Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

ВООРЕТИВА

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Power Dissipation-Max В Встровя На Klючite -wreman В. PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов PoSta ТИП КАНАЛА Колиствоэвов Вес В конце ТОК - В.О.
ADP3120JRZ-RL ADP3120JRZ-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1,75 мм В 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 в дар Ear99 8542.39.00.01 2 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ 8 Drugoй 85 ° С 13.2V 4.15 40 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 0,07 мкс 0,045 мкс В дар
ADP3120AJCPZ-RL ADP3120AJCPZ-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 0,9 мм В 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 в дар Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм 8 Drugoй 85 ° С 4.15 Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована S-XDSO-N8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 В дар
ISL6622ACBZ ISL6622ACBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl662222ACBZ-datasheets-4392.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13.2V 6,8 В. 2 в дар Ear99 1 7ma E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A Идир mosfet на 26ns 18 млн 3A В дар 3A
ADP3120JRZ ADP3120JRZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1,75 мм В SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 8 в дар Ear99 2 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 4.15 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,07 мкс 0,045 мкс В дар
EL7243CM-T13 EL7243CM-T13 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-el7243cmt13-datasheets-4349.pdf SOIC СОДЕРИТС 20 Ear99 2 Дон Крхлоп 15 20 Промлэнно 16 4,5 В. Н.Квалиирована Дервэр ccd 2 2A Не
ISL6622AIBZ ISL6622AIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6622222aibz-datasheets-4337.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13.2V 6,8 В. 2 в дар Ear99 1 7ma E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A Идир mosfet на 26ns 18 млн 3A В дар 3A
ADP3120JCPZ-RL ADP3120JCPZ-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 0,9 мм В 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 в дар Ear99 8542.39.00.01 2 В дар Дон NeT -lederStva Nukahan 12 0,5 мм 8 Drugoй 85 ° С 13.2V 4.15 Nukahan Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована S-XDSO-N8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 0,07 мкс 0,045 мкс В дар
ISL6622ACBZ-T ISL6622ACBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 70 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl662222aCbzt-datasheets-4304.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13.2V 6,8 В. 2 в дар Ear99 1 7ma E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Коммер Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A Идир mosfet на 26ns 18 млн 3A В дар 3A
ADP3120AJRZ-RL ADP3120AJRZ-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 1 1,75 мм В SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 8 в дар Ear99 1 E3 МАГОВОЙ В дар Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 4.15 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 В дар
ISL6615IRZ ISL6615irz Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2006 /files/intersil-isl6615irz-datasheets-4249.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 10 14 13.2V 6,8 В. 10 2 Ear99 1 4,5 мая E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva Nukahan 12 0,5 мм 10 Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а Идир mosfet на 13ns 10 млн 6A 12 В дар 4 а
ADP3118JRZ-RL ADP3118JRZ-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 4.15 8 2 в дар Ear99 1 E3 МАГОВОЙ Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 40ns 30 млн 45 м В дар
IR2128STR IR2128str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2004 /files/internationalRectifier-ir2128str-datasheets-4208.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 15 8 Автомобиль 20 30 Draйverы moaspeta Пефернут Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ШMITTTTTTTTTT Берн илиирторн -дера 1 0,5а 0,25 мкс 0,2 мкс 7в В дар 620В ТОТЕМНЕП
ISL6615CBZ ISL6615CBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2006 /files/intersil-isl6615cbz-datasheets-4184.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13.2V 6,8 В. 2 Ear99 1 4,5 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп Nukahan 12 8 Коммер Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 4 а Идир mosfet на 13ns 10 млн 6A 12 В дар 4 а
ADP3118JRZ ADP3118JRZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 4.15 8 2 в дар Ear99 1 E3 МАГОВОЙ Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 40ns 30 млн 45 м В дар
IR2102 IR2102 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 2 125 ° С -40 ° С CMOS 5,33 ММ ROHS COMPRINT 2004 /files/internationalRectifier-ir2102-datasheets-4154.pdf Окунаан 9,88 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 225 15 8 Автомобиль 10 В 30 Draйverы moaspeta Пефернут 15 Н.Квалиирована ШMITTTTTTTTTT ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,36а 5в В дар ТОТЕМНЕП
