Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Задержка распространения | Количество выходов | Время выпуска | Сегодняшний день | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая перемена | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MIC4427CN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4428ymtr-datasheets-7573.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4427 | 8-ПДИП | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4426CM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4426 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4452BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4452 | 8-ПДИП | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC1426CUA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microchiptechnology-tc1427coa713-datasheets-7663.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | Без свинца | 9мА | 8 | 8 | 2 | да | Нет | 2 | 13 мА | 470мВт | 4,5 В~16 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | TC1426 | ТС 16949 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 35 нс | 25 нс | 1,2А | 35 нс 25 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4420CN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4420ymm-datasheets-0228.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4420 | 8-ПДИП | 12 нс 13 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4424BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4424ymtr-datasheets-8098.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4424 | 8-ПДИП | 28нс 32нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4425BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4424ymtr-datasheets-8098.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4425 | 8-ПДИП | 28нс 32нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC33152DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | Неинвертирующий | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mc34152dr2g-datasheets-7955.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 12 В | Содержит свинец | 8 | 8 | 2 | EAR99 | не_совместимо | 2 | 10,5 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 560мВт | 6,1 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 12 В | MC33152 | 8 | 30 | 560мВт | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицирован | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 90 пс | 36нс | 32 нс | 55 нс | 1,5 А | 36нс 32нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HIP6602BCBZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-hip6602bcbz-datasheets-4631.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 | EAR99 | 10,8 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | HIP6602B | НЕ УКАЗАН | 20 нс 20 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LM5109SD | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-lm5109sd-datasheets-4636.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 | 2 | EAR99 | Нет | 8В~14В | LM5109 | 8 | 15 нс 15 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1А 1А | 118В | 0,8 В 2,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC33153DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mc33153dg-datasheets-0626.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | 1 | EAR99 | не_совместимо | 1 | 20 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 11 В~20 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 15 В | MC33153 | 8 | 30 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОВЫШЕННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,3 мкс | 0,3 мкс | 17нс 17нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 1А 2А | 1,2 В 3,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4428BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4428 | 8-СОИК | 20 нс 29 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4127BME | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~20 В | MIC4127 | 20 нс 18 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4422BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4421ymtr-datasheets-4877.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4422 | 8-ПДИП | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИР2110-1ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-ir2113strpbf-datasheets-8592.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм), 13 выводов | Без свинца | 340 мкА | Нет СВХК | 20 В | 10 В | 14 | 2 | 340 мкА | 1,6 Вт | 3,3 В~20 В | ИР2110-1ПБФ | 1,6 Вт | 14-ПДИП | 2А | 2,5 А | 10 нс | 35 нс | 25 нс | 10 нс | 150 нс | 2 | 25 нс 17 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 500В | 6 В 9,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛМ5111-3М/НОПБ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-lm51112m-datasheets-5618.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,45 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 2мА | 8 | 8 | 2 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,5 В~14 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | LM5111 | 8 | 5А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5А | 40 нс | 25нс | 25 нс | 40 нс | 12 нс | 1 мА | 5А | ПОВЫШЕННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | 14 нс 12 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 3А 5А | 0,8 В 2,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6614IR | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6614crz-datasheets-9362.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 | 10,8 В~13,2 В | ISL6614 | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDN430MYI | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 4,8 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/ixys-ixdn430myi-datasheets-4649.pdf | ТО-263-6, Д2Пак (5 отведений + вкладка), ТО-263БА | 9,975 мм | 35В | 5 | 1,59999 г | 1 | EAR99 | 1 | 3мА | 2 Вт | 8,5 В~35 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 18В | IXD*430 | 4 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г5 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 30А | 20 нс | 18 нс | 30А | 0,045 мкс | 0,039 мкс | 18нс 16нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 30А 30А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХИП2101ИБ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-hip2101ibzt-datasheets-0617.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | EAR99 | 1 | ДА | 9В~14В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | ХИП2101 | Р-ПДСО-G8 | 0,056 мкс | 0,056 мкс | 10 нс 10 нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 114В | 0,8 В 2,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4102BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-mic4102ymtr-datasheets-2644.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 9В~16В | MIC4102 | 8-СОИК | 330 нс 200 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 3А | 118В | 0,8 В 2,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC33GD3100A3EKR2 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/nxpusainc-mc33gd3100a3ek-datasheets-9495.pdf | 32-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | 1 | 3,3 В | Одинокий | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 15А 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4100BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-mic4100ym-datasheets-6480.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 9В~16В | МИК4100 | 8-СОИК | 400 нс 400 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 118В | 3В 8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4423BN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4424ymtr-datasheets-8098.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | MIC4423 | 8-ПДИП | 28нс 32нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4126BME | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~20 В | MIC4126 | 20 нс 18 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADP3415LRMZ-КАТУШКА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1,1 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-adp3415lrmzreel-datasheets-4618.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 10 | 2 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | ADP3415 | 10 | ДРУГОЙ | 100°С | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 5В | Не квалифицирован | С-ПДСО-G10 | ДА | Полумост | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4422BM | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-mic4421ymtr-datasheets-4877.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 4,5 В~18 В | MIC4422 | 8-СОИК | 20 нс 24 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4427EPAG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-tc4428coa713-datasheets-4848.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,46 мм | Без свинца | 8 | 8 | 2 | да | EAR99 | 2 | 4,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 730мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | TC4427 | 8 | НЕ УКАЗАН | 730мВт | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицирован | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 30 нс | 30 нс | 50 нс | 1,5 А | 0,04 мкс | 0,06 мкс | 19нс 19нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6614AIR | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6614acbz-datasheets-8536.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 4 | 10,8 В~13,2 В | ISL6614A | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6614AIB | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6614acbz-datasheets-8536.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 | 10,8 В~13,2 В | ISL6614A | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC1427CPAG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 5,08 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microchiptechnology-tc1427coa713-datasheets-7663.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,5 мм | 8 | 2 | да | EAR99 | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,5 В~16 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | TC1427 | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 1,2А | 35 нс 25 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,2 А 1,2 А | 0,8 В 3 В |
