Hot Swap Controllers - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Hot Swap Controllers (3613)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль Это PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Губина МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА СОПРОТИВЛЕЙН Колист Имен PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Найналайно DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 Особз ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Rugulyruemый porog Подкейгория Питания Постка -тока Макс (ISUP) Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Мон ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Отель Колист Vodnaver -koanfiguraцian Зaщita ot neeprawnosteй Power Dissipation-Max В Встровя На Klючite -wreman В. В канусе Naprayeseee -pietyna 1 минюта PoSta Колиствоэвов Utheчs k soprotivoleneю yastoчnika В конце Минатока
LT1640LIS8 LT1640LIS8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 1
MAX5939EESA MAX5939EESA МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С Bicmos 700 мк ROHS COMPRINT 2006 /files/maximintegrated-max5939eesa-datasheets-0675.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 506.605978mg -80V -20v 8 не Ear99 Оло Не 1 E0 Дон Крхлоп 245 48 8 Промлэнно 1 САМЕМАПА В дар Синейский зал 2MA 471 м
LT1640LIN8 LT1640Lin8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 85 ° С -40 ° С В Окунаан 10,16 ММ СОДЕРИТС 6,48 мм -80V -10 8 1
TPS2074DBG4 TPS2074DBG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 85 ° С -40 ° С 2 ММ ROHS COMPRINT SSOP 8,2 мм 5,3 мм СОДЕРИТС 24 172.39345mg 5,5 В. 4,5 В. 500 м 24 в дар Ear99 Не 5,5 В. 1 5,5 В. E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 5в 0,65 мм 24 Промлэнно 4 САМЕМАПА Не Синейский зал 5в 4,5 В. 4 120 май
LT1640LCS8 LT1640LCS8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT SOIC 5 ММ СОДЕРИТС 3,99 мм -80V -10 8 1
MAX5901NNEUT Max5901nneut МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Весели 1 Bicmos 1,45 мм В 2,9 мм 1625 мм 6 не Ear99 О. not_compliant 8542.39.00.01 1 E0 Олово/Свине (SN85PB15) В дар Дон Крхлоп 245 0,95 мм 6 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 1 САМЕМАПА Nukahan В дар Синейский зал -48V 1,3 Ма Н.Квалиирована R-PDSO-G6 -48V
ISL61851BCBZ-T ISL61851BCBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 70 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2004 /files/intersil-isl61851bcbzt-datasheets-6371.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 16 Ear99 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 5в 1,27 ММ 10, 8, 8 Коммер 5,5 В. 2,3 В. 2 САМЕМАПА Nukahan Не Синейский зал 5в Н.Квалиирована R-PDSO-G8
MAX5900AAETT-T MAX5900AAETT-T МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С Bicmos 0,8 мм ROHS COMPRINT 2007 /files/maximintegrated-max5900aaettt-datasheets-0313.pdf 3 ММ 3 ММ 6 -100 -9V 6 не Ear99 Не 1 E0 Дон 245 0,95 мм 6 Промлэнно 1 САМЕМАПА В дар Синейский зал -48V -48V
LT1640LCN8 LT1640LCN8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT Окунаан 10,16 ММ СОДЕРИТС 6,48 мм -80V -10 8 1
MAX5900ACEUT-T MAX5900ACEUT-T МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С Bicmos 500 мк ROHS COMPRINT 2007 /files/maximintegrated-max5900aceutt-datasheets-0273.pdf SOT-23 2,9 мм 6 -100 -9V 6 не Ear99 Не 1 E0 Артоматист в положении Дон Крхлоп 245 0,95 мм 6 Промлэнно 1 САМЕМАПА В дар Синейский зал -48V -48V
SP000082241 SP000082241 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT 14
MIC2019BM6TR MIC2019BM6TR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/micrel-mic2019bm6tr-datasheets-0229.pdf SOT-23-6 СОДЕРИТС 6 ВЫКЛ/OFF 2A 1 Веса Сророна Nadtemperourotй 6в
LT1640HIS8 LT1640HIS8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC 5 ММ СОДЕРИТС 3,99 мм -80V -10 8 1
LT1640HIN8 LT1640HIN8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT Окунаан 10,16 ММ СОДЕРИТС 6,48 мм -80V -10 8 1
ISL61851BCBZ ISL61851BCBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 70 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2004 /files/intersil-isl61851bcbz-datasheets-5303.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 15 Ear99 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 5в 1,27 ММ 10, 8, 8 Коммер 5,5 В. 2,3 В. 2 САМЕМАПА 30 Не Синейский зал 5в Н.Квалиирована R-PDSO-G8
