Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | МАКСИМАЛНГОН | Колист | Верна - | МАССА | DOSTIчH SVHC | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | СОПРОТИВЛЕЙН | Колист | Колиство | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Колист | МАКСИМАЛНА | Н. | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | PoSta | Posta | Колист. Каналов | Аналогово | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Кваликакахионн Статус | МАКСИМАЛНГАН | ИНЕРФЕРА | В. | Верна | Я не могу | Otklючitath -map зaderжki | Я | Колист | Napryaneece-nom | NapryaжeNieee (мин) | Napryaneeneeee (mmaks) | Power Dissipation-Max | В | На | Klючite -wreman | В. | В канусе | PoSta | Naprayeseee -pietyna 1 минюта | В.С.С.Бокововов | PoSta | ТИП КАНАЛА | МАКСИМАЛНА РУБОБЕР | Техника | КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА | Переграклейни | В конце | ТОК - В.О. | ASTOTA - PREREKLючENEEEE |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LTC1165CS8#TRPBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | 5в | СОУДНО ПРИОН | 6в | 1,8 В. | 8 | 3 | Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) | 600 мкс | 200 мкс | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TJA1010TD-T | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | ТАК | СОУДНО ПРИОН | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1165CS8#tr | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | СОДЕРИТС | 8 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1165CN8 | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | Окунаан | СОДЕРИТС | 8 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL6612CRZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 2 | 85 ° С | 0 ° С | 1 ММ | ROHS COMPRINT | 2001 | /files/intersil-isl6612crzt-datasheets-0888.pdf | DFN | 3 ММ | 3 ММ | СОУДНО ПРИОН | 10 | 5 nedely | 13.2V | 10,8 В. | 10 | 2 | Ear99 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | NeT -lederStva | 260 | 0,5 мм | Коммер | 30 | Draйverы moaspeta | Н.Квалиирована | 3A | ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО | 26ns | 18 млн | 3A | 12 | В дар | 3A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EL7104CNZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | ROHS COMPRINT | 2002 | /files/Intersil-el7104CNZ-datasheets-0875.pdf | PDIP | 9,56 мм | 3,3 мм | 6,35 мм | СОУДНО ПРИОН | 7,5 мая | 8 | 15 | НЕТ SVHC | 16 | 4,5 В. | 1,5 ОМ | 8 | 1 | Ear99 | 1 | 4,5 мая | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Neprigodnnый | 15 | Промлэнно | Neprigodnnый | Draйverы moaspeta | Н.Квалиирована | 4 а | Берн илиирторн -дера | 25 млн | 7,5NS | 10 млн | 25 млн | 2 | 1,05 Вт | 4 а | 200 май | В дар | 16,5. | 200 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLE6280GP | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 3 | 150 ° С | -40 ° С | 3,5 мм | ROHS COMPRINT | 20 | СОДЕРИТС | 36 | 36 | не | Ear99 | 1 | 28 май | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Дон | Крхлоп | Nukahan | 14 | 0,65 мм | 36 | 8в | БЕЗОДЕГА | Nukahan | Эlektronika uprawneminadiememane | Н.Квалиирована | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1163CS8 | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 6в | 1,8 В. | 8 | 3 | 600 мкс | 200 мкс | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC4440ES6#PBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | SOT-23 | НЕТ SVHC | 80 | 12 | 6 | 1 | 2.4a | 100ns | 70 млн | 65 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1163CS8#TRPBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | 5в | СОУДНО ПРИОН | 6в | 1,8 В. | 8 | 3 | Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) | 600 мкс | 200 мкс | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1163CS8#tr | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | СОДЕРИТС | 8 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1163CS8#PBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | НЕТ SVHC | 6в | 1,8 В. | 8 | 3 | Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) | Не | 95 мка | 600 мкс | 200 мкс | 3 | 20 | 50 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1163CN8 | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | Окунаан | СОДЕРИТС | 8 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1163CN8#PBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | Окунаан | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 6в | 1,8 В. | 8 | 3 | Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) | 600 мкс | 200 мкс | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1157CS8 | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | СОДЕРИТС | 7в | -300 мВ | 8 | 2 | 750 мкс | 60 мкс | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1623CMS8#TRPBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 70 ° С | 0 ° С | 300 kgц | ROHS COMPRINT | MSOP | СОУДНО ПРИОН | 5,5 В. | 2,7 В. | 8 | 2 | Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) | 180 мкс | 1 мкс | 300 млн | 17 мкс | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HIP4082IBZTR5676 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 150 ° С | -55 ° С | ROHS COMPRINT | 1994 | /files/intersil-hip4082ibztr5676-datasheets-7890.pdf | SOIC | 7 | 4 | 1.3a | NeShavymymый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HIP4086ABZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | МАССА | 3 | 125 ° С | -40 ° С | МИГ | ROHS COMPRINT | 1999 | /files/intersil-hip4086abz-datasheets-0525.pdf | SOIC | 15,6 ММ | 2,35 мм | 7,6 мм | СОУДНО ПРИОН | 10,5 мая | 24 | 20 | НЕТ SVHC | 95V | 7в | 24 | 6 | Ear99 | ТЕМПЕРАТУРА | 8542.39.00.01 | 1 | 3,6 Ма | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | 260 | 12 | 1,27 ММ | Автомобиль | 30 | Н.