Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колиство PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Napryaneece-nom Napryaneeneeee (mmaks) Power Dissipation-Max В Встровя На Klючite -wreman В. PoSta В.С.С.Бокововов ТИП КАНАЛА OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema Вес Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА Переграклейни В конце ТОК - В.О. ASTOTA - PREREKLючENEEEE
HIP4083AP HIP4083AP Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 105 ° С -40 ° С МИГ ROHS COMPRINT 1996 /files/intersil-hip4083ap-datasheets-2499.pdf Окунаан 19,17 мм 7,62 мм СОДЕРИТС 16 16 Ear99 ТЕМПЕРАТУРА 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Nukahan 12 2,54 мм 16 Автомобиль 15 Nukahan Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 3 0,3а 0,09 мкс 0,08 мкс В дар
HIP4083ABZT HIP4083ABZT Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 125 ° С -40 ° С МИГ 1,75 мм ROHS COMPRINT 1996 /files/intersil-hip4083abzt-datasheets-2478.pdf SOIC 9,9 мм СОУДНО ПРИОН 2,5 мая 16 7 95V 3 Ear99 ТЕМПЕРАТУРА 1 2,5 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 240 12 1,27 ММ 16 Автомобиль Nukahan Н.Квалиирована R-PDSO-G16 300 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 60ns 50 млн 0,3а 0,09 мкс 0,08 мкс В дар 300 май
ISL6622AIRZ ISL6622Airz Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6622222airz-datasheets-2472.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 10 13.2V 6,8 В. 10 2 в дар Ear99 1 4 май E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм 10 Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A Идир mosfet на 26ns 18 млн 3A В дар 3A
HIP4083ABZ HIP4083ABZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 SMD/SMT 105 ° С -40 ° С МИГ ROHS COMPRINT 1996 /files/intersil-hip4083abz-datasheets-2447.pdf SOIC 9,9 мм СОУДНО ПРИОН 2,5 мая 16 7 НЕТ SVHC 95V 16 Ear99 ТЕМПЕРАТУРА 1 2,5 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 16 Автомобиль 1 30 Н.Квалиирована 240 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 35NS 30 млн 3 0,3а 0,09 мкс 0,08 мкс В дар 101,3 В. 240 май
HIP4083ABT HIP4083ABT Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С МИГ 1,75 мм ROHS COMPRINT 1996 /files/intersil-hip4083abt-datasheets-2406.pdf SOIC 9,9 мм СОДЕРИТС 2,5 мая 16 15 3 Ear99 ТЕМПЕРАТУРА 1 2,5 мая E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 1,27 ММ 16, 16 Автомобиль Nukahan Н.Квалиирована R-PDSO-G16 300 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 60ns 50 млн 0,3а 0,09 мкс 0,08 мкс В дар 300 май
MIC4451BMTR MIC4451BMTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С В 2005 /files/micrel-mic4451bmtr-datasheets-2388.pdf SOIC СОДЕРИТС 18В 4,5 В. 8 1 1,04 12A 80 ps 40ns 50 млн 60 млн 1 Одинокий
HIP4083AB HIP4083AB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 105 ° С -40 ° С МИГ В 1996 /files/intersil-hip4083ab-datasheets-2369.pdf SOIC СОДЕРИТС 16 Ear99 ТЕМПЕРАТУРА not_compliant 3 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 12 1,27 ММ 16 Промлэнно 15 Draйverы moaspeta Пефернут 12 Н.Квалиирована R-PDSO-G16 Станода ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 3 0,1 мкс 0,09 мкс В дар ТОТЕМНЕП
HIP4082IBZT HIP4082IBZT Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Весели 3 125 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 1994 /files/intersil-hip4082ibzt-datasheets-2351.pdf SOIC 9,9 мм 1,75 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 6,4 мая 16 8 НЕТ SVHC 15 8,5 В. 16 4 в дар 1 6,4 мая E3 МАНЕВОВО 16 Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ 16 ВОЗДЕЛАН 30 Н.Квалиирована 150 ° С 1.4a Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 25NS 25 млн 1.4a 0,11 мкс 0,08 мкс В дар 1.25a
IR2301 IR2301 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 2 150 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2004 /files/internationalRectifier-ir2301-datasheets-2316.pdf Окунаан 9,88 мм 5,33 ММ СОДЕРИТС 8 20 2 Ear99 Плавазидж Opodepep 1 120 мка E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 225 15 8 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 150 ° С 150 ° С ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 220 м 130ns 50 млн 200 млн 220 м 1 Вт 0,35а 0,3 мкс В дар 10 В
