP6602BCRZ HIP6602BCRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 3 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-hip6602bcrz-datasheets-3344.pdf VQFN 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 4 май 16 13.2V 10,8 В. 16 4 Ear99 2 4 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 12 0,8 мм Drugoй 30 Draйverы moaspeta 5/1212V Н.Квалиирована 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 730 май
TPS28226DRBTG4 TPS28226DRBTG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 2 125 ° С -40 ° С 2 мг ROHS COMPRINT SOIC 3 ММ 880 мкм 3 ММ 7,2 В. СОУДНО ПРИОН 8 24.012046mg 6,8 В. 8 2 в дар Ear99 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 260 7,2 В. 0,65 мм 8 Автомобиль Одинокий 2,58 Вт Draйverы moaspeta 4 май Берн илиирторн -дера 10NS 10 млн 14 млн 2,58 Вт В дар 6A
HIP6602BCR-T HIP6602BCR-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-hip6602bcrt-datasheets-3300.pdf VQFN 5 ММ 5 ММ СОДЕРИТС 16 16 Ear99 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Квадран NeT -lederStva 240 12 0,8 мм 16 Drugoй 13.2V 10,8 В. Nukahan Draйverы moaspeta 5/1212V Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 4 0,73а В дар 12
MAQ4124YME-TR MAQ4124YME-TR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 20 4,5 В. 2 3A 35NS 35 м 50 млн 2 NeShavymymый
ISL6208CHRZ-TR5675 ISL6208CHRZ-TR5675 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -10 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6208Chrztr5675-datasheets-4988.pdf 17 2 2A Синжронно
HIP6602BCR HIP6602BCR Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-hip6602bcr-datasheets-3272.pdf VQFN 5 ММ 5 ММ СОДЕРИТС 16 16 Ear99 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Квадран NeT -lederStva 240 12 0,8 мм 16 Drugoй 13.2V 10,8 В. Nukahan Draйverы moaspeta 5/1212V Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 4 0,73а В дар 12
MAQ4123YME-TR MAQ4123ME-TR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 20 2,3 ОМ 2 3A 2 NeShavymymый
HIP6602BCBZ-T HIP6602BCBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-hip6602bcbzt-datasheets-3237.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 4 май 14 13.2V 10,8 В. 14 4 Ear99 Не 2 4 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ Drugoй 40 Draйverы moaspeta 5/1212V 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 730 май
HIP6602BCBZ HIP6602BCBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-hip6602bcbz-datasheets-3211.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 4 май 14 НЕТ SVHC 13.2V 10,8 В. 14 4 Ear99 Не 2 4 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ Drugoй 30 Draйverы moaspeta 5/1212V 730 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 50NS 20 млн 0,73а В дар 15,3 В. 730 май

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.