MAX5902NNEUT-T MAX5902NNEUT-T МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С Bicmos ROHS COMPRINT 2007 /files/maximintegrated-max5902nneutt-datasheets-0008.pdf SOT-23 2,9 мм 6 72 9в 6 не Ear99 Rugulirueemaina зablokirovanannanyablockirowka Оло Не 1 E0 Дон Крхлоп 245 48 0,95 мм 6 Промлэнно 1 САМЕМАПА Не Синейский зал 2MA
LT1640HCS8 LT1640HCS8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT SOIC 5 ММ СОДЕРИТС 3,99 мм -80V -10 8 1
MAX613CSD MAX613CSD МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS 1,75 мм В 1995 /files/maximintegrated-max613csd-datasheets-9957.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм 14 не Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свине (SN85PB15) Дон Крхлоп 245 14 Коммер 1 Сэма -упро Nukahan Не Синейский зал 0,05 Ма Н.Квалиирована R-PDSO-G14 2
LT1640HCN8 LT1640HCN8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT Окунаан 10,16 ММ СОДЕРИТС 6,48 мм -80V -10 8 1
LT1640ALIS8#TR LT1640Alis8#tr Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC 5 ММ СОДЕРИТС 3,99 мм -80V -10 8 1
LT1640ALIS8 LT1640ALIS8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 85 ° С -40 ° С В SOIC 5 ММ СОДЕРИТС 3,99 мм -80V -10 8 1
IPS0151S IPS0151S ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 1 150 ° С -40 ° С МИГ ROHS COMPRINT 2002 /files/internationalRectifier-ips0151s-datasheets-9705.pdf D2Pak 10,67 мм 4,83 мм 9,65 мм 35 СОДЕРИТС 2 20 месяцев 3 ВЫКЛ/OFF не Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Одинокий Крхлоп 225 14 2,54 мм 4 Автомобиль 1 30 Псевриген Н.Квалиирована R-PSSO-G2 3.8a В.яя Стер Nadtemperourotй 35A На ТОКОМ; ТЕПЛО Руковина 0,6 мкс 2 мкс 3.8a 1 25 месяцев
IPS021L IPS021L Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 150 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1.4a SOT-223 6,5 мм 3,5 мм 35 СОДЕРИТС 4 6в 4 130mohm ВЫКЛ/OFF Ear99 1 10 май Дон Крхлоп 14 2,3 мм 1 1 Вт Н.Квалиирована R-PDSO-G4 1.4a 900NS 1,3 мкс В.яя Стер Nadtemperourotй 1 Вт 4 а Wrenemennnый; На ТОКОМ; ТЕПЛО Руковина 1.4a 150 МОСТ
MAX5901NNETT+ Max5901nnett+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 Bicmos 0,8 мм ROHS COMPRINT 3 ММ 3 ММ 6 6 в дар Ear99 О. 8542.31.00.01 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон NeT -lederStva 260 0,95 мм 6 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 1 САМЕМАПА Nukahan В дар Н.Квалиирована
T6819-TBS T6819 TBS Atmel (Microchip Technology)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 150 ° С -40 ° С BCDMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,925 мм 3,8 мм СОДЕРИТС 6ma 16 40 5,6 В. 500 м 16 Ear99 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 5в 1,27 ММ 16 Псевриген Н.Квалиирована 2A Накапливаться 20 мкс 20 мкс 6 2A На ТОКОМ; ТЕПЛО; Пеодер Истошиник 1,5а 6
ISL61851AIBZ-T ISL61851AIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2004 /files/intersil-isl61851aibzt-datasheets-4229.pdf SOIC 8 15 Ear99 Оло 8542.39.00.01 E3 Дон Крхлоп 5в 1,27 ММ 10, 8, 8 Промлэнно САМЕМАПА Синейский зал 5в Н.Квалиирована R-PDSO-G8
TPS2067DG4 TPS2067DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT ДУМОВ 9,9 мм СОДЕРИТС 16 141.690917mg 5,5 В. 2,7 В. 16 в дар Ear99 Не 5,5 В. 1 5,5 В. E4 В дар Крхлоп 260 3,3 В. 1,27 ММ 16 1 САМЕМАПА Не 2,7 В. 3
ISL61851FCBZ-T7 ISL61851FCBZ-T7 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2004 /files/intersil-isl61851fcbzt7-datasheets-4109.pdf SOIC 16 5в 2,5 В. 8 Ear99 1 Млокс E3 МАНЕВОВО САМЕМАПА
TPS2048ADG4 TPS2048ADG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT ДУМОВ 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 16 141.690917mg 5,5 В. 2,7 В. 16 в дар Ear99 Не 5,5 В. 4 5,5 В. E4 В дар Крхлоп 260 1,27 ММ 16 Drugoй САМЕМАПА 2,7 В. 4
T6819-TBQ T6819-TBQ Atmel (Microchip Technology)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Веса 1 150 ° С -40 ° С BCDMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,925 мм 3,8 мм СОДЕРИТС 16 500 м 16 Ear99 8542.39.00.01 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 5в 1,27 ММ 16 5,25 В. 4,75 В. 40 Псевриген 57,5/40 Н.Квалиирована 2A Накапливаться 6 2A На ТОКОМ; ТЕПЛО; Пеодер Истошиник 20 мкс 20 мкс 1,5а 7,5 В. 40 6
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)