Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН БЕЗОПАСНЫЙ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Wremape@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Power Dissipation-Max В Klючite -wreman В. PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов PoSta ТИП КАНАЛА Вес В конце ТОК - В.О.
NCV81071BZR2G NCV81071BZR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар
ISL6622AIBZ-T ISL6622AIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6622222aibzt-datasheets-7533.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13.2V 6,8 В. 2 в дар Ear99 1 7ma E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A Идир mosfet на 26ns 18 млн 3A В дар 3A
MAQ4124YME MAQ4124YME ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 20 4,5 В. 2 3A 10NS 10 млн 2 237 м NeShavymymый 25 м 3A
NCV81071AZR2G NCV81071AZR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар
LT1158ISW#TR LT1158ISW#tr Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С В SOIC СОДЕРИТС 2
LT1158ISW#PBF LT1158ISW#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC 10,49 мм 2337 ММ 7595 мм 12 СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 30 16 2 Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) Не 500 май 250ns 250 млн 550 млн 2
HIP2104FRAANZ-T HIP2104FRAANZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 3 125 ° С -40 ° С 245 Мка ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip210444fraanzt-datasheets-7362.pdf DFN 14 5 nedely 82.298666 м 60 12 2 Не E3 МАНЕВОВО 12 1A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2,5 мс 35NS 30 млн 39 м 1 2,2 NeShavymymый 4 200 май
LT1158CSW#TR LT1158CSW#TR Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С В SOIC 12 СОДЕРИТС 30 16 2 500 май 250ns 250 млн 550 млн 2
LT1158CSW#PBF LT1158CSW#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT SOIC 10,49 мм 2337 ММ 7595 мм 12 СОУДНО ПРИОН 18ma НЕТ SVHC 30 16 2 Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) Не 500 май 250ns 250 млн 550 млн 2 100 май
HIP2104FRAANZ HIP2104FRAANZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 125 ° С -40 ° С 245 Мка ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip210444fraanz-datasheets-7296.pdf DFN 14 5 nedely 82.298666 м 60 12 2 Не E3 МАНЕВОВО 12 1A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2,5 мс 35NS 30 млн 39 м 1 2,2 NeShavymymый 4 200 май
IR20153STRPBF IR20153Strpbf ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 150 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/internationalRectifier-ir20153strpbf-datasheets-7284.pdf SOIC 20 8 1 1,5а 400NS 400 млн 2 мкс 1
HIP2103FRTAAZ-T HIP2103FRTAAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 3 125 ° С -40 ° С 245 Мка ROHS COMPRINT 2004 /files/intersil-hip2103frtaazt-datasheets-7277.pdf DFN 14 5 nedely 50.008559mg 60 8 2 Ear99 Не E3 МАНЕВОВО 260 8 30 1A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2,5 мс 35NS 30 млн 39 м 1 2,3 NeShavymymый 4 200 май
ISL6610ACBZ ISL6610ACBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 70 ° С 0 ° С 1,6 мая 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/Intersil-isl6610ACBZ-datasheets-7101.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм 14 5,5 В. 4,5 В. 4 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 1,27 ММ 14 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а Берн илиирторн -дера 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
ISL6612CBZAR5214 ISL6612CBZAR5214 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612cbzar5214-datasheets-7065.pdf SOIC 2
ISL89165FBEBZ ISL89165FBEBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165fbebz-datasheets-6922.pdf SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 6 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 5 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL89165FBEBZ-T ISL89165FBEBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165fbebzt-datasheets-6855.pdf SOIC 3,9 мм 8 6 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 5 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL89367FRTAZ-T ISL89367FRTAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89367frtazt-datasheets-6779.pdf 16 16 4,5 В. 16 2 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva Nukahan 12 0,5 мм 16 Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A
MC33883DWR2 MC33883DWR2 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 150 ° С -40 ° С 2,65 мм В SOIC 12,8 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 20 20 4 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Верна Дон Крхлоп Nukahan 12 1,27 ММ 20 Автомобиль 28 5,5 В. Nukahan Н.Квалиирована 1A Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 2A 0,3 мкс 0,3 мкс 12 5,5 В. В дар 55 NeShavymymый
IR2117STR IR2117str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 2 125 ° С -40 ° С CMOS В 2004 /files/internationalRectifier-ir2117str-datasheets-6729.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 15 СОДЕРИТС 8 20 10 В 8 1 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 15 8 Автомобиль 30 625 м Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 500 май Берн илиирторн -дера 200 с 130ns 65 м 200 млн 0,5а 0,2 мкс В дар Одинокий
LT1336IS LT1336IS Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC 12 СОДЕРИТС 15 10 В 16 2 1,5а 500 млн 200ns 140 м 600 млн 2
ISL89367FRTAZ ISL89367FRTAZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89367frtaz-datasheets-6686.pdf 16 16 4,5 В. 16 2 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva Nukahan 12 0,5 мм 16 Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A
LM2725M LM2725M Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT SOIC N. СОДЕРИТС 4 8 2 720 м 1.2a ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 18ns 10 млн
IR2135 IR2135 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Bicmos В 2005 /files/internationalRectifier-ir2135-datasheets-6671.pdf Окунаан 15,24 мм СОДЕРИТС 28 Ear99 Плавазидж Opodepep 3 Дон Nukahan 15 2,54 мм 28 20 Nukahan Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 3 0,5а 1 мкс 0,95 мкс В дар 10 В
LT1336IN LT1336IN Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 85 ° С -40 ° С В Окунаан 12 СОДЕРИТС 15 10 В 16 2 1,5а 500 млн 200ns 140 м 600 млн 2
LT1336CS LT1336CS Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT SOIC N. 12 СОДЕРИТС 15 10 В 16 2 Не 1,5а 500 млн 200ns 140 м 600 млн 2
LT1336CN LT1336CN Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT Окунаан СОДЕРИТС 2
LT1162ISW LT1162ISW Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC 12 СОДЕРИТС 15 10 В 24 4 1,5а 500 млн 200ns 140 м 600 млн 4
LT1162IN LT1162IN Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА 3,81 мм ROHS COMPRINT Окунаан 7,62 мм СОДЕРИТС 24 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 12 24 Промлэнно 15 10 В Draйverы moaspeta Исиннн 12 Н.Квалиирована ШMITTTTTTTTTT Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 4 1,5а 0,5 мкс 0,6 мкс В дар ТОТЕМНЕП
LTC1157CS8#TR LTC1157CS8#tr Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС -300 мВ 8 2 750 мкс 60 мкс 2
UC2709NG4 UC2709NG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT PDIP 9,81 мм 4,57 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 12ma 8 528.605208mg 40 8 2 Ear99 Не 2 12ma E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 20 8 Промлэнно 1 Вт Draйverы moaspeta 1,5а Станода Берн илиирторн -дера 25 млн 80ns 80 млн 25 млн 1 Вт 1,5а В дар ТОТЕМНЕП

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.