Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Аналогово Wremape@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Napryaneece-nom Power Dissipation-Max В Встровя На Klючite -wreman В. PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов PoSta ТИП КАНАЛА Вес Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА Переграклейни В конце ТОК - В.О.
TPS2813DRG4 TPS2813DRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С БИМОС 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 75,891673 м 14 4 8 2 в дар Ear99 Не 2 200NA E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 10 В 8 Автомобиль 730 м Draйverы moaspeta Верно 10 В 2MA ШMITTTTTTTTTT Накапливаться 50 млн 35NS 35 м 50 млн 730 м 2A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар ТОТЕМНЕП 2A
ISL6614CRZ ISL6614CRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614crz-datasheets-4247.pdf VQFN СОУДНО ПРИОН 16 6 13.2V 10,8 В. 16 4 Ear99 2 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 12 0,65 мм 16 Drugoй 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2W 3A В дар 3A
ISL89165FRTCZ-T ISL89165FRTCZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165frtczt-datasheets-4248.pdf 3 ММ 3 ММ 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
UC2706NG4 UC2706NG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT PDIP 19,3 мм 4,57 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 10 май 16 1.053808G 40 16 2 в дар Ear99 Не 2 10 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 20 16 Drugoй 2W Draйverы moaspeta 1,5а Держир 140ns 130 млн 2W 1,5а 0,14 мкс 0,13 мкс Не
ISL89165FRTCZ ISL89165FRTCZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165frtcz-datasheets-4213.pdf 3 ММ 3 ММ 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614CR-T ISL6614CR-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ В 2001 /files/intersil-isl6614crt-datasheets-4209.pdf VQFN СОДЕРИТС 16 16 Ear99 not_compliant 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Квадран NeT -lederStva 240 12 0,65 мм 16 Drugoй 13.2V 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 4 3A В дар 12
ISL89165FRTBZ-T ISL89165FRTBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165frtbzt-datasheets-4177.pdf 3 ММ 3 ММ 8 5 nedely 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 5 май E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614CR ISL6614CR Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614cr-datasheets-4175.pdf VQFN СОДЕРИТС 16 16 Ear99 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Квадран NeT -lederStva 240 12 0,65 мм 16 Drugoй 13.2V 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 4 3A В дар 12
HIP4086AABZ HIP4086AABZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С 2,65 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip4086aabz-datasheets-4159.pdf SOIC 15,4 мм 7,5 мм 10,5 мая 24 24 nede 95V -300 мВ 24 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ 24 Автомобиль 30 Н.Квалиирована 1,5а ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 20ns 10 млн 3 0,1 мкс 0,1 мкс В дар 140 мка
ISL89165FRTBZ ISL89165FRTBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165frtbz-datasheets-4144.pdf 3 ММ 3 ММ 8 5 nedely 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 5 май E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614CBZA-T ISL6614CBZA-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614cbzat-datasheets-4141.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 13.2V 10,8 В. 4 в дар Ear99 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ 14 Drugoй 40 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1 Вт В дар 3A
ISL89165FRTAZ-T ISL89165FRTAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165frtazt-datasheets-4066.pdf 3 ММ 3 ММ 8 5 nedely 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 5 май E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
IRS2334MPBF IRS2334MPBF ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2011 год /files/internationalRectifier-irs2334mpbf-datasheets-4070.pdf 5 ММ 5 ММ 28 20 10 В 28 6 Ear99 Не 8542.39.00.01 1 Квадран 15 0,4 мм 28 Автомобиль Draйverы moaspeta 15 350 май Перифержин -вуделх 530 млн 190ns 75 м 530 млн 750 млн 3.363W Wrenemennnый; На ТОКОМ; Пеодер Истоинник Руковина 0,75 мкс 0,75 мкс 3 февраля 350 май
ISL6614CBZA ISL6614CBZA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614cbza-datasheets-4072.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 13.2V 10,8 В. 4 в дар Ear99 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ 14 Drugoй 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1 Вт В дар 3A