ISL6615AIBZ ISL6615AIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С 4,5 мая 1,75 мм ROHS COMPRINT 2007 /files/intersil-isl6615aibz-datasheets-4145.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 8 13.2V 6,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 13ns 10 млн 6A В дар 6A
ADP3110KRZ-RL ADP3110KRZ-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 8 в дар Ear99 1 E3 МАГОВОЙ В дар Дон Крхлоп 260 12 8 Коммер 4.15 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 В дар
ISL89400ABZ-TK ISL89400ABZ-TK Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С 2,2 мая 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl89400abztk-datasheets-4108.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 2,2 мая 8 7 114V 9в 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 1.25a ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 1 мкс 1 мкс 2,27 Вт 1.25a 60 мкс 60 мкс В дар 1.25a
ADP3110AKRZ-RL ADP3110AKRZ-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 1 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 8 в дар Ear99 1 E3 МАГОВОЙ В дар Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 4.15 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 В дар
EL7212CNZ EL7212CNZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-el7212cnz-datasheets-4079.pdf PDIP 9,56 мм 3,3 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 2,5 мая 8 7 НЕИ 15 4,5 В. 8 2 Ear99 2 2,5 мая E3 МАНЕВОВО Дон Neprigodnnый 15 Промлэнно Neprigodnnый Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 2A Берн илиирторн -дера 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 1,05 Вт 2A Не 15 4 а
MIC4424YMTR MIC4424YMTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 2005 /files/micrel-mic4424ymtr-datasheets-3921.pdf СОУДНО ПРИОН
ISL6609AIRZ-TK ISL6609Airz-TK Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 132 Мка 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6609airztk-datasheets-3908.pdf VQFN 3 ММ 3 ММ 8 5,5 В. 4,5 В. 8 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 5в 0,65 мм 8 Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta 5в Н.Квалиирована 4 а Идир mosfet на 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
UCC27201DG4 UCC27201DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 140 ° С -40 ° С 1 мг ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,91 мм 12 СОУДНО ПРИОН 5,5 мая 8 72,603129 м 17 8в 8 Ear99 Не 1 5,5 мая E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 12 8 Автомобиль 1,3 Draйverы moaspeta Исиннн 3A Перифержин -вуделх 1 млн 8ns 7 млн 1 млн 20 млн 2 1,3 3A Пеодер Истошиник 2 3A
ISL6610AIBZ-T ISL6610AIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 85 ° С -40 ° С 1,6 мая 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6610aibzt-datasheets-3807.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм 14 5,5 В. 4,5 В. 4 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 5в 1,27 ММ 14 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta 5в Н.Квалиирована 4 а Берн илиирторн -дера 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
ISL6620CRZ ISL6620CRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 1,27 Ма 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6620crz-datasheets-3768.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 10 14 5,5 В. 4,5 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 5в 0,5 мм Коммер 30 Draйverы moaspeta 5в Н.Квалиирована 4 а Идир mosfet на 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
LTC4441IS8-1#TRPBF LTC4441IS8-1#TRPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 25 В 5в 8 1 Pro 6A 13ns 8 млн 36 млн 1
LTC4441ES8-1#TRPBF LTC4441ES8-1#TRPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 49025 ММ СОУДНО ПРИОН 8 25 В 5в 8 1 Pro Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 7,5 В. 8 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Берн илиирторн -дера 36 млн 13ns 8 млн 36 млн 6A Не
MIC4422BMTR MIC4422BMTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 150 ° С -40 ° С В 2005 /files/micrel-mic4422222bmtr-datasheets-3475.pdf SOIC СОУДНО ПРИОН 18В 4,5 В. 8 1 1,04 9 часов 80 ps 75NS 75 м 60 млн Одинокий
EL7412CMZ EL7412CMZ Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С 10 мг ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 15 4,5 В. 20 4 1,5 2A 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 4 100 май
IR2128 IR2128 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 2 125 ° С -40 ° С CMOS 5,33 ММ ROHS COMPRINT 2004 /files/internationalRectifier-ir2128-datasheets-3417.pdf Окунаан 9,88 мм 7,62 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 225 15 2,54 мм 8 Автомобиль 20 30 Draйverы moaspeta Пефернут Н.Квалиирована ШMITTTTTTTTTT Берн илиирторн -дера 1 0,5а 0,25 мкс 0,2 мкс 7в В дар 620В ТОТЕМНЕП 10 В
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)