HIP4082IBZ HIP4082IBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 3 125 ° С -55 ° С МИГ ROHS COMPRINT 1994 /files/intersil-hip4082ibz-datasheets-2287.pdf SOIC 10 мм 1,5 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 6,4 мая 16 9 nedely НЕТ SVHC 15 8,5 В. 16 4 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО 16 Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ 16 ВОЗДЕЛАН 30 Н.Квалиирована 1.25a Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 9ns 25 млн 1.4a 0,11 мкс 0,08 мкс В дар 86,3 В. 1.25a
ISL6611ACRZ-T ISL6611ACRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 70 ° С 0 ° С 2,5 мая 1 ММ ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/Intersil-isl6611Acrzt-datasheets-2276.pdf VQFN 16 5 nedely 5,5 В. 4,5 В. 16 4 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 0,65 мм 16 Коммер DVOйNOй KOONTROLLERERPEREKLGHONYNARY 30 Н.Квалиирована 4 а 8ns 8 млн 5,25 В. МОДУЛЯСАЯ СДВИГ ФРАЙ 1000 кг 4 а
HIP4082IBT HIP4082IBT Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -55 ° С МИГ В 1994 /files/intersil-hip4082ibt-datasheets-2250.pdf SOIC СОДЕРИТС 6,4 мая 16 9 nedely 15 8,5 В. 16 4 не Ear99 1 6,4 мая Дон Крхлоп 16 Промлэнно Исиннн Н.Квалиирована 1.25a ШMITTTTTTTTTT Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 20ns 20 млн 1.3a В дар ТОТЕМНЕП 1.25a
HIP4082IB HIP4082IB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -55 ° С МИГ 1,75 мм В 1994 /files/intersil-hip4082ib-datasheets-2226.pdf SOIC 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 6,4 мая 16 13 НЕТ SVHC 15 8,5 В. 16 не Ear99 not_compliant 1 2,6 май E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 12 1,27 ММ 16 ВОЗДЕЛАН Nukahan Н.Квалиирована 1.25a Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 9ns 9 млн 4 1.4a 0,11 мкс 0,08 мкс В дар 1,3 В. 1.25a
ISL6207CRZ-T ISL6207CRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 2 85 ° С -10 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6207crzt-datasheets-2187.pdf VQFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 5,5 В. 4,5 В. 8 2 в дар Ear99 Не 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран 260 0,65 мм 8 Drugoй 40 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 8ns 8 млн 4 а 0,03 мкс В дар 4 а
HIP4081AIPZ HIP4081AIPZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 85 ° С -40 ° С МИГ ROHS COMPRINT 1993 /files/intersil-hip4081aipz-datasheets-2182.pdf PDIP 26,9 мм 4,95 мм 7,11 мм СОУДНО ПРИОН 15,5 мая 20 7 НЕТ SVHC 95V 9,5 В. 20 1 Ear99 1 10,5 мая E3 МАНЕВОВО Дон Neprigodnnый 12 Промлэнно Neprigodnnый Н.Квалиирована 2.5A 15 Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 110 млн 10NS 10 млн 90 млн 4 2.6a 0,09 мкс 0,07 мкс В дар 12,6 В. 2.5A 1 мг
HIP4081AIBZT HIP4081AIBZT Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 3 85 ° С -40 ° С МИГ 2,65 мм ROHS COMPRINT 1993 /files/intersil-hip4081aibzt-datasheets-2153.pdf SOIC 12,8 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 15,5 мая 20 6 НЕТ SVHC 95V 9,5 В. 20 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ Промлэнно 30 Н.Квалиирована 2.6a Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 35NS 35 м 4 2.6a 0,09 мкс 0,07 мкс В дар 950 м 2.6a
IR2085SPBF IR2085SPBF ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 2 125 ° С -40 ° С 500 kgц 1,75 мм ROHS COMPRINT 2011 год /files/internationalRectifier-ir2085spbf-datasheets-2128.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 15 10 В 8 2 Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 12 8 Автомобиль 30 1 Вт Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 1MA Перифержин -вуделх 60ns 30 млн 1A Wrenemennnый; На ТОКОМ; Пеодер Истошиник NeShavymymый
HIP4081AIBZ HIP4081AIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 3 85 ° С -40 ° С МИГ ROHS COMPRINT 1993 /files/intersil-hip4081aibz-datasheets-2119.pdf SOIC 13 ММ 2,35 мм 7,6 мм СОУДНО ПРИОН 15,5 мая 20 7 НЕТ SVHC 95V 9,5 В. 20 4 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ Промлэнно 30 Н.Квалиирована 2.5A Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 35NS 35 м 2.6a 0,09 мкс 0,07 мкс В дар 500 м 2.5A 1 мг
HIP4081AIBT HIP4081AIBT Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С МИГ 2,65 мм ROHS COMPRINT 1993 /files/intersil-hip4081aibt-datasheets-2067.pdf SOIC 12,8 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 15,5 мая 20 7 15 9,5 В. 4 Ear99 1 15,5 мая E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 1,27 ММ 20, 20 Промлэнно Nukahan Н.Квалиирована R-PDSO-G20 2.5A Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 25NS 25 млн 2.6a 0,09 мкс 0,07 мкс В дар 2.5A
