Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Постка -тока Макс (ISUP) Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА Мон МИНА ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Napryaneece-nom Power Dissipation-Max В Встровя На Klючite -wreman В. NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo) МАККСКОЛЕРНА PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов PoSta ТИП КАНАЛА Колиствоэвов Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА Переграклейни В конце ТОК - В.О.
ISL89164FRTCZ-T ISL89164FRTCZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89164444frtczt-datasheets-3873.pdf 3 ММ 3 ММ 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614AIRZ ISL6614Airz Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 7,1 май 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614airz-datasheets-3856.pdf VQFN СОУДНО ПРИОН 16 13.2V 10,8 В. 16 2 в дар Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Квадран 260 12 0,65 мм 16 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 2W В дар 3A
LTC4444IMS8E-5#PBF LTC4444IMS8E-5#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP НЕТ SVHC 13,5 В. 4,5 В. 8 2 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) Не 1,75а 60 млн 80ns 50 млн 60 млн 2
HIP4020IBZ HIP40202020IBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 SMD/SMT 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2005 /файлы/Intersil-HIP402020202020202020202020202020202020202020202020202S SOIC 13 ММ 2,35 мм 7,6 мм СОУДНО ПРИОН 20 7 НЕТ SVHC 15 20 2 Ear99 Не 1 500 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 20 Промлэнно Ш -gowый -koantrolerererereregatelelelele 30 Эlektronika uprawneminadiememane 1,5 мая 500 май 12 15 500 май 4,5 В. 15 май
IR2135S IR2135S ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 Bicmos 2,65 мм ROHS COMPRINT 2005 /files/internationalRectifier-ir2135s-datasheets-3844.pdf SOIC 17,9 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 28 Ear99 Плавазидж Opodepep НЕИ 3 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 15 1,27 ММ 28 20 10 В 30 Draйverы moaspeta 15 Н.Квалиирована R-PDSO-G28 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 3 0,5а 1 мкс 0,95 мкс В дар
ISL89164FRTCZ ISL89164FRTCZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl8916444frtcz-datasheets-3823.pdf 3 ММ 3 ММ 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
IR2153S IR2153S ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 2 125 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT 2006 /files/internationalRectifier-ir2153s-datasheets-3801.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 12 8 Автомобиль 16,8 В. 10 В 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 В дар
LTC4444EMS8E-5#PBF LTC4444EMS8E-5#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 13,5 В. 4,5 В. 8 2 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) Не 1,75а 60 млн 80ns 50 млн 60 млн 2
ISL89164FRTBZ-T ISL89164FRTBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl8916444frtbzt-datasheets-3793.pdf 3 ММ 3 ММ 8 5 nedely 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614AIR ISL6614Air Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614air-datasheets-3786.pdf VQFN СОДЕРИТС 16 16 Ear99 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Квадран NeT -lederStva 240 12 0,65 мм 16 Промлэнно 13.2V 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 4 В дар 12
ISL6612IBZ ISL6612IBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612ibz-datasheets-3769.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 10,8 В. 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
TPS2836DRG4 TPS2836DRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 75,891673 м 15 4,5 В. 8 Ear99 Не 1 3MA E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 6,5 В. 8 Автомобиль 600 м Draйverы moaspeta 3.5a ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 95 м 60ns 50 млн 95 м 2 600 м 3.5a 0,095 мкс В дар 2.4a
IR21366SPBF IR21366SPBF ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер SMD/SMT 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2012 /files/internationalRectifier-ir21366spbf-datasheets-3755.pdf SOIC 17,9 мм 7,5 мм 28 НЕТ SVHC 20 12 28 6 Ear99 Плавазидж Opodepep 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 15 1,27 ММ 28 Автомобиль 30 1,6 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 350 май 20 10 В ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 250 млн 190ns 75 м 180 млн 3 1,6 0,35а В дар 3 февраля 620В 200 май
