Hot Swap Controllers - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль Это PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Губина МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА СОПРОТИВЛЕЙН Колист Имен Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Найналайно ТЕКУИГИГ DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 Особз ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Форматерминала Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Rugulyruemый porog Подкейгория Питания Постка -тока Макс (ISUP) Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА КОД JESD-30 Уровина Скринина МАКСИМАЛНГАН Мон ИНЕРФЕРА В. Otklючitath -map зaderжki Мин Отель Колист СОПРЕТИВЛЕВЕР Кргителнь ТОК Переоборот Vodnaver -koanfiguraцian Зaщita ot neeprawnosteй Power Dissipation-Max В Встровя На Klючite -wreman В. Вес В канусе PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта PoSta Колиствоэвов Коли В конце ТОК - В.О. Минатока
XRP2524IDTR-F Xrp2524idtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1A SOIC N. 6,5 В. СОУДНО ПРИОН 160 мка 8 НЕИ 90mohm 8 ВЫКЛ/OFF в дар Ear99 Не 6,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 Промлэнно САМЕМАПА 40 Синейский зал 1A 1 мс 700 млн 2 Веса Сророна На 1A
ISL6150CBZ-T ISL6150CBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 1999 /files/intersil-isl6150cbzt-datasheets-8443.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 9 nedely 80 10 В 8 Ear99 1 900 мк E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 48 8 Коммер 1 САМЕМАПА 30 В дар Синейский зал Н.Квалиирована
ISL6150CBZ ISL6150CBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 1999 /files/intersil-isl6150cbz-datasheets-7679.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 9 nedely 80 10 В 8 Ear99 60 1 900 мк E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 48 8 Коммер 1 САМЕМАПА 30 В дар Синейский зал Н.Квалиирована 800 м
ISL6150CB-T ISL6150CB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 70 ° С 0 ° С В 1999 /files/intersil-isl6150cbt-datasheets-8192.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 48 8 Коммер 80 1 САМЕМАПА Nukahan В дар Синейский зал 48 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 1
MC33143DW MC33143DW Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 150 ° С -40 ° С BCDMOS ROHS COMPRINT SOIC 15,4 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 24 ВЫКЛ/OFF 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп Nukahan 24 Автомобиль 5,5 В. 4,5 В. 2 Nukahan Н.Квалиирована Веса Сророна Ytemperourы, 4.1a Wrenemennnый; На ТОКОМ; Nanprayesehememem; ТЕПЛО Истошик 50 мкс 75 мкс 14 17
ISL6150CB ISL6150CB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 70 ° С 0 ° С 900 мк В 1999 /files/intersil-isl6150CB-datasheets-7609.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 80 10 В 8 Ear99 60 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 48 8 Коммер 1 САМЕМАПА Nukahan В дар Синейский зал Н.Квалиирована 800 м
MAX5901AAEUT-T Max5901aaeut-t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С Bicmos 500 мк ROHS COMPRINT 2007 /files/maximintegrated-max5901aaeutt-datasheets-7603.pdf SOT-23 2,9 мм 6 -100 -9V 6 не Ear99 Не 1 E0 Артоматист в положении Дон Крхлоп 245 0,95 мм 6 Промлэнно 1 САМЕМАПА В дар Синейский зал -48V -48V
MIC94042YFLTR MIC94042YFLTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Весел 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/micrel-mic94042yfltr-datasheets-7602.pdf 3A DFN 1,2 ММ 700 мкм 1,2 ММ СОУДНО ПРИОН 4 НЕТ SVHC 55mohm 4 ВЫКЛ/OFF в дар 5,5 В. 3A 1 3A 5,5 В. Квадран NeT -lederStva 2,5 В. 0,65 мм Промлэнно 3A 1 Веса Сророна 0,2 мкс 3A
MC33981BPNAR2 MC33981BPNAR2 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 150 ° С -40 ° С 2,2 мм ROHS COMPRINT 27 СОДЕРИТС 10 май 16 994.501271MG 6 месяцев 16 Шyr 1 27 В дар Квадран NeT -lederStva 245 0,9 мм 16 Автомобиль 30 Н.Квалиирована 40a 1 Веса Сророна Nadtemperourotй 100 а Wrenemennnый; На ТОКОМ; Пеодер Истошик 0,7 мкс 40a
TPS2082DG4 TPS2082DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 85 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,91 мм 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 85 Мка 8 75,891673 м 80 МОМ 8 Ear99 Не 5,5 В. 2 5,5 В. 85 Мка E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 8 Коммер Псевриген 3/5. 500 май 2,7 В. Перифержин -дера 2 85 Мка 1A Wrenemennnый; На ТОКОМ; ТЕПЛО; Пеодер Руковина 40000 мкс 2 500 май 700 май
ISL6142IBZA ISL6142IBZA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 3 85 ° С -40 ° С 2,6 май ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6142ibza-datasheets-7985.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 80 20 14 Ear99 Не 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 48 14 Промлэнно 1 САМЕМАПА 40 В дар Синейский зал 48 4 май
TPS2075DBG4 TPS2075DBG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SSOP 8,2 мм 1,95 мм 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 24 172.39345mg 5,5 В. 4,5 В. 500 м 24 Ear99 Не 5,5 В. 1 5,5 В. 185 Мка E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 24 Промлэнно 4 САМЕМАПА 889,7 м Не Синейский зал 4,5 В. 4 +34,254,5. 5 120 май
