Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Тип входа | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Входные характеристики | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Задержка распространения | Количество выходов | Ограничение пикового выходного тока. | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Напряжение питания1-ном. | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Отрицательное напряжение питания-ном. | Выходные характеристики | Управляемая перемена | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MIC4101BM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-mic4100ym-datasheets-6480.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 9В~16В | MIC4101 | 8-СОИК | 400 нс 400 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 118В | 0,8 В 2,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4421ABN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microchiptechnology-mic4422aym-datasheets-0423.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4421 | 8-ПДИП | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4420CM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | 0°С | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 18В | 4,5 В | 8 | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4420 | 1,04 Вт | 8-СОИК | 6А | 100 пс | 35 нс | 35 нс | 75 нс | 1 | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4451BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4451 | 8-ПДИП | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX6R11S6 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ix6r11s3-datasheets-4664.pdf | 18-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 11,54 мм | 7,5 мм | 35В | Без свинца | 18 | 2 | EAR99 | 1 | 1,25 Вт | 10 В~35 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 15 В | IX6*11 | 18 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 15 В | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G18 | 6А | 35 нс | 25 нс | 6А | 0,16 мкс | 25 нс 17 нс | 15 В | ДА | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 600В | 6В 9,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4421BM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4421ymtr-datasheets-4877.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4421 | 8-СОИК | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4426BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4426 | 8-ПДИП | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4422ABM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microchiptechnology-mic4422aym-datasheets-0423.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4422 | 8-СОИК | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL7457CU | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 1,72 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-el7457cszt7-datasheets-8835.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,91 мм | 16 | 4 | EAR99 | 4 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,635 мм | EL7457 | 16 | 30 | Р-ПДСО-G16 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 13,5 нс 13 нс | ДА | Независимый | -5В | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,8 В 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL7155CS | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/renesaselectronicsamemericainc-el7155cszt7a-datasheets-9375.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4,5 В~16,5 В | НЕ УКАЗАН | EL7155 | 8 | НЕ УКАЗАН | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 14,5 нс 15 нс | синхронный | Верхняя сторона или нижняя сторона | БТИЗ | 3,5 А 3,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4420CM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4420 | 8-СОИК | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL7156CN | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 5,334 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamemericainc-el7156cszt7a-datasheets-9351.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,525 мм | 7,62 мм | 8 | 1 | EAR99 | 1 | НЕТ | 4,5 В~16,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | EL7156 | Р-ПДИП-Т8 | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 3,5 А | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 14,5 нс 15 нс | Одинокий | -5В | Верхняя сторона или нижняя сторона | БТИЗ | 3,5 А 3,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4101BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-mic4100ym-datasheets-6480.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 9В~16В | MIC4101 | 8-СОИК | 400 нс 400 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 118В | 0,8 В 2,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC5013BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microchiptechnology-mic5013ymtr-datasheets-8521.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 7В~32В | MIC5013 | 8-ПДИП | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2В 4,5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4421ABM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microchiptechnology-mic4422aym-datasheets-0423.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4421 | 8-СОИК | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL7242CN | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | 5,33 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-el7242csz-datasheets-8108.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,585 мм | 8 | 2 | EAR99 | 2 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | НЕТ | 4,5 В~16 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 15 В | EL7242 | 8 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДИП-Т8 | И ДРАЙВЕР МОП-транзистора на базе затвора | 2А | 10 нс 10 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC427VPAG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microchip-tc427vpag-datasheets-4095.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16В | 4,5 В | 8 | 2 | 8мА | 18В | 730мВт | 4,5 В~18 В | ТС427 | 8-ПДИП | 30 нс | 30 нс | 2 | 30 нс 30 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL7202CN | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 5,334 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-el7202csz-datasheets-8820.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 2 | EAR99 | 1 | НЕТ | 4,5 В~15 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | EL7202 | 8 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 2А | 7,5 нс 10 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HIP2100EIB | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 2 (1 год) | Неинвертирующий | 1,68 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-hip2100eibz-datasheets-7987.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 4,89 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | EAR99 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 9В~14В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 12 В | ХИП2100 | 8 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 0,045 мкс | 0,045 мкс | 10 нс 10 нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 114В | 4В 7В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАН5009МПХ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | 500 кГц | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fan5009m-datasheets-4848.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 12 В | Без свинца | 13,5 В | 10 В | 8 | 2 | 8мА | 715 МВт | 10 В~13,5 В | ФАН5009 | 715 МВт | 8-МЛП (5х6) | 65 нс | 2 | 40 нс 20 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 15 В | 0,8 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4420BMM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4420 | 8-МСОП | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL7212CN | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | 5,334 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-el7202csz-datasheets-8820.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 2 | EAR99 | 1 | НЕТ | 4,5 В~15 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | EL7212 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 2А | 7,5 нс 10 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4102BM-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microchiptechnology-mic4102ymtr-datasheets-2644.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 9В~16В | MIC4102 | 8-СОИК | 330 нс 200 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 3А | 118В | 0,8 В 2,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4451BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4451yn-datasheets-0685.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4451 | 8-СОИК | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LT1162IN#PBF | Линейные технологии / Аналоговые устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | Неинвертирующий | 3,81 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/lineartechnologyanalogdevices-lt1160cspbf-datasheets-9613.pdf | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 24 | 4 | EAR99 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 10 В~15 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 12 В | LT1162 | 24 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | истинный | 12 В | Не квалифицированный | ТРИГГЕР ШМИТТА | ПОЛНОМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 1,5 А | 0,5 мкс | 0,6 мкс | 130 нс 60 нс | ДА | Независимый | ТОТЕМНЫЙ ПОЛЮС | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 60В | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИР21362СПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ir2136strpbf-datasheets-9669.pdf | 28-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 28 | 6 | 120 мкА | 1,6 Вт | 11,5 В~20 В | ИР21362СПБФ | 1,6 Вт | 350 мА | 620В | 200 мА | 550 нс | 190 нс | 75 нс | 550 нс | 125 нс 50 нс | 3-фазный | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 200 мА 350 мА | 600В | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADP3416JRZ-КАТУШКА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,15 В~7,5 В | ADP3416 | 25 нс 20 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 30В | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL7154CN | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-el7154csz-datasheets-4193.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | EAR99 | 4,5 В~16 В | EL7154 | 8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 4нс 4нс | синхронный | Верхняя сторона или нижняя сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,6 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАН7362М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fan7362mx-datasheets-9761.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 230,4 мг | Нет СВХК | 8 | 1 | да | 30 мкА | 625 МВт | 10 В~20 В | НЕ УКАЗАН | ФАН7362 | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 500 мА | 625,3 В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 620В | 500 мА | 200 нс | 160 нс | 100 нс | 200 нс | 70 нс 30 нс | Одинокий | Хай | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 250 мА 500 мА | 600В | 0,8 В 2,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADP3120AJRZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-adp3120ajcpzrl-datasheets-3150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 12 В | 8 | 8 | 2 | EAR99 | 1 | 5мА | е3 | Олово (Вс) | 4,6 В~13,2 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | ADP3120A | 8 | 40 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | 1,5 А | 1,5 А | 70 нс | 20 нс | 11 нс | 70 нс | 0,045 мкс | 0,07 мкс | 20 нс 11 нс | ДА | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 35В | 0,8 В 2 В |