ZL1505ALNFT ZL1505Alft Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 125 ° С -40 ° С 110 мка 1 ММ ROHS COMPRINT 2005 /files/Intersil-ZL1505Alnft-datasheets-4052.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 9 nedely 7,5 В. 4,5 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Автомобиль ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 30 Н.Квалиирована 3.2a 10,5NS 9,5 млн 6,5 В. МОДУЛЯСАЯ Толкат 1400 кг
ZL1505ALNFT6 ZL1505Alft6 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 125 ° С -40 ° С 110 мка 1 ММ ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-ZL1505Alnft6-datasheets-4036.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 10 9 nedely 7,5 В. 4,5 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Автомобиль ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 30 Н.Квалиирована 10,5NS 9,5 млн 6,5 В. МОДУЛЯСАЯ Толкат 1400 кг
ISL89165FRTAZ ISL89165FRTAZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165frtaz-datasheets-4038.pdf 3 ММ 3 ММ 8 6 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 5 май E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614CBZ-T ISL6614CBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 1999 /files/intersil-isl6614cbzt-datasheets-4033.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 13.2V 10,8 В. 4 в дар Ear99 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ 14 Drugoй 40 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1 Вт 3A В дар 3A
IRS21844MPBF IRS21844MPBF ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -40 ° С CMOS 1,05 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/internationalRectifier-irs2184444mpbf-datasheets-4031.pdf Qfn 4 мм 4 мм 16 НЕТ SVHC 20 10 В 16 2 Ear99 Не 1 Квадран 0,5 мм 16 Автомобиль 2.3a Перифержин -вуделх 90 млн 60ns 35 м 40 млн 2,08 Вт 2.3a Wrenemennnый; Пеодер Истоинник Руковина 0,9 мкс 0,4 мкс 15 Синжронно 2.3a
ISL6612CBZA-TR5214 ISL6612CBZA-TR5214 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612cbzatr5214-datasheets-4001.pdf SOIC 2
ISL6614CBZ ISL6614CBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614cbz-datasheets-3998.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 13.2V 10,8 В. 14 4 в дар Ear99 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 1,27 ММ 14 Drugoй 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1 Вт 3A В дар 3A
ISL89165FBECZ-T ISL89165FBECZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165fbeczt-datasheets-3985.pdf SOIC 3,9 мм 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
LTC4446EMS8E#PBF LTC4446EMS8E#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 13,5 В. 7,2 В. 8 2 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) Не 2.5A 45 м 80ns 50 млн 45 м 2 700 м 2.5A
ISL6614CB-T ISL6614CB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм В 2001 /files/intersil-isl6614cbt-datasheets-3964.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 14 Ear99 not_compliant 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 1,27 ММ 14 Drugoй 13.2V 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 4 3A В дар 12
ISL89165FBECZ ISL89165FBECZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165fbecz-datasheets-3956.pdf SOIC 3,9 мм 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614CB ISL6614CB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614CB-datasheets-3931.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 14 14 Ear99 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 1,27 ММ 14 Drugoй 13.2V 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 4 3A В дар 12
ISL89165FBEAZ-T ISL89165FBEAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165fbeazt-datasheets-3928.pdf SOIC 3,9 мм 8 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 5 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар NeShavymymый 6A
IR2153STR IR2153str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 125 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 8 2 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 12 8 Автомобиль 10 В 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО В дар Синжронно
ISL6614AIRZ-T ISL6614Airz-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С 7,1 май 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614airzt-datasheets-3902.pdf VQFN СОУДНО ПРИОН 16 13.2V 10,8 В. 16 2 в дар Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Квадран 260 12 0,65 мм 16 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 2W В дар 3A
ISL89165FBEAZ ISL89165FBEAZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89165fbeaz-datasheets-3901.pdf SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 6 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 5 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.