Квалиирована | 1,5а | ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО | 20ns | 10 млн | 1.1a | 0,1 мкс | 0,1 мкс | В дар | 101V | 500 май | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL89410IBZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | ROHS COMPRINT | 2002 | /files/Intersil-isl89410101010BZ-datasheets-0522.pdf | SOIC | СОУДНО ПРИОН | 7,5 мая | 8 | 6 | 18В | 4,5 В. | 8 | Ear99 | 4,5 мая | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | 260 | 18В | 8 | Промлэнно | 30 | Draйverы moaspeta | Н.Квалиирована | 2A | Берн илиирторн -дера | 25 млн | 10NS | 13 млн | 2 | 570 м | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
U6084B-MFPG3 | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Лю | 1 | 110 ° С | -40 ° С | БИПОЛНА | 520 кг | ROHS COMPRINT | SOIC | СОУДНО ПРИОН | 16 | 16 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Дон | Крхлоп | Промлэнно | Draйverы moaspeta | Н.Квалиирована | 1 | 100 % | 2 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
U6083B-MY | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 110 ° С | -40 ° С | БИПОЛНА | ROHS COMPRINT | Окунаан | 9,65 мм | 7,62 мм | СОУДНО ПРИОН | 8 | 2.26799G | 8 | Ear99 | НЕИ | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | 2,54 мм | 8 | Промлэнно | ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ | Н.Квалиирована | 1 | 16,5. | 9в | 25 В | МОДУЛЯСАЯ | Одинокий | 2000 К.ц | 1MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IR21271 | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 125 ° С | -40 ° С | CMOS | 5,33 ММ | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/internationalRectifier-ir21271-datasheets-0460.pdf | Окунаан | 9,88 мм | 7,62 мм | СОДЕРИТС | 8 | Ear99 | 1 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Дон | 245 | 15 | 2,54 мм | 8 | Автомобиль | 20 | 30 | Draйverы moaspeta | Н.Квалиирована | Берн илиирторн -дера | 1 | 0,5а | 0,25 мкс | 0,2 мкс | 4 | В дар | 620В | 9в | 200 май | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IR21064 | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 3 | 125 ° С | -40 ° С | CMOS | 5,33 ММ | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/internationalRectifier-ir21064-datasheets-0416.pdf | Окунаан | 19.305 ММ | СОДЕРИТС | 14 | Ear99 | Плавазидж Opodepep | 1 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Дон | 225 | 15 | 14 | Автомобиль | 10 В | 30 | Draйverы moaspeta | 15 | Н.Квалиирована | ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО | 2 | 0,35а | 0,3 мкс | 5в | В дар | 20 | 120 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
U6083b-m | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 110 ° С | -40 ° С | БИПОЛНА | 520 кг | ROHS COMPRINT | Окунаан | СОДЕРИТС | 8 | НЕИ | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Дон | 2,54 мм | Промлэнно | Draйverы moaspeta | Н.Квалиирована | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1156CSW | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | 12 | СОДЕРИТС | 18В | 4,5 В. | 16 | 4 | 2 мс | 60 ps | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1156CSW#TRPBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | СОУДНО ПРИОН | 18В | 4,5 В. | 16 | 4 | Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) | 2 мс | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MIC4427YMTR | Микл | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Весели | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | SOIC | 5 ММ | 1,63 мм | 3,99 мм | СОУДНО ПРИОН | НЕТ SVHC | 18В | 4,5 В. | 8 | 2 | Не | 1,5 мая | 2 | 1,5а | 40 млн | 30ns | 20 млн | 40 млн | 50 млн | 2 | NeShavymymый | 25 м | 1,5а | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1157CN8 | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | В | Окунаан | СОДЕРИТС | 7в | -300 мВ | 8 | 2 | 750 мкс | 60 мкс | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SN75452BPSRE4 | Тел | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 | 70 ° С | 0 ° С | БИПОЛНА | ROHS COMPRINT | Соп | 5,3 мм | 5,25 В. | СОУДНО ПРИОН | 71ma | 8 | 122.611688mg | 8 | 2 | Ear99 | Не | 2 | 5,5 В. | 71ma | E4 | Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) | Дон | Крхлоп | 260 | 5в | 8 | Коммер | Псевриген | 5в | PREHRIGHIGHNый -DRAйVER на | 35 м | 12 млн | 35 м | 0,5а | Руковина | 0,035 мкс | 0,035 мкс | 30 | 300 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL6620CBZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | 1,27 Ма | 1,75 мм | ROHS COMPRINT | 2000 | /files/intersil-isl6620cbzt-datasheets-0275.pdf | SOIC | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 13 | 5,5 В. | 4,5 В. | 8 | 2 | Ear99 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | 260 | 5в | Коммер | 30 | Draйverы moaspeta | 5в | Н.Квалиирована | 4 а | Идир mosfet на | 8ns | 8 млн | 4 а | В дар | 4 а |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.