Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Napryaneece-nom Napryaneeneee (мин) Napryaneeneeee (mmaks) Power Dissipation-Max В Klючite -wreman В. PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов PoSta ТИП КАНАЛА Вес Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА Переграклейни В конце ТОК - В.О.
IR4428SPBF Ir4428spbf Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/infineon-ir4428spbf-datasheets-9525.pdf SOIC 49784 мм 14986 ММ 39878 ММ СОУДНО ПРИОН 200 мк НЕТ SVHC 20 8 2 Не 200 мк 625 м 3.3a Берн илиирторн -дера 85 м 35NS 25 млн 65 м 160 м 625 м 20 2.3a
TPS2812PE4 TPS2812PE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -40 ° С БИМОС ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tps2812pe4-datasheets-9458.pdf PDIP СОУДНО ПРИОН 8 440.409842mg 14 4 8 в дар Ear99 Не 2 200NA E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 10 В 8 Автомобиль 1,09 Вт Draйverы moaspeta Исиннн 10 В 2MA ШMITTTTTTTTTT Накапливаться 50 млн 35NS 35 м 50 млн 2 1,09 Вт 2A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар ТОТЕМНЕП 2A
ISL89164FBEBZ-T ISL89164FBEBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89164444fbebzt-datasheets-9408.pdf SOIC 3,9 мм 8 6 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614ACRZ ISL6614ACRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614acrz-datasheets-9384.pdf VQFN СОУДНО ПРИОН 16 17 13.2V 10,8 В. 16 2 Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Квадран 260 12 0,65 мм Drugoй 30 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 2W В дар 3A
IR21531 IR21531 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -40 ° С CMOS 106 5,33 ММ ROHS COMPRINT 2005 /files/internationalRectifier-ir21531-datasheets-9175.pdf Окунаан 12 СОДЕРИТС 8 16,8 В. 10 В 8 2 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 225 12 8 Автомобиль 30 1 Вт Draйverы moaspeta Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 150ns 100 млн 12 В дар 10 В
ISL89164FBEBZ ISL89164FBEBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89164444fbebz-datasheets-9144.pdf SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 6 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6610AIBZ ISL6610AIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 85 ° С -40 ° С 1,6 мая 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6610aibz-datasheets-9135.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм 14 5,5 В. 4,5 В. 4 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 1,27 ММ 14 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а Берн илиирторн -дера 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
LTC4441EMSE#PBF LTC4441EMSE#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 SMD/SMT 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-ltc4441emsepbf-datasheets-9073.pdf MSOP СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 25 В 10 1 Pro Не 6A 36 млн 13ns 8 млн 36 млн 1 100 май
ISL89168FRTAZ-T ISL89168FRTAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89168frtazt-datasheets-9047.pdf 39005 ММ 8 16 4,5 В. 8 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 2,27 Вт 6A
ISL6614ACR ISL6614acr Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ В 2001 /files/intersil-isl6614acr-datasheets-8958.pdf VQFN СОДЕРИТС 16 16 Ear99 not_compliant 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Квадран NeT -lederStva 240 12 0,65 мм 16 Drugoй 13.2V 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 4 В дар 12
ISL89164FBEAZ-T ISL89164FBEAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl8916444fbeazt-datasheets-8931.pdf SOIC 3,9 мм 8 6 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL89168FRTAZ ISL89168FRTAZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89168frtaz-datasheets-8916.pdf 3 ММ 8 16 4,5 В. 8 2 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 2,27 Вт 6A
UCC27425PE4 UCC27425PE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 105 ° С -40 ° С Bicmos ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-cc27425pe4-datasheets-8811.pdf PDIP 9,81 мм 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 1,6 мая 8 440.409842mg 15 4 8 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 3,9 мм Ear99 Не 2 1,6 мая E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 14 8 Промлэнно 350 м Draйverы moaspeta Верно 4 май Берн илиирторн -дера 150 млн 40ns 40 млн 150 млн 2 350 м 4 а 0,04 мкс 0,05 мкс Не ТОТЕМНЕП 4 а
ISL89168FBEAZ-T ISL89168FBEAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89168fbeazt-datasheets-8737.pdf SOIC 39005 ММ 8 16 4,5 В. 8 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 2,27 Вт 6A
ISL89164FBEAZ ISL89164FBEAZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl8916444fbeaz-datasheets-8713.pdf SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 6 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614ACBZA ISL6614ACBZA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614acbza-datasheets-8707.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 13.2V 10,8 В. 2 в дар Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 14 Drugoй 30 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 1 Вт В дар 3A