ISL6142IB ISL6142IB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С В 2001 /files/intersil-isl6142ib-datasheets-7705.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 14 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 48 14 Промлэнно 80 20 1 САМЕМАПА Nukahan В дар Синейский зал 48 4 май Н.Квалиирована 1
ISL6142CBZA-T ISL6142CBZA-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 2,6 май ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6142cbzat-datasheets-7650.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 80 20 14 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 48 14 Коммер 1 САМЕМАПА 40 В дар Синейский зал 48 4 май Н.Квалиирована
MCZ34652EFR2 MCZ34652EFR2 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С 900 мк ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 3,9 мм 16 80 15 Ear99 НЕИ 1 1,4 мая E3 Автоматическая повторная попытка MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 16 Промлэнно 1 САМЕМАПА 40 В дар Н.Квалиирована 2A
MCZ34652EF MCZ34652EF Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С 900 мк ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 3,9 мм 16 80 15 Ear99 НЕИ 1 1,4 мая E3 Автоматическая повторная попытка MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 16 Промлэнно 1 САМЕМАПА 40 В дар Н.Квалиирована 2A
TPS2024PE4 TPS2024PE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С МИГ ROHS COMPRINT П. 7,62 мм СОДЕРИТС 8 440.409842mg 5,5 В. 2,7 В. 8 в дар Ear99 Не 5,5 В. 1 5,5 В. E4 Не Дон СКВОХА 3,3 В. 2,54 мм 8 Промлэнно 3/5. 2,7 В. 1 3A Wrenemennnый; На ТОКОМ; ТЕПЛО; Пеодер Истошик 20000 мкс 40000 мкс 2A 1
ISL6142CBZA ISL6142CBZA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 2,6 май ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6142cbza-datasheets-7430.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 80 20 14 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 48 14 Коммер 1 САМЕМАПА 40 В дар Синейский зал 48 4 май Н.Квалиирована
ISL6142CB-T ISL6142CB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 70 ° С 0 ° С В 2001 /files/intersil-isl6142cbt-datasheets-7421.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 14 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 48 14 Коммер 80 20 1 САМЕМАПА Nukahan В дар Синейский зал 48 4 май Н.Квалиирована 1
MCZ34653EF MCZ34653EF Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С 900 мк ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 -74V -39V Ear99 1 1,4 мая E3 Auto Retry, ovp, ttermiчeskyй predel, uvlo MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 8 Промлэнно 1 САМЕМАПА Не Н.Квалиирована R-PDSO-G8 1A
TLE6244X TLE6244X Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 3 150 ° С -40 ° С МИГ 3 ММ ROHS COMPRINT 14 ММ 14 ММ СОУДНО ПРИОН 20 мк 64 1 О 64 Серриал не Ear99 Не 8542.39.00.01 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Квадран Крхлоп 0,65 мм 64 18 Псевриген 64 9,6 3.3a На ТОКОМ; Nanprayesehememem; ТЕПЛО; Пеодер Руковина 10 мкс 10 мкс 1.1a
UC2902DTRG4 UC2902DTRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА 4 май ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,9 мм СОДЕРИТС 8 72,603129 м 8 в дар Ear99 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 1,27 ММ 8 Промлэнно 20 2,7 В. 1 САМЕМАПА В дар Синейский зал 10 май
LTC1421IG LTC1421IG Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 85 ° С -40 ° С В Грлин 8,5 мм СОДЕРИТС 5,6 мм 12 24 2
BSP76E6327HUSA1 BSP76E6327HUSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В
LM9061QDQ1 LM9061QDQ1 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 SOIC не 8 Берн илиирторн -дера
ISL6142IBZA-T ISL6142IBZA-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 2,6 май ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6142ibzat-datasheets-7101.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 80 20 14 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 48 14 Промлэнно 1 САМЕМАПА 40 В дар Синейский зал 48 4 май Н.Квалиирована
NCV7240DPR2G NCV7240DPR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 150 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT SSOP 8,65 мм 1,75 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 5 май 24 3,3 В. 1,5 ОМ 24 Актио, А. Н. в дар Ear99 Otakж rabothotet pri 5v Не 1 5 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 24 30 Псевриген 150 ° С AEC-Q100 600 май Цeph 50 мкс 50 мкс 8 1,5 ОМ 600 май 8 600 май
ISL6142CB ISL6142CB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6142CB-datasheets-6988.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 14 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 48 14 Коммер 80 20 1 САМЕМАПА Nukahan В дар Синейский зал 48 4 май Н.Квалиирована 1
ISL6141IBZA-T ISL6141IBZA-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6141ibzat-datasheets-6880.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 9 nedely 80 20 8 Ear99 1 2,4 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 48 8 Промлэнно 1 САМЕМАПА 30 В дар Синейский зал 4,5 мая Н.Квалиирована
ISL6141IBZA ISL6141IBZA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl61414141ibza-datasheets-7235.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 9 nedely 80 20 8 Ear99 1 2,4 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 48 8 Промлэнно 1 САМЕМАПА 30 В дар Синейский зал 4,5 мая Н.Квалиирована

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.