HIP4081AIB HIP4081AIB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С МИГ 2,65 мм В 1993 /files/intersil-hip4081aib-datasheets-2046.pdf SOIC 12,8 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 15,5 мая 20 8 НЕТ SVHC 15 9,5 В. 20 Ear99 not_compliant 1 1,25 мая E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 1,27 ММ Промлэнно 30 Н.Квалиирована 2.5A Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 10NS 10 млн 4 2.6a 0,09 мкс 0,07 мкс В дар 12,6 В. 2.6a
HIP4080AIPZ HIP4080AIPZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2004 /files/intersil-hip4080aipz-datasheets-2020.pdf Окунаан 26,9 мм 4,95 мм 7,11 мм СОУДНО ПРИОН 15 май 20 8 НЕТ SVHC 95V 9,5 В. 20 4 Ear99 1 1,25 мая E3 МАНЕВОВО Дон Neprigodnnый 12 Промлэнно Neprigodnnый Н.Квалиирована 2.5A 15 Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 10NS 10 млн 530 м 1.4a 0,11 мкс В дар 11,5. 2.5A 1 мг
ISL6612BCRZ-T ISL6612BCRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С 0 ° С 10,5 мая 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612bcrzt-datasheets-1988.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 18 13.2V 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 3A 12 В дар 3A
HIP4080AIBZT HIP4080AIBZT Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Весели 2 85 ° С -40 ° С 2,65 мм ROHS COMPRINT 1993 /files/intersil-hip4080aibzt-datasheets-1961.pdf SOIC 12,8 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 15 май 20 8 95V 9,5 В. 20 4 Ear99 Не 1 1,25 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ Промлэнно 30 2.5A Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 10NS 10 млн 470 м 1.4a 0,11 мкс В дар 950 м 2.6a
MIC4429CMTR MIC4429CMTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 150 ° С 0 ° С В 2005 /files/micrel-mic4429cmtr-datasheets-1937.pdf SOIC СОДЕРИТС 18В 4,5 В. 8 1 1,04 6A 100 с 35NS 35 м 75 м 1 Одинокий
HIP4080AIBZ HIP4080AIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 2 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1993 /files/intersil-hip4080aibz-datasheets-1926.pdf SOIC 13 ММ 2,35 мм 7,6 мм СОУДНО ПРИОН 15 май 20 9 nedely НЕТ SVHC 95V 9,5 В. 20 4 Ear99 1 1,25 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ Промлэнно 30 Н.Квалиирована 2.5A Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 10NS 10 млн 470 м 1.4a 0,11 мкс В дар 2.6a 1 мг
EL7154CS-T7 EL7154CS-T7 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -40 ° С В 2002 /files/intersil-el7154cst7-datasheets-1911.pdf SOIC 39116 ММ СОДЕРИТС 8 2 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Промлэнно 16 4,5 В. Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 4 а Перифержин -дера 4 а Истошик 12 Синжронно -3V
AUIRS2124S AUIRS2124S ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2009 /files/internationalRectifier-auirs2124s-datasheets-1890.pdf SOIC 49784 мм 14986 ММ 39878 ММ СОУДНО ПРИОН 8 20 10 В 8 1 не Ear99 Не 1 Дон Крхлоп 15 8 Автомобиль Псевриген 500 май Берн илиирторн -дера 140 м 200ns 200 млн 140 м 240 м 0,5а 0,24 мкс 0,24 мкс В дар Одинокий 620В 500 май
HIP4080AIBT HIP4080AIBT Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С МИГ 2,65 мм ROHS COMPRINT 2003 /files/intersil-hip4080aibt-datasheets-1882.pdf SOIC 12,8 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 15 май 20 8 15 9,5 В. 4 Ear99 1 15 май E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 1,27 ММ 20, 20 Промлэнно Nukahan Н.Квалиирована R-PDSO-G20 2.5A Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 25NS 25 млн 470 м 1.4a 0,11 мкс В дар 2.5A
SI9913DY-E3 Si9913dy-E3 Виалико
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С 1 мг ROHS COMPRINT 2009 /files/vishaysiliconix-si9913dye3-datasheets-1865.pdf SOIC 5,5 В. 4,5 В. 8 2 Не 9ma 830 м 1A 30 млн 2 830 м
HIP4080AIB HIP4080AIB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С МИГ 2,65 мм ROHS COMPRINT 1999 /files/intersil-hip4080aib-datasheets-1859.pdf SOIC 12,8 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 15 май 20 8 НЕИ 15 9,5 В. 20 4 Ear99 1 15 май E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 1,27 ММ Промлэнно Nukahan Н.Квалиирована 2.5A Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 10NS 25 млн 470 м 1.4a 0,11 мкс В дар 12,6 В. 2.5A

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.