ISL6614AIBZ-T ISL6614AIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614aibzt-datasheets-3748.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 13.2V 10,8 В. 2 в дар Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 14 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 1 Вт В дар 3A
LTC4444EMS8E#PBF LTC4444EMS8E#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT MSOP НЕТ SVHC 13,5 В. 7,2 В. 8 2 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) Не 2.5A 50 млн 80ns 50 млн 50 млн 2 700 м 2.5A
ISL89164FRTBZ ISL89164FRTBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl8916444frtbz-datasheets-3730.pdf 3 ММ 3 ММ 8 6 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
FAN7080CMX_F085 FAN7080CMX_F085 Fairchild (napoluprovodonke)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -40 ° С 200 kgц ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 8 20 5,5 В. 8 1 Не E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 15 Автомобиль 625 м Draйverы moaspeta 600 май 1,5 мкс 150ns 400 млн 1,5 мкс 625 м
ZL1505ALNFT1 ZL1505Alnft1 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-ZL1505Alnft1-datasheets-3718.pdf DFN 3 ММ 1 ММ 3 ММ 10 9 nedely 7,5 В. 4,5 В. 10 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Автомобиль ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 30 Н.Квалиирована 10,5NS 9,5 млн 2 6,5 В. МОДУЛЯСАЯ Толкат 1400 кг
UCC27201DDAG4 UCC27201DDAG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 140 ° С -40 ° С 1 мг ROHS COMPRINT SOIC 4,89 мм 1,48 мм 3,9 мм 12 СОУДНО ПРИОН 5,5 мая 8 70.590313mg 17 8 Ear99 Не 1 5,5 мая E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 12 8 Автомобиль 2,7 Draйverы moaspeta Исиннн 3A Перифержин -вуделх 1 млн 8ns 7 млн 1 млн 20 млн 2 2,7 3A Пеодер Истоинник Руковина 2 3A
ISL6614AIBZ ISL6614AIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614aibz-datasheets-3661.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 13.2V 10,8 В. 2 в дар Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 14 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 1 Вт В дар 3A
ISL89164FRTAZ-T ISL89164FRTAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl8916444frtazt-datasheets-3656.pdf 3 ММ 3 ММ 8 5 nedely 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614BIBZ-T ISL6614BIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/Intersil-isl6614bibzt-datasheets-0046.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм 14 13.2V 2 в дар Ear99 Не 2 7,1 май E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 14 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 1 Вт В дар 3A
ISL89164FRTAZ ISL89164FRTAZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl8916444frtaz-datasheets-0035.pdf 3 ММ 3 ММ 8 5 nedely 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ADP3654ARDZ ADP3654ARDZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 125 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT /files/analogdevices-adp3654ardz-datasheets-9941.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 8 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) не Ear99 2 18В E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 12 8 Автомобиль 30 4,5 В. Накапливаться 2 30 мкс 35 мкс Не
IR21531STR IR21531Str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2005 /files/internationalRectifier-ir21531str-datasheets-9888.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олейнн Дон Крхлоп 245 12 8 Автомобиль 16,8 В. 10 В 30 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 9.3V В дар 16,8 В.
ISL6614AIB ISL6614AIB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614aib-datasheets-9838.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 14 Ear99 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 1,27 ММ 14 Промлэнно 13.2V 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 4 В дар 12
LTC4442EMS8E#PBF LTC4442EMS8E#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-ltc4442ems8epbf-datasheets-9839.pdf MSOP СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 9,5 В. 8 2 Pro 2.4a 20 млн 12NS 8 млн 20 млн 2 700 м 2.4a
ISL89164FBECZ-T ISL89164FBECZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89164444fbeczt-datasheets-9800.pdf SOIC 3,9 мм 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614ACRZ-T ISL6614ACRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614acrzt-datasheets-9588.pdf VQFN СОУДНО ПРИОН 16 17 13.2V 10,8 В. 16 2 Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Квадран 260 12 0,65 мм Drugoй 30 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 2W В дар 3A
ISL89164FBECZ ISL89164FBECZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89164444fbecz-datasheets-9565.pdf SOIC 3,9 мм 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.