ZL1505ALNNT1 ZL1505Alnnt1 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-ZL1505Alnnt1-datasheets-3399.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 10 Ear99 1 Дон NeT -lederStva Nukahan 0,5 мм 10 Автомобиль ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ Nukahan Н.Квалиирована S-PDSO-N10 2 6,5 В. 4,5 В. 7,5 В. МОДУЛЯСАЯ Толкат 1400 кг
IR2152STR IR2152Str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С Bicmos 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/internationalRectifier-ir2152str-datasheets-8598.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 Дон Крхлоп Nukahan 12 8 Автомобиль Nukahan Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ШMITTTTTTTTTT ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,25а 0,7 мкс 10 В В дар ТОТЕМНЕП
LTC4440ES6#TRMPBF LTC4440ES6#TRMPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Весели 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-ltc4440es6trmpbf-datasheets-8517.pdf SOT-23 2,9 мм 900 мкм 1,75 мм СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 15 -300 мВ 6 1 Pro Не 1 2.4a 65 м 100ns 70 млн 65 м 1 Одинокий 4 а
ISL89163FRTCZ-T ISL89163FRTCZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89163frtczt-datasheets-8511.pdf 3 ММ 3 ММ 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
ISL6614ACBZ-T ISL6614ACBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614acbzt-datasheets-8379.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 18 13.2V 10,8 В. 2 Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Drugoй 30 Draйverы moaspeta 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 1 Вт В дар 3A
ISL89168FBEAZ ISL89168FBEAZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89168fbeaz-datasheets-8378.pdf SOIC 39005 ММ СОУДНО ПРИОН 8 16 4,5 В. 8 2 Не E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 30 Draйverы moaspeta 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 2,27 Вт 6A
IR2151STR IR2151str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 125 ° С -40 ° С CMOS 106 1,75 мм В 2001 /files/internationalRectifier-ir2151str-datasheets-8323.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 12 СОДЕРИТС 8 8 2 Ear99 1 E0 Олейнн Дон Крхлоп 245 8 Автомобиль 30 625 м Пефернут Н.Квалиирована 250 май ШMITTTTTTTTTT ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 120ns 70 млн 0,25а 12 В дар ТОТЕМНЕП
ISL89167FRTAZ-T ISL89167FRTAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 125 ° С -40 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89167frtazt-datasheets-8271.pdf 39005 ММ 8 16 4,5 В. 8 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 25 млн 20ns 20 млн 25 млн 2,27 Вт 6A
ISL89163FRTCZ ISL89163FRTCZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89163frtcz-datasheets-8264.pdf 3 ММ 3 ММ 8 16 7,5 В. 8 2 Ear99 Не 1 E3 МАНЕВОВО Дон 260 12 0,65 мм Автомобиль Draйverы moaspeta 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A
UC2715DPTR UC2715DPTR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА 1,75 мм ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c2715dptr-datasheets-8179.pdf SOIC 9,9 мм 3,9 мм 16 2 в дар Ear99 1 24ma В дар Дон Крхлоп Nukahan 15 16 Промлэнно Nukahan Псевриген 15 Н.Квалиирована R-PDSO-G16 Берн илиирторн -дера 60ns 60 млн 2A 0,1 мкс 0,1 мкс В дар
ISL6614ACBZ ISL6614ACBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614acbz-datasheets-8156.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 20 13.2V 10,8 В. 14 2 Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Drugoй 30 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 1 Вт В дар 3A
IR2113-1 IR2113-1 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -40 ° С CMOS 5,33 ММ ROHS COMPRINT 2005 /files/internationalRectifier-ir21131-datasheets-8102.pdf 19.305 ММ СОДЕРИТС 13 13 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Nukahan 15 Автомобиль 10 В Nukahan Draйverы moaspeta 15 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 2.5A 150 мкс В дар
ISL6620CBZ ISL6620CBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 1,27 Ма 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6620CBZ-datasheets-8046.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13 5,5 В. 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а Идир mosfet на 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
ISL89163FRTBZ-T ISL89163FRTBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl89163frtbzt-datasheets-7792.pdf 3 ММ 3 ММ 8 5 nedely 16 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,65 мм Автомобиль Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 20ns 20 млн 33,3 6A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